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    濺鍍薄膜形成裝置
    71.
    发明专利
    濺鍍薄膜形成裝置 审中-公开
    溅镀薄膜形成设备

    公开(公告)号：TW201309824A

    公开(公告)日：2013-03-01

    申请号：TW100131029

    申请日：2011-08-30

    Applicant: EMD股份有限公司 ,  EMD CORPORATION

    Inventor： 節原裕一 ,  SETSUHARA, YUICHI ,  江部明憲 ,  EBE, AKINORI

    IPC: C23C14/34

    Abstract: 本發明提供一種製膜速度快，並可形成品質高之薄膜的濺鍍薄膜形成裝置。濺鍍裝置10包括：靶座14，係設置於真空容器11內；基板座15，係設置成與靶座14相對向；電漿產生氣體引入手段19，係向真空容器11內引入電漿產生氣體；電場產生手段161，係在包含靶T之表面的區域產生濺鍍用之電場；高頻天線配置室182係設置於真空容器11之壁的內面與外面之間，並利用介電體窗183與真空容器11的內部隔開；及高頻天線13，係配置高頻天線配置室182內，並在包含靶固持手段所固持之靶之表面的區域產生高頻感應電場。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种制膜速度快，并可形成品质高之薄膜的溅镀薄膜形成设备。溅镀设备10包括：靶座14，系设置于真空容器11内；基板座15，系设置成与靶座14相对向；等离子产生气体引入手段19，系向真空容器11内引入等离子产生气体；电场产生手段161，系在包含靶T之表面的区域产生溅镀用之电场；高频天线配置室182系设置于真空容器11之壁的内面与外面之间，并利用介电体窗183与真空容器11的内部隔开；及高频天线13，系配置高频天线配置室182内，并在包含靶固持手段所固持之靶之表面的区域产生高频感应电场。

    電漿處理裝置
    74.
    发明专利
    電漿處理裝置 审中-公开
    等离子处理设备

    公开(公告)号：TW200939904A

    公开(公告)日：2009-09-16

    申请号：TW097143835

    申请日：2008-11-13

    Applicant: EMD股份有限公司 EMD CORPORATION

    Inventor： 節原裕一 SETSUHARA, YUICHI ,  江部明憲 EBE, AKINORI

    IPC: H05H ,  C23C ,  H01L

    CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/503 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3277

    Abstract: 本發明之目的在於提供一種可高效率地利用所產生之電漿的電漿處理裝置。本發明的電漿處理裝置10,其特徵在於包括:真空容器11;天線(電漿產生手段)支持部12,係設置成向真空容器11的內部空間111突出;以及高頻天線(電漿產生手段)13,係安裝於天線支持部12。藉此,安裝高頻天線之部分的面積變小,電漿的利用效率提高。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种可高效率地利用所产生之等离子的等离子处理设备。本发明的等离子处理设备10,其特征在于包括:真空容器11;天线(等离子产生手段)支持部12,系设置成向真空容器11的内部空间111突出;以及高频天线(等离子产生手段)13,系安装于天线支持部12。借此,安装高频天线之部分的面积变小,等离子的利用效率提高。

    護膜黏貼裝置之護膜加壓機構
    76.
    发明专利
    護膜黏貼裝置之護膜加壓機構 审中-公开
    护膜黏贴设备之护膜加压机构

    公开(公告)号：TW200916948A

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：TW096137539

    申请日：2007-10-05

    Applicant: 旭化成電子股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION ,  松下精機股份有限公司 MATSUSHITA SEIKI CO., LTD.

    Inventor： 川純一 SHIOKAWA, JUN-ICHI ,  高橋秀雄 TAKAHASHI, HIDEO

    IPC: G03F ,  B32B

    Abstract: 在本發明之護膜加壓機構中,即使在護膜加壓板產生彎曲或扭曲,亦可均勻地加壓護膜組合體整體,且可確保良好的接著狀態。護膜黏貼裝置之護膜加壓機構係在遮罩保持機構與和驅動機構連結之護膜加壓機構之間夾持曝光用遮罩及護膜組合體,且以護膜加壓機構之護膜加壓面將護膜組合體之矩形護膜框推壓至曝光用遮罩,以將護膜組合體黏貼於曝光用遮罩。該護膜加壓機構包含:具有護膜加壓面之護膜加壓板;及將驅動機構所產生之加壓力傳達至護膜加壓板之傳達構件。又,在護膜加壓板與傳達構件之間設有緩衝板,且該緩衝板宜使用例如低楊氏係數之矽膠製膠帶等帶狀構件。

