公开(公告)号：CN102295263A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110173720.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔治.A.邓巴三世 ,  杰弗里.C.马林 ,  威廉.J.莫菲 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。

公开(公告)号：CN102190280A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110062180.2

申请日：2011-03-11

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·本泽尔 ,  C·谢林

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B2201/014 ,  B81C2201/0143 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本发明涉及一种微机械结构元件和用于制造微机械结构元件的方法。该微机械结构元件、尤其是开关包括具有至少一个留空的衬底和致动器，其中，在留空的区域中设有至少两个导电的接触面，这些接触面能借助致动器相互接触以便导电。

公开(公告)号：CN101336466B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680051827.9

申请日：2006-12-19

Applicant: 佛姆法克特股份有限公司

Inventor： G·L·马修 ,  T·方 ,  E·D·霍博斯

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B33Y10/00 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0184 ,  B81C2201/0197 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C25D1/003 ,  C25D1/12 ,  C25D5/02 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/1275 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了按照三维阵列沉积多个微滴的系统和方法。该阵列可以包括：第一类微滴，设置它们是为了形成支撑结构；以及第二类微滴，用于在支撑结构上形成导电晶种层。结构材料可以被电沉积到晶种层上以产生三维结构。

公开(公告)号：CN100550429C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN02826974.8

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 达纳·R·德吕斯

IPC: H01L29/84 ,  H01L29/82

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层，该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块，该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中，当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。

公开(公告)号：CN1885469A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610100393.9

申请日：2006-06-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·海克 ,  Q·马 ,  Q·特兰 ,  T·-K·仇 ,  H·巴尔 ,  J·梅尔基

IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0013 ,  B81B2201/014 ,  H01H2059/0063 ,  H01H2059/0072

Abstract: 一种电子机械开关包括激励电极、电枢、悬臂电极、触点和信号线。激励电极和电枢被安装到衬底。悬臂电极由电枢支撑在激励电极上。触点被安装到悬臂电极。信号线被定位以当在激励电极和悬臂电极之间施加激励电压时与触点形成闭路，以使悬臂电极以类拉链运动从悬臂电极的末梢端开始向悬臂电极弯曲。

公开(公告)号：CN1292447C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02826914.4

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  达纳·R·德吕斯 ,  苏巴哈姆·塞特 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01H57/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。

公开(公告)号：CN1288068C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03800683.9

申请日：2003-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中西淑人 ,  清水克人 ,  矢吹博幸

IPC: B81B3/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: H01P1/127 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0068 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02511

Abstract: 谐振器(4，5)能够相对于基底(1)水平和垂直地振荡。谐振器(4)主要由固定地与基底(1)接触的支撑部件、包括与谐振器(5)接触的接触表面和与电极(7)接触的接触表面的可动部件、以及耦合支撑部件与可动部件的衔接部件构成。电极(6)置于谐振器(5)和谐振器(4)相间隔开的方向上。电极(7)置于谐振器(4)和谐振器(5)相间隔开的方向上。电极(9)被置于这样的位置，使谐振器(5)产生静电力，其方向与在谐振器(4)和(5)之间以及在谐振器(5)和电极(6)之间作用的吸引力的方向均不同。

公开(公告)号：JP5842929B2

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：JP2013545705

申请日：2011-11-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 島内 岳明

IPC: H01L23/10 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01G5/16 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L23/04 ,  B23K1/0016 ,  B81B7/0041 ,  B81C1/00873 ,  H01L24/94 ,  H03H9/1057 ,  B23K2201/42 ,  B81B2201/014 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/1461 ,  H03H3/0072

公开(公告)号：JP5651178B2

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：JP2012526823

申请日：2010-08-12

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

Inventor： アンダーソン、フェリックス、ピー ,  マクデビッド、トーマス、エル ,  スタンパー、アンソニー、ケー

IPC: H01H49/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/302

公开(公告)号：EP2389336A2

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：EP10700934.2

申请日：2010-01-20

Applicant: Cavendish Kinetics Inc.

Inventor： LACEY, Joseph, Damian, Gordon

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  H01L41/094

Abstract: Embodiments discussed herein generally disclose novel alternative methods that can be employed to overcome the gradient stress formed in refractory materials to be used for thin film MEMS cantilever switches. The use of a ‘split layer’ cantilever fabrication method, as described herein enables thin film MEMS cantilever switches to be fabricated resulting in low operating voltage devices while maintaining the mechanical rigidity of the landing portion of the final fabricated cantilever switch.

Abstract translation: 在基因集会讨论的实施例公开了新颖的替代方法也可以用来克服形成在耐火材料用于薄膜MEMS悬臂开关梯度应力。 使用“分割层”悬臂的制造方法，如在描述的启用导致低工作电压的装置，同时保持最终制造的悬臂式开关的着陆部分的机械刚度要制造的薄膜MEMS悬臂开关。