公开(公告)号：CN113950740A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080038462.6

申请日：2020-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤港 ,  国武宽司 ,  池田隆之

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供作为中继基地的功能而实现小型化的半导体装置。该半导体装置包括运算放大器、与运算放大器的第一输入一侧电连接的第一晶体管和第一电容器，还包括与第二输入一侧电连接的第一电阻器和第二电阻器，第二电阻器与运算放大器的输出一侧电连接，第一晶体管的栅极与第一电源电连接，第一电阻器与第二电源电连接，至少有运算放大器包括的晶体管具有与第一晶体管重叠的区域。

公开(公告)号：CN113875152A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080035144.4

申请日：2020-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田隆之 ,  国武宽司 ,  木村肇 ,  马场晴之

IPC: H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F3/24 ,  H04B1/38 ,  H01L27/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01Q21/00

Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。在具备设置于低电源电位一侧的第一晶体管及设置于高电源电位一侧的第二晶体管的共源共栅电路中，第二晶体管的栅极与第三晶体管的源极或漏极及电容连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的背栅极电连接。作为第三晶体管，使用OS晶体管。

公开(公告)号：CN113767479A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080032977.5

申请日：2020-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  大嶋和晃 ,  津田一树 ,  热海知昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H03K3/03

Abstract: 提供一种根据工作温度的特性不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种以环状连接奇数级的反相器电路的半导体装置，其中反相器电路包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极和漏极中的一方，第一晶体管的源极和漏极中的一方被供应高电源电位，第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接到输出端子out。第二晶体管的栅极电连接到输入端子in，第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到输出端子out，第二晶体管的源极和漏极中的另一方被供应低电源电位。第一晶体管及第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。第一晶体管及第二晶体管都包括背栅极。

公开(公告)号：CN111742408A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980008397.X

申请日：2019-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  长塚修平

IPC: H01L27/06 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种抑制导致特性变动、元件劣化或绝缘破坏的带电现象的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，其中，第四晶体管包括第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体，第一导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第二导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第三导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，并且，第四导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接。

公开(公告)号：CN111656512A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010121.5

申请日：2019-01-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  热海知昭 ,  长塚修平 ,  国武宽司

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种新颖存储装置以及新颖半导体装置。一种在控制电路的上方层叠设置有包括多个存储单元的单元阵列的存储装置，单元阵列按每多个块工作。另外，在控制电路和单元阵列之间包括多个电极。电极设置于每块并与块重叠地设置，各块的电极的电位可以不同。电极被用作包括在存储单元中的晶体管的背栅极，在各块电极的电位不同时，可以改变包括在存储单元中的晶体管的电特性。另外，电极可以降低在控制电路中产生的噪声。

公开(公告)号：CN111542880A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201980007097.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  本田龙之介 ,  热海知昭

IPC: G11C11/4074 ,  G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C11/405 ,  G11C29/50 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种可以取得晶体管的阈值电压的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第一电容器、第一输出端子、第一开关以及第二开关。第一晶体管的栅极与源极电连接。第一电容器的第一端子与源极电连接。第一电容器的第二端子及第一输出端子与第一晶体管的背栅极电连接。第一开关控制向背栅极的第一电压的输入。第一晶体管的漏极被输入第二电压。第二开关控制向源极的第三电压的输入。