Abstract:
본 발명은, 특히 3.30 내지 3.5 μm 범위의 레이저 광을 이용하여, 기상 샘플 내의 추진제의 존재를 검출하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 추진제는 프로판, n-부탄, i-부탄, 디메틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, HFA 134a, HFA 227, 또는 필요한 파장 범위에서 흡수를 보이는 임의의 다른 추진제일 수 있다. 상기 추진제의 존재는 시험 광 펄스의 진폭을 기준 광 펄스의 진폭과 비교함으로써 검출된다. 본 발명은 또한, 현존하는 시험 방법을 대치할 수 있는 고속 높은 정확도의 누출 검출을 가능하게 하는, 에어로졸 또는 연료 캐니스터와 같은 추진제 포함 용기의 누출 시험에 이러한 방법을 적용하는 것에 관한 것이다.
Abstract:
표적 물질(216)의 내부 구조를 검사하기 위해 검사 시스템(200)이 제공된다. 이 검사 시스템은 발생 레이저(210)와, 초음파 검출 시스템(220, 226, 228, 230)과, 열 이미징 시스템(234)과, 프로세서/제어 모듈(232)을 포함한다. 상기 발생 레이저(210)는, 표적 물질(216)에서 초음파 변위 및 열 과도부를 유도하는 펄스형 레이저 빔(212)을 생산한다. 초음파 검출 시스템은 표적 물질(216)에서 초음파 표면 변위를 검출한다. 상기 열 이미징 시스템(234)은 표적 물질(216)에서의 열 과도부를 검출한다. 프로세서(232)는 표적 물질(216)의 검출된 초음파 변위와 열 이미지 모두 분석하여, 표적 물질의 내부 구조에 관한 정보를 생산할 수 있다. 상기 표적 물질(216)은 복합 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
Abstract:
Fast on-line electro-optical detection of wafer defects by illuminating with a short light pulse from a repetitively pulsed laser, a section of the wafer while it is moved across the field of view of an imaging system, and imaging the moving wafer onto a focal plane assembly, optically forming a continuous surface of photo-detectors at the focal plane of the optical imaging system. The continuously moving wafer is illuminated by a laser pulse of duration significantly shorter than the pixel dwell time, such that there is effectively no image smear during the wafer motion. The laser pulse has sufficient energy and brightness to impart the necessary illumination to each sequentially inspected field of view required for creating an image of the inspected wafer die. A novel fiber optical illumination delivery system, which is effective in reducing the effects of source coherence is described. Other novel aspects of the system include a system for compensating for variations in the pulse energy of a Q-switched laser output, methods for autofocussing of the wafer imaging system, and novel methods for removal of repetitive features of the image by means of Fourier plane filtering, to enable easier detection of wafer defects.
Abstract:
본 발명은 레이저 펄스에 의해 발전 플랜트 또는 열병합 발전소의 연소실 내의 소정 위치에서 하나 이상의 가스 상태를 측정하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 가스 측정 방법은, 레이저 펄스를 상기 연소실 내에 방출하는 단계(S1), 레이저 펄스가 상기 연소실 내에 방출되는 제 1 시점을 측정하는 단계(S2), 상기 연소실 내의 소정 위치에서 가스 분자에 의해 후방 산란된 레이저 광원을 검출하는 단계(S3), 상기 가스 분자에 의해 후방 산란된 레이저 광원이 검출되는 제 2 시점을 측정하는 단계(S4), 상기 제 1 시점, 제 2 시점, 그리고 상기 레이저 펄스의 펄스 길이를 기초로 한 위치를 측정하는 단계(S5), 및 상기 제 2 시점에서 검출된 후방 산란 레이저 광원의 하나 이상의 특성을 기초로 하여 소정 위치에서 하나 이상의 가스 상태를 측정하는 단계(S6)를 포함한다. 또한 가스 측정 장치 및 연소 장치가 본 명세서에 제공된다.
Abstract:
펄스 증배기(pulse multiplier)는 편광 빔 스플리터(polarizing beam splitter), 파장판(wave plate), 및 한 세트의 거울들을 포함한다. 상기 편광 빔 스플리터는 입력 레이저 펄스를 받아 들인다. 상기 파장판은 상기 편광 빔 스플리터로부터 빛을 받아 들여 제 1 세트의 파장들 및 제 2 세트의 파장들을 발생시킨다. 상기 제 1 세트의 파장들은 상기 제 2 세트의 파장들과 서로 다른 편광을 가진다. 상기 편광 빔 스플리터, 상기 파장판, 및 상기 한 세트의 거울들은 고리형 공진기(ring cavity)를 생성시킨다. 상기 편광 빔 스플리터는 상기 제 1 세트의 펄스들을 상기 펄스 증배기의 출력으로서 투과시키고, 상기 제 2 세트의 펄스들을 상기 고리형 공진기로 반사시킨다. 이 펄스 증배기는 저렴한 비용으로, 최소한의 총 파워 손실로 초당 펄스들의 수를 증가시키면서 펄스당 피크 파워를 감소시킬 수 있다.