-
-
-
公开(公告)号:CN111458980B
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202010072206.0
申请日:2020-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物,至少含有:下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上,及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此,R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团,R101及R102分别独立地表示碳数1~20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1~20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又,R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1~20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
-
公开(公告)号:CN111440104B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202010046427.0
申请日:2020-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07D307/33 , C07D307/93 , C07D327/06 , C07D333/76 , C07D495/08 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及新颖鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法。本发明的课题是提供一种新颖鎓盐,其是在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极紫外线等高能量射线作为光源的光刻中,高感度且酸扩散小、曝光裕度、掩膜误差因子、线宽粗糙度等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用;并提供含有该鎓盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用了该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种鎓盐,是以下式(1)表示的。
-
-
公开(公告)号:CN110963952B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN201910920497.1
申请日:2019-09-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07C317/12 , C07C25/18 , C07C317/04 , C07C317/08 , C07C317/18 , C07C317/14 , C07C317/24 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D279/20 , C07D335/16 , C07D339/08 , C07D335/12 , C07D333/08 , C07D335/02 , C07D327/06 , C07C211/63 , C07C211/64 , C07D277/10 , C07C215/40 , C07D487/18 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法。提供具有式(1)的新型鎓盐和包含该鎓盐作为猝灭剂的抗蚀剂组合物。当使用高能辐射通过光刻法加工抗蚀剂组合物时,形成抗蚀剂图案,其在LWR和CDU方面得到改善。在式(1)中,R1、R2和R3各自为含有除氟以外的杂原子的C1‑C20一价烃基,Z+为锍、碘鎓或铵阳离子。
-
公开(公告)号:CN114924463A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210127488.9
申请日:2022-02-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物,含有:(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物,以下式(A1)表示,及(B)基础聚合物,包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。式中,M为硫原子或硒原子。
-
公开(公告)号:CN109422672B
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN201810970031.8
申请日:2018-08-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07D333/76 , C08F220/18 , C08F220/32 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 本发明为锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。包含特定结构的锍化合物作为PAG的抗蚀剂组合物具有优异的光刻性能因素,如最小的缺陷、高感光度、改善的LWR和CDU,并且是用于精确微图案化的相当有效的抗蚀剂材料。
-
公开(公告)号:CN112782934A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011216447.4
申请日:2020-11-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-