    Abstract in simplified Chinese: 在本发明之护膜加压机构中,即使在护膜加压板产生弯曲或扭曲,亦可均匀地加压护膜组合体整体,且可确保良好的接着状态。护膜黏贴设备之护膜加压机构系在遮罩保持机构与和驱动机构链接之护膜加压机构之间夹持曝光用遮罩及护膜组合体,且以护膜加压机构之护膜加压面将护膜组合体之矩形护膜框推压至曝光用遮罩,以将护膜组合体黏贴于曝光用遮罩。该护膜加压机构包含:具有护膜加压面之护膜加压板;及将驱动机构所产生之加压力传达至护膜加压板之传达构件。又,在护膜加压板与传达构件之间设有缓冲板,且该缓冲板宜使用例如低杨氏系数之硅胶制胶带等带状构件。

    感光性樹脂組合物
    77.
    发明专利
    感光性樹脂組合物 审中-公开
    感光性树脂组合物

    公开(公告)号：TW200905400A

    公开(公告)日：2009-02-01

    申请号：TW097111085

    申请日：2008-03-27

    Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

    Inventor： 賴末友裕 YORISUE, TOMOHIRO

    IPC: G03F ,  H01L

    CPC classification number: C08F299/00 ,  C08F290/148 ,  C08F299/08 ,  C08G77/20 ,  C08G77/58 ,  C08G77/70 ,  C09D183/14 ,  G03F7/029 ,  G03F7/0757

    Abstract: 本發明使用一種包含具有苯乙烯基作為感光基之感光性聚矽氧化合物、以及特定結構之光聚合起始劑的感光性樹脂組合物。藉此,提供一種適合用作LSI晶片之緩衝層材料或再配線層之可於空氣中進行光聚合硬化的感光性樹脂組合物,以及使用感光性樹脂組合物之硬化凸紋圖案之形成方法,及具有硬化凸紋圖案之半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明使用一种包含具有苯乙烯基作为感光基之感光性聚硅氧化合物、以及特定结构之光聚合起始剂的感光性树脂组合物。借此,提供一种适合用作LSI芯片之缓冲层材料或再配线层之可于空气中进行光聚合硬化的感光性树脂组合物,以及使用感光性树脂组合物之硬化凸纹图案之形成方法,及具有硬化凸纹图案之半导体设备。

    電漿產生方法、電漿產生裝置及電漿處理裝置 PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA GENERATING APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
    79.
    发明专利
    電漿產生方法、電漿產生裝置及電漿處理裝置 PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA GENERATING APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS 失效
    等离子产生方法、等离子产生设备及等离子处理设备 PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA GENERATING APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

    公开(公告)号：TW200810612A

    公开(公告)日：2008-02-16

    申请号：TW096106218

    申请日：2007-02-16

    Applicant: 日新電機股份有限公司 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. ,  EMD股份有限公司 EMD CORPORATION

    Inventor： 出口洋成 HIROSHIGE DEGUCHI ,  米田均 HITOSHI YONEDA ,  加藤健治 KENJI KATO ,  江部明憲 AKINORI EBE ,  節原裕一 YUICHI SETSUHARA

    IPC: H05H

    CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

    Abstract: 一種使用多數個高頻天線2產生感應耦合電漿之電漿產生方法和裝置,及一種使用該裝置之電漿處理裝置。天線2彼此相同。將高頻電功率施加至天線2係自被裝設成為該等天線2所共用之高頻電源4經由匹配電路5及滙流條3而執行的。將滙流條3劃分為數目等於該等天線之數目的區段,同時將被連接至匹配電路5之一部分設定為參考。經由電力供應線311、321、331,將該等天線之一端部分連接至相應的區段31、32、33。該等天線之另一端部分被接地。調整該滙流條之該等區段的阻抗及該等電力供應線之阻抗,使得相同的電流流過該等天線,且一相同的電壓被施加至該等天線。因此,在均勻化該被供應至該等天線2的高頻電功率之同時,得以產生感應耦合電漿。

    Abstract in simplified Chinese: 一种使用多数个高频天线2产生感应耦合等离子之等离子产生方法和设备,及一种使用该设备之等离子处理设备。天线2彼此相同。将高频电功率施加至天线2系自被装设成为该等天线2所共享之高频电源4经由匹配电路5及汇流条3而运行的。将汇流条3划分为数目等于该等天线之数目的区段,同时将被连接至匹配电路5之一部分设置为参考。经由电力供应线311、321、331,将该等天线之一端部分连接至相应的区段31、32、33。该等天线之另一端部分被接地。调整该汇流条之该等区段的阻抗及该等电力供应线之阻抗,使得相同的电流流过该等天线,且一相同的电压被施加至该等天线。因此,在均匀化该被供应至该等天线2的高频电功率之同时,得以产生感应耦合等离子。

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