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公开(公告)号：CN107301938A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710634267.X
申请日：2017-07-29
Applicant: 苏州志佳电子科技有限公司
Inventor： 朱国强
Abstract: 本发明提供一种离子流的发生方法以及具有螺旋放电电极的离子发生器，涉及离子发生器领域，该具有螺旋放电电极的离子发生器包括变压器、控制装置、发射管以及电连接组件；变压器的电压输入端通过电连接组件与市电连接，变压器的电压输出端通过电连接组件与控制装置连接，控制装置与发射管连接，发射管的放电电极为螺旋形。相较于现有技术，本发明提供的具有螺旋放电电极的离子发生器，由于采用螺旋形放电电极的发射管，在相同的发射管体积内，螺旋形可大幅度的增加放电电极的长度，进而产生更多数量、更大强度的活性离子；而且，由于采用螺旋形发射电极，可均匀地分布在发射管的整个表面，解决了传统发射管的发射不均匀问题。
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公开(公告)号：CN107004551A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068638.1
申请日：2015-12-03
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: H01J49/145 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J49/12
Abstract: 本发明关于一种离子化装置(1)，其包括：等离子体产生装置(4)，在初级等离子体区(9)中产生亚稳粒子(6a)和/或离子(6b)；场产生装置(13)，在次级等离子体区(10)中产生辉光放电(12)；进气口(2)，将待离子化的气体(3)供应入次级等离子体区(10)；以及另一进气口(5)，将离子化气体(6)的亚稳粒子(6a)和/或离子(6b)供应入次级等离子体区(10)。本发明还关于一种质谱仪(20)，包含此种离子化装置(1)；以及检测器(17)，其设置于离子化装置(1)的排气口(16)下游，用于该离子化的气体(3a、3a′)的质谱分析。
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公开(公告)号：CN106935460A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511020522.9
申请日：2015-12-30
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J27/08
CPC classification number: H01J27/08
Abstract: 本发明属于离子源放电室的灯丝冷却技术领域，具体涉及一种离子源放电室阴极灯丝杆的连接和冷却结构。该结构包括以下部分：陶瓷可阀、灯丝杆、软铜线、铜连接板、铜管、集流管；(1)通过陶瓷可阀将灯丝杆与放电室背板绝缘连接；(2)灯丝杆穿过放电室背板；(3)铜接线板设置在放电室外，包括正极铜接线板和负极铜接线板；(4)软铜线有两组，通过软铜线将灯丝杆与铜接线板连接；再通过铜接线板接通放电室电源；(5)通过锡焊将铜管缠绕焊接在陶瓷可阀上方的灯丝杆上，通过铜管对灯丝杆进行冷却；(6)用水管接头将铜管与胶管相连，并将胶管连接至集流管上，通过集流管与外界的循环水连接。这种灯丝杆与外围的连接方式有效避免了连接过程中给可阀增加应力，保护了可阀。
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公开(公告)号：CN103632911B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310368729.X
申请日：2013-08-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F.格宾
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01L21/265
Abstract: 离子源器件和方法。离子源包括定义用于离子化的内部空腔的腔室，在内部空腔的第一端的电子束源，用于将可离子化的气体引入腔室的入口，以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙。所述腔室包括导电陶瓷。
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公开(公告)号：CN102668720B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080059357.7
申请日：2010-10-22
Applicant: 伊利诺斯工具制品有限公司
Inventor： 彼得·格夫特 , 莱斯利·韦恩·帕奇吉 , 莱尔·德怀特·纳尔森
IPC: H05F3/02
CPC classification number: H01T23/00 , H01J27/022 , H01J27/08 , H01T19/04 , H05F3/06
Abstract: 披露用于稳定的产生电气平衡且超纯净的离子化气体流的自我平衡电晕放电。通过促进使自由电子转换成负离子的电子转换，且不添加氧气或其他负电性气体至气体流中，而达到此效果。本发明可被使用于负电性和/或正电性或惰性气体流，且可包含使用闭环电晕放电控制系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104637764A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410645296.2
申请日：2014-11-11
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor： 佐藤正辉
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法，其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备：电弧室(12)，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部(14)，向电弧室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体，导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。
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公开(公告)号：CN104217981A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410367226.5
申请日：2009-08-12
Applicant: 先进科技材料公司
IPC: H01L21/67 , C23C14/48 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
Abstract: 一种半导体制造系统中的离子源清洁方法。本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。
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公开(公告)号：CN102396048B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200980158194.5
申请日：2009-08-12
Applicant: 先进科技材料公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
Abstract: 本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。
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公开(公告)号：CN103887132A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210559934.X
申请日：2012-12-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/082
Abstract: 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103632911A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310368729.X
申请日：2013-08-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F.格宾
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01L21/265
Abstract: 离子源器件和方法。离子源包括定义用于离子化的内部空腔的腔室，在内部空腔的第一端的电子束源，用于将可离子化的气体引入腔室的入口，以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙。所述腔室包括导电陶瓷。
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