公开(公告)号：CN101409223B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200810169890.3

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  志知武司 ,  铃木直树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明的目的在于根据被要求的功能控制晶体管的电特性，而实现半导体装置的高性能化及低耗电化。另外，本发明的目的还在于高成品率及高生产率地制造这种半导体装置，而不使其制造工序复杂化。在从半导体衬底分离晶体管的半导体层并转载到具有绝缘表面的衬底的支撑衬底之前，对半导体衬底添加为了控制包含在半导体装置中的晶体管的阈值电压并赋予一导电类型的杂质元素。

公开(公告)号：CN101409223A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810169890.3

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  志知武司 ,  铃木直树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明的目的在于根据被要求的功能控制晶体管的电特性，而实现半导体装置的高性能化及低耗电化。另外，本发明的目的还在于高成品率及高生产率地制造这种半导体装置，而不使其制造工序复杂化。在从半导体衬底分离晶体管的半导体层并转载到具有绝缘表面的衬底的支撑衬底之前，对半导体衬底添加为了控制包含在半导体装置中的晶体管的阈值电压并赋予一导电类型的杂质元素。

公开(公告)号：CN1346152A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01124907.2

申请日：2001-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司 ,  浅见勇臣 ,  高野圭惠 ,  志知武司 ,  小久保千穗 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78684

Abstract: TFT具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区,所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得,锗的含量不小于0.1原子%但不大于10原子%同时添加金属元素,其中:通过电子背反射衍射图样方法测定时,相对于半导体薄膜的表面,不少于20%的晶格面{101}具有不大于10度的角度,相对于半导体薄膜的表面,不多于3%的晶格面{001}具有不大于10度的角度,以及相对于半导体薄膜的表面,不多于5%的晶格面{111}具有不大于10度的角度。