公开(公告)号：CN1841597A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610079378.0

申请日：2006-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  上田要 ,  金慎太郎 ,  佐藤新 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  C04B35/64

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49126

Abstract: 本发明为制造具有层间厚度为5μm或以下的电介质层和含贱金属的内部电极层的叠层陶瓷电子部件的方法。其是在还原性气氛中，烧结交替配置100层或100层以上的电介质层用糊料和含贱金属的内部电极层用糊料而成的叠层体，然后进行退火处理。在氧分压P3大于2.9×10－39Pa且小于6.7×10－24Pa的强还原性气氛中，大于300℃且小于600℃的保持温度T3下对该退火处理后的叠层体进行第1热处理。在氧分压P4大于1.9×10－7Pa小于4.1×10－3Pa的气氛中，大于500℃且小于1000℃的保持温度T4下对该第1热处理后的叠层体进行第2热处理。

公开(公告)号：CN1819066A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610059224.5

申请日：2006-01-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物，其特征在于包含：含有Ba、Ca和Ti，且含有具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分；和含有Zr化合物的第4副成分，并且相对于100摩尔的上述主成分，以Zr换算，上述第4副成分的含量大于0摩尔、不足5摩尔。优选上述电介质陶瓷组合物具有偏析相，且在上述偏析相中，含有Zr化合物。

公开(公告)号：CN1810713A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129197.X

申请日：2005-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳 ,  村濑琢

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/462 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其含有：包含组成式{(Me1－xCax)O}m·(Zr1－yTiy)O2表示的电介质氧化物的主成分，其中Me是Sr、Mg和Ba中的至少一种，m、x和y具有0.995≤m≤1.020、0＜x≤0.15、0≤y≤1.00的关系；含有R氧化物(其中，R是稀土类元素)的第一副成分；含有Mg氧化物的第二副成分；含有Mn氧化物的第三副成分；其中各副成分相对于100mol主成分的比率是：第一副成分：0.1～6mol；第二副成分：1～5mol；第三副成分：0.1～2.5mol；该电介质陶瓷组合物还含有A氧化物(其中，A是选自6配位时有效离子半径为0.065nm～0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)作为第四副成分。

公开(公告)号：CN1779874A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410104753.3

申请日：2004-11-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内真理 ,  野口和则 ,  日比贵子 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12

Abstract: 一种叠层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3和厚度3.5μm以下的层间电介质层2，上述层间电介质层2包含与上述内部电极层接触的接触电介质颗粒2a和与上述内部电极层不接触的非接触电介质颗粒2b；以该接触电介质颗粒2a的平均粒径为D50e，以该非接触电介质颗粒2b的平均粒径为D50d，则满足D50e＜0.450μm且(D50e/D50d)＝1.20～3.00(但是除了1.20和3.00)。本发明能提供即使在层间电介质层2薄层化的情况下，仍能期望得到85℃下偏置特性提高的叠层陶瓷电容器1。

公开(公告)号：CN1760156A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510097630.6

申请日：2005-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468

CPC classification number: H01G4/10

Abstract: 本发明提供一种具有电介质层的陶瓷电子部件，上述电介质层含有用组成式BamTiO2+m表示的主成分，上述组成式中的m为0.995≤m≤1.010，Ba和Ti之比为0.995≤Ba/Ti≤1.010，和包含Al氧化物的副成分(第6副成分)；相对于上述主成分100摩尔，上述Al氧化物的含量，按Al2O3换算为0～4.0摩尔(其中，不包括0)，优选方案为上述电介质层具有偏析相，上述偏析相中含有Al氧化物。

公开(公告)号：CN1744244A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510097660.7

申请日：2005-08-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/08 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49163 ,  Y10T29/49206

Abstract: 一种电子部件，其特征在于，其具有电介质层和内部电极层相互层压的元件主体，前述电介质层和/或前述内部电极层中形成异相，在前述异相中含有Mg元素及Mn元素。优选将前述异相形成在前述电介质层和前述内部电极层的边界附近的至少一部分。

公开(公告)号：CN1710679A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200510087852.X

申请日：2005-06-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  岩永大介 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电子部件，是具有电介质层的陶瓷电子部件，所述电介质层含有包含(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3系材料的主成分、以及包含Si氧化物的副成分，相对于电介质层总体，所述Si氧化物的含量为0～0.4重量％(其中，不含0)，优选所述电介质层具有偏析层，所述偏析层含有Si氧化物，且实质上不含有Li氧化物。根据本发明，能够提供一种IR不良率(初始绝缘电阻不良率)低，高温负荷寿命好、可靠性高的陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。

公开(公告)号：CN1154624C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN01119630.0

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  渡边康夫 ,  福井隆史 ,  高桥三喜夫

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性的诸如片状电容器的电子器件。

公开(公告)号：CN1447780A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814363.6

申请日：2001-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/1245 ,  C04B35/49 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含含有由组成分子式{(Ca1－xMex)O}·(Zr1－yTiy)O2表示的介电氧化物的主成分和包含选自V、Nb、W、Ta、Mo和Cr的氧化物以及在烧成后变成这些金属氧化物的化合物中的至少一种的第一辅助成分，其中，在所述主成分中包含的分子式中的符号Me是Sr、Mg和Ba的至少之一，符号m、x和y表示在所述主成分中包含的分子式中的组成摩尔比，其为0.8≤m≤1.3、0≤x≤1.00和0.1≤y≤0.8，并且第一辅助成分与100摩尔主成分的比例用氧化物中的金属元素表示满足0.01原子％≤第一辅助成分＜5原子％。

公开(公告)号：CN1094917C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN99801726.4

申请日：1999-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤井真理 ,  佐藤阳 ,  佐藤茂树 ,  野村武史

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/486 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 考虑到含镍内电极多层陶瓷电容器的制备包括使内电极末端外露的抛光步骤，为了防止抛光步骤的延长，本发明制备了一种抗还原介电陶瓷材料，是通过下列步骤实现的：配成包含以式(I)[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y)O2]表示的复合氧化物作为主成分的煅烧材料，其中0≤x≤1，0≤y≤0.10及0.75≤m≤1.04，添加基于主成分0.001-10mol%的MgO或稀土氧化物，并烧结所得混合物。该陶瓷材料包含预定量的SiO2和BaO和/或CaO、和MnO作为辅助成分。