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公开(公告)号：CN109385584A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810890325.X
申请日：2018-08-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种以Fe为主成分且包含Si的软磁性合金。其由Fe基纳米结晶和非晶质构成。在将Fe基纳米结晶中的Si的平均含有率设为S1(at％)、将非晶质中的Si的平均含有率设为S2(at％)的情况下，S2-S1＞0。另外，软磁性合金由组成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e+f))MaBbSicPdCreCuf)1-gCg构成。X1为选自Co和Ni中的1种以上，X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O、S和稀土元素中的1种以上，M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、V和W中的1种以上。a～g和α、β在特定的范围内。
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公开(公告)号：CN109382521A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810896766.0
申请日：2018-08-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明提供一种能够制造高质量的金属粉末的金属粉末制造装置和使用其的金属粉末的制造方法。金属粉末制造装置(10)具有：喷出熔融金属的熔融金属供给部(20)；设置于熔融金属供给部(20)的下方的筒体(32)；以及沿着筒体的内周面形成冷却液的液流的冷却液层形成部(36)，其中上述冷却液冷却从熔融金属供给部(20)喷出的熔融金属。冷却液层形成部(36)具有将从内周面(33)朝向半径方向的内侧的冷却液的液流改变成沿着筒体(32)的内周面(33)流动的方向的框体(38)。
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公开(公告)号：CN108022709A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711052092.8
申请日：2017-10-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种软磁性合金等，其满足高的饱和磁通密度、低的矫顽力及高的导磁率μ′的全部，且具有优异的软磁特性和高的耐蚀性。本发明的软磁性合金由组成式((Fe(1－(α+β))X1αX2β)(1－(a+b+d+e))MaBbCrdCue)1－fCf构成，其中，X1为选自Co及Ni中的1种以上，X2为选自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土类元素中的1种以上，M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V中的1中以上，0.030≦a≦0.14、0.028≦b≦0.15、0.005≦d≦0.020、0＜e≦0.030、0≦f≦0.040、α≧0、β≧0及0≦α+β≦0.50。
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公开(公告)号：CN1975945B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200610163302.6
申请日：2006-11-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/008 , H01L28/55 , Y10T29/413 , Y10T29/435 , Y10T29/49128
Abstract: 本发明涉及一种电介质元件的制造方法，其包括如下工序：准备下部电极的工序；在下部电极上形成电介质，制作第1叠层结构的工序；对第1叠层结构进行退火的工序；在电介质膜上形成上部电极，制作第2叠层结构的工序；在减压气氛下以150℃以上的温度对第2叠层结构进行退火的工序。
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公开(公告)号：CN101233590B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200680027392.4
申请日：2006-07-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/016 , H01L28/55
Abstract: 在本发明中，其目的在于提供一种薄膜电容器的制造方法，可同时实现钛酸钡锶薄膜的容量密度的提高以及泄漏电流密度的降低。在薄膜电容器制造方法中具有，烧成有机电介质原料而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序，使烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，而形成具有比在氧氛围中烧成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大的容量密度的钛酸钡锶薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1975945A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163302.6
申请日：2006-11-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/008 , H01L28/55 , Y10T29/413 , Y10T29/435 , Y10T29/49128
Abstract: 本发明涉及一种电介质元件的制造方法，其包括如下工序：准备下部电极的工序；在下部电极上形成电介质，制作第1叠层结构的工序；对第1叠层结构进行退火的工序；在电介质膜上形成上部电极，制作第2叠层结构的工序；在减压气氛下以150℃以上的温度对第2叠层结构进行退火的工序。
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公开(公告)号：CN1905096A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107900.1
申请日：2006-07-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/008 , H01G4/12 , H01B3/12 , C04B35/462
CPC classification number: H01L21/02197 , H01G4/1227 , H01L21/02356 , H01L21/31691 , H01L27/016 , H05K1/162 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355
Abstract: 本发明为一种电容器，包括电介质膜和夹着该电介质膜相向设置的第一电极以及第二电极，电介质膜具有超过根据格子常数算出的理论密度的72％的密度。第一电极及所述第二电极的至少一方，含有选自Cu、Ni、Al、不锈钢以及铬镍铁合金的至少一种金属。
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公开(公告)号：CN1755848A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510108020.1
申请日：2005-09-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/02266 , H01L21/31691 , H01L27/016 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 本发明涉及一种电介质薄膜，以组成式(Ba1－xSrx)yTiO3(0.18≤x≤0.45、0.96≤y≤1.04)表示，当X射线衍射图中的(100)面的衍射线峰值强度记为I(100)、(110)面的衍射线峰值强度记为I(110)时，其峰值强度比I(100)/I(110)为0.02～2.0。
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公开(公告)号：CN1197179C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00135239.3
申请日：2000-12-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/24
CPC classification number: H01L41/0533 , H01L41/083 , H01L41/23 , H01L41/273
Abstract: 一种电子部件，其中包括主要部件、接线电极和一层膜。所述的主要部件包括烧结的压电陶瓷元件，其中交替地叠积多层内部电极层和压电层。接线电极是在烧结的压电陶瓷元件的边缘上制成的，并为内部电极导电。所述的膜是在烧结的压电陶瓷元件和暴露内电极的表面上形成的，是由玻璃绝缘材料制造的。
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公开(公告)号：CN1188916C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN00137013.8
申请日：2000-09-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/187 , H01L41/24
CPC classification number: H01L41/0477 , H01L41/0471 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H03H3/02 , H03H9/178
Abstract: 一种由交替叠放的压电层和内电极层组成的多层压电器件，其中内电极层的厚度为1～3μm，以内电极层中金属成分的总重量100%重量计，内电极层含有20～90%重量作为基本成分的金，并含有至少一种选自钯、铂和铑的元素。
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