含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111458980B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202010072206.0

    申请日:2020-01-21

    Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物,至少含有:下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上,及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此,R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团,R101及R102分别独立地表示碳数1~20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1~20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又,R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1~20的直链状或分支状或环状的2价烃基。

    化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN114924463A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210127488.9

    申请日:2022-02-11

    Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物,含有:(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物,以下式(A1)表示,及(B)基础聚合物,包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。式中,M为硫原子或硒原子。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782934A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011216447.4

    申请日:2020-11-04

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

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