公开(公告)号：CN1346152A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01124907.2

申请日：2001-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司 ,  浅见勇臣 ,  高野圭惠 ,  志知武司 ,  小久保千穗 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78684

Abstract: TFT具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区,所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得,锗的含量不小于0.1原子%但不大于10原子%同时添加金属元素,其中:通过电子背反射衍射图样方法测定时,相对于半导体薄膜的表面,不少于20%的晶格面{101}具有不大于10度的角度,相对于半导体薄膜的表面,不多于3%的晶格面{001}具有不大于10度的角度,以及相对于半导体薄膜的表面,不多于5%的晶格面{111}具有不大于10度的角度。

公开(公告)号：CN1828970B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200610006615.0

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 一种制造半导体器件的方法当激光束照射到半导体薄膜上时，在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此，半导体薄膜收缩，从而在薄膜中生成翘曲。所以，得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明，其特征在于，激光束在半导体薄膜上进行晶化后，实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩，减少了半导体薄膜中的翘曲，于是半导体薄膜的物理性质得到改善。

公开(公告)号：CN1373503A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN02106558.6

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66757

Abstract: 当激光束照射到半导体薄膜上时,在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此,半导体薄膜收缩,从而在薄膜中生成翘曲。所以,得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明,其特征在于,激光束在半导体薄膜上进行晶化后,实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩,减少了半导体薄膜中的翘曲,于是半导体薄膜的物理性质得到改善。

公开(公告)号：CN100592481C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710006745.9

申请日：2002-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。

公开(公告)号：CN101005039A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710006745.9

申请日：2002-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。

公开(公告)号：CN1828970A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006615.0

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 当激光束照射到半导体薄膜上时，在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此，半导体薄膜收缩，从而在薄膜中生成翘曲。所以，得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明，其特征在于，激光束在半导体薄膜上进行晶化后，实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩，减少了半导体薄膜中的翘曲，于是半导体薄膜的物理性质得到改善。

公开(公告)号：CN1307695C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN02105132.1

申请日：2002-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。

公开(公告)号：CN1294619C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02140930.7

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提高结晶半导体薄膜的取向比，这种半导体薄膜是通过让非晶半导体薄膜结晶，同时将玻璃这种不太耐热的材料用作基底获得的，从而利用结晶半导体薄膜提供跟单晶器件具有同样高质量的半导体器件。在基底上形成第一层结晶半导体薄膜和第二层结晶半导体薄膜，它们一起构成一层结晶半导体。第一层和第二层结晶半导体薄膜是具有多个晶粒聚集在一起的多晶体。

公开(公告)号：CN1248295C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02106558.6

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66757

Abstract: 当激光束照射到半导体薄膜上时，在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此，半导体薄膜收缩，从而在薄膜中生成翘曲。所以，得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明，其特征在于，激光束在半导体薄膜上进行晶化后，实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩，减少了半导体薄膜中的翘曲，于是半导体薄膜的物理性质得到改善。

公开(公告)号：CN1396626A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02140930.7

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提高结晶半导体薄膜的取向比，这种半导体薄膜是通过让非晶半导体薄膜结晶，同时将玻璃这种不太耐热的材料用作基底获得的，从而利用结晶半导体薄膜提供跟单晶器件具有同样高质量的半导体器件。在基底上形成第一层结晶半导体薄膜和第二层结晶半导体薄膜，它们一起构成一层结晶半导体。第一层和第二层结晶半导体薄膜是具有多个晶粒聚集在一起的多晶体。