场发射平面光源及其制作方法

    公开(公告)号:CN102906849B

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201080066877.0

    申请日:2010-08-17

    CPC classification number: H01J63/04 H01J9/025 H01J31/127 H01J63/02 H01J63/06

    Abstract: 一种场发射平面光源及其制造方法。该发射平面光源包括阳极(110)、阴极(120)、出光面板130)及隔离体(140)。阳极(110)与出光面板130)之间由隔离体(140)隔开,阴极(120)位于阳极(110)、出光面板(130)及隔离体(140)形成的收容空间(150)中。阳极(110)包括阳极基板112)、位于阳极基板(112)上的金属反射层114)及位于金属反射层(114)上的发光层116),阴极(120)包括阴极基体(122)及位于阴极基体(122)表面的电子发射体(124)。该场发射平面光源的散热性得到改善,可用于液晶显示器件或照明灯领域。

    紫外线照射装置
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102484172B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201080036134.9

    申请日:2010-08-03

    CPC classification number: C09K11/64 H01J1/63 H01J63/04 H01J63/06

    Abstract: 本发明提供一种能够通过没有利用pn结的简便的构造,高效地利用表面等离子体电磁声子,高效率地放射特定波长的紫外线的紫外线照射装置。在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内,配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和电子束放射源而成,该半导体多层膜元件具备具有基于InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1、0<y≤1、x+y≤1)的单一量子阱构造或者多重量子阱构造的活性层、和在该活性层的上表面形成的由铝或者铝合金的金属粒子构成且具有该金属粒子所构成的纳米构造的金属膜而成,通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束,经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。

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