公开(公告)号：CN1517753A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001866.0

申请日：2004-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  远藤秋男 ,  荒井康行

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/136 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/14678 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592

Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。

公开(公告)号：CN1385899A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01132999.8

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 一对形成有源矩阵液晶显示器的衬底,它们由具有柔韧性和透明性的树脂构成。一薄膜晶体管有一半导体层,该层形成于已形成在树脂衬底上的树脂薄膜上。形成该树脂层以阻止在薄膜的形成和使树脂衬底表面平面化过程中,在树脂衬底表面上产生齐聚物。

公开(公告)号：CN1346152A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01124907.2

申请日：2001-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司 ,  浅见勇臣 ,  高野圭惠 ,  志知武司 ,  小久保千穗 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78684

Abstract: TFT具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区,所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得,锗的含量不小于0.1原子%但不大于10原子%同时添加金属元素,其中:通过电子背反射衍射图样方法测定时,相对于半导体薄膜的表面,不少于20%的晶格面{101}具有不大于10度的角度,相对于半导体薄膜的表面,不多于3%的晶格面{001}具有不大于10度的角度,以及相对于半导体薄膜的表面,不多于5%的晶格面{111}具有不大于10度的角度。

公开(公告)号：CN1083617C

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN95119479.8

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 一对形成有源矩阵液晶显示器的衬底，它们由具有柔韧性和透明性的树脂构成。一薄膜晶体管有一半导体层，该层形成于已形成在树脂衬底上的树脂薄膜上。形成该树脂层以阻止在薄膜的形成和使树脂衬底表面平面化过程中，在树脂衬底表面上产生齐聚物。

公开(公告)号：CN102422338B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080019425.7

申请日：2010-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本知广 ,  荒井康行 ,  川俣郁子 ,  宫口厚 ,  守屋芳隆

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H05K1/189 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/167 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04102 ,  G09G3/2096 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G5/003 ,  G09G5/39 ,  G09G2300/0421 ,  G09G2300/0478 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H05K2201/10128

Abstract: 显示设备包括：柔性显示面板(4311)，其包括显示部分(4301)，其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分(4308)，用于支撑柔性显示面板(4311)的端部；信号线驱动电路(4323)，用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路(4321a，4321b)，用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。

公开(公告)号：CN103872043A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410116654.0

申请日：2009-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种显示设备包括：形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线；形成于第一布线之上的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层；以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中，第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的，并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的，使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。

公开(公告)号：CN102915696A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210385103.5

申请日：2006-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  梅崎敦司 ,  吉田泰则 ,  肉戸英明 ,  君岛卓也 ,  荒井康行

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/006 ,  G09G3/20 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0272 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0295 ,  G09G2320/046 ,  G09G2320/048 ,  G09G2330/022 ,  G09G2340/145

Abstract: 本发明涉及显示装置。在诸如有机EL元件的显示元件中，由于发光而逐渐退化，并且即使向显示元件施加相同的电压，发光亮度也会降低。因此，超时使用引起每个像素亮度的变化，从而发生所谓“图像烧灼”的现象。在这些因素下，本发明提供了可以降低每个像素中显示元件的退化差异并且减轻像素中显示元件的发光变化的显示装置。防止了只有特定的像素具有长的累积发光时间。为此，改变显示图案的灰度以防止像素中显示元件的退化差异增加。或者，防止特定的显示图案被固定显示在特定区域中。再或者，使退化滞后的像素退化，从而使像素的累积发光时间彼此相等。

公开(公告)号：CN101210723B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200710300498.3

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  荒井康行

IPC: F24F7/08 ,  F24F11/04 ,  E04H1/00

CPC classification number: B01D46/442 ,  B01D46/46 ,  Y10S55/34

Abstract: 本发明的目的在于在进入建筑物之前除去附着在身体上的花粉等的粉尘，以保持居室内的洁净。此外，本发明的目的在于经济地提供除去花粉等过敏源物质的服务。本发明之一是一种防止成为花粉过敏症的原因的过敏源物质通过外来体被带入人居住或活动的生活空间的空气吹淋装置。该空气吹淋装置包括：吸入外界空气的引入单元；将引入了的空气以一定的风量送风的送风机；具有从被送风的空气中除去包含花粉的粉尘来进行洁净化的过滤器的送风单元；以及从由具有送风单元的空气吹淋室排放的空气中聚集包含花粉的粉尘的集尘单元。另外，所述空气吹淋装置还配备有根据飞散在外界空气中的花粉量而控制送风机的送风量的风量控制单元。

公开(公告)号：CN1917220B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200610139856.2

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  荒井康行

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384

Abstract: 制造半导体器件的方法，通过使用很少数目的光掩膜，得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中，使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜，在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中，在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中，还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中，在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。

公开(公告)号：CN101599502B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910139562.3

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  荒井康行

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/504 ,  G02F1/133604 ,  H01L27/3237 ,  H01L33/382 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。