公开(公告)号：CN105393342B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480041087.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小森谷治彦 ,  照井贵阳 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/56 ,  C08F232/04 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D127/12 ,  C09D129/10 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  H01L27/3241 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5012 ,  C08F216/14

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有式(1)表示的重复单元和通式(2)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的烃基，烃基中的氢原子的至少1个可以被氟原子或氯原子取代，也可以具有羟基。)该组合物能够在有机半导体膜上形成氟树脂膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

公开(公告)号：CN107533969A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680020330.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中村阳介 ,  藤原昌生 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/08 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN104969333B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201480007116.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  涉仁纪

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。

公开(公告)号：CN107001997A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062994.2

申请日：2015-10-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 井村英明 ,  高田直门

IPC: C11D7/30 ,  C11D7/50

CPC classification number: C11D7/504 ,  C07C21/073 ,  C07C21/18 ,  C11D7/30 ,  C11D7/50 ,  C11D7/5018 ,  C11D7/5059

Abstract: 本发明的液体组合物的特征在于，包含0.0001摩尔％～40摩尔％的(Z)‑1,2‑二氯‑3,3,3‑三氟丙烯(1223Z)和99.9999摩尔％～60摩尔％的(E)‑1,2‑二氯乙烯(t‑DCE)。该液体组合物对地球环境的影响小、表现出(类)共沸的性质。因此，即使在开放体系中使用、或者长期使用，实用上也不引起组成变动。即便在通过蒸馏的回收中也不易发生组成变动。因此，该液体混合物可以适合用作清洗剂(溶剂)。进而该组合物之中t‑DCE的量为90摩尔％以下的物质是消防法上的非危险物。

公开(公告)号：CN105283524B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480029472.8

申请日：2014-04-25

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 冈本英之 ,  春日健

IPC: C09K11/00 ,  C03C3/32 ,  C03C4/12 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: C03C3/325 ,  C03C3/247 ,  C03C4/12 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7779 ,  G02B6/0003 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01S3/091 ,  H01S3/1618 ,  H01S3/1631 ,  H01S3/173 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明的宽频带发光材料的特征在于，在氟化物玻璃中含有镱离子作为用作发光中心的二价稀土离子，所述氟化物玻璃含有20～45摩尔％的AlF3、总计为25～63摩尔％的碱土金属氟化物、总计为3～25摩尔％的选自由Y、La、Gd和Lu组成的组中的至少1种元素的氟化物，该氟化物玻璃含有：1～15摩尔％的包含选自由Al、Ba、Sr、Ca和Mg组成的组中的至少1种和选自由Cl、Br和I组成的组中的至少1种的卤化物，该碱土金属氟化物含有0～15摩尔％的MgF2、7～25摩尔％的CaF2、0～22摩尔％的SrF2和0～5摩尔％的BaF2。

公开(公告)号：CN104251862B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410283029.5

申请日：2014-06-23

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中原启太 ,  西村夏哉

IPC: G01N21/78 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明提供电解液用溶剂中杂质含量的判定方法、使用其的电解液的制造方法及电解液，从而能够以比以往简便的方式来判定使电池性能恶化的多种杂质在电解液用溶剂中的含量。本发明的非水电解液电池中使用的电解液用溶剂中杂质含量的判定方法，包括：向电解液用溶剂中添加路易斯酸来得到反应液的反应工序、测定上述反应液的海森值的海森值测定工序和判定上述海森值是否在规定临界值以下的判定工序。本发明的电解液的制造方法包括将依据上述判定方法判定的海森值在临界值以下的电解液用溶剂与电解质盐混合的混合工序。本发明的电解液包含依据上述判定方法判定的海森值在临界值以下的电解液用溶剂和电解质盐。

公开(公告)号：CN103283004B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201180063349.4

申请日：2011-12-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 公文创一 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  斋藤真规 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C11D3/162 ,  C11D11/0047

Abstract: [课题]提供在表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中用于改善容易诱发图案倾塌的清洗工序的清洗方法。[解决方法]所述清洗方法是表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序；用拒水性化学溶液(9)置换在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序；干燥晶片(1)的工序，上述清洗液(8)包含80质量%以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使上述置换的工序中供给的拒水性化学溶液(9)的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液(9)的沸点，从而至少使上述凹部表面拒水化。

公开(公告)号：CN106471000A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036286.1

申请日：2015-06-30

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 高桥幹弘 ,  森中孝敬 ,  新免益隆 ,  山本建太 ,  河端涉 ,  久保诚 ,  藤本雅隆 ,  松崎宽树 ,  辻冈章一

IPC: C07F5/04 ,  C07F9/02 ,  H01M6/16 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  C07F1/02

CPC classification number: C07F5/04 ,  C07F1/02 ,  C07F5/022 ,  C07F9/26 ,  C07F9/65742 ,  C07F9/65844 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M2300/0017

Abstract: 本发明提供适于具有高温耐久性的非水电解液电池的材料。关于式(1)，A：金属离子、质子、鎓离子；M：13～15族元素；R1：(取代)烃[碳数为3以上时，也可以为支链/环结构]N(R2)[R2：H、(取代)烃]；Y：C、S；r：0-2[Y为C时是1，Y为S时是1-2]；a：1-2；o：2、4；n：1-2；p：0-1[p为0时，在S-Y间形成直接键合]；q：1-2。

公开(公告)号：CN103782369B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280043758.2

申请日：2012-08-08

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  毛利勇

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层，使用蚀刻气体进行蚀刻时，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7、IF5中的至少一种气体和F2的气体。由此，能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。

公开(公告)号：CN104411667B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380034484.5

申请日：2013-06-27

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 吉川悟 ,  佐久冬彦 ,  高田直门

IPC: C07C17/25 ,  C07C21/18 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C17/25 ,  B01J21/04 ,  B01J21/066 ,  B01J21/18 ,  B01J23/26 ,  B01J23/868 ,  B01J37/26 ,  C07C17/23 ,  C07C17/38 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本发明涉及一种使1,1,1,3,3‑五氟丙烷在气相中、催化剂存在下进行脱氟化氢反应从而制造1,3,3,3‑四氟丙烯的方法，在反应体系内的压力设为0.001kPa～90kPa(绝对压力)、反应温度为250～600℃的范围内进行反应。