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公开(公告)号：KR1020150093874A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140013957
申请日：2014-02-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01M4/02 , H01M2/16 , H01M4/13 , H01M4/136 , H01M2004/021
Abstract: 리튬-황 이차전지용 전극 구조물은 금속 박막, 상기 금속 박막 상에 형성되며, 나노 크기의 패턴이 상부에 형성된 황코팅층 및 상기 황코팅층 상에 형성되며, 상기 황코팅층에 포함된 황의 전해질로의 확산을 억제하는 이온 교환막을 포함한다. 이로써 리튬-황 이차전지용 전극 구조물이 리튬-황 이차전지의 효율이 개선될 수 있다.
Abstract translation: 锂 - 硫二次电池的电极结构包括：金属薄膜; 形成在金属薄膜上的硫涂层，其上部形成有纳米尺寸图案; 以及形成在硫涂层上的离子交换膜，并且包含在硫涂层中的硫的抑制剂扩散到电解质中。 因此，锂 - 硫二次电池的电极结构可以提高锂 - 硫二次电池的效率。
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公开(公告)号：KR101497817B1
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：KR1020130080951
申请日：2013-07-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원
IPC: F24J2/48
CPC classification number: H01L31/054 , F24S70/20 , Y02E10/40 , Y02E10/52
Abstract: 태양 복사에너지 흡수체는 금속 플레이트, 상기 금속 플레이트 상부에 배치되며, 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들 및 상기 금속 플레이트 및 상기 도전성 나노 패턴들 사이에 개재되며, 유전 물질로 이루어진 적어도 하나의 유전체 박막을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140120603A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130036587
申请日：2013-04-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 알루미늄 표면 처리 방법에 있어서, 식각액 및 상기 식각액 내에 이온화 가능한 금속을 포함하는 금속 전구체를 포함하는 용액을 준비한다. 이후, 상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑하여 상기 알루미늄 기재의 표면을 무전해 식각하는 동시에 상기 표면에 상기 금속을 무전해 증착함으로써 상기 알루미늄 기재의 표면 거칠기를 증가시킨다.
Abstract translation: 在处理铝表面的方法中，制备蚀刻溶液和包含在蚀刻溶液中电离的包含金属的金属前体的溶液。 然后，将铝基浸渍在溶液中以将金属无电沉积在表面上，同时无电蚀刻铝基材的表面，从而增加铝基材的表面粗糙度。
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公开(公告)号：KR101436743B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130070693
申请日：2013-06-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: According to the present invention, a manufacturing method of a vertical light emitting diode includes the steps of: preparing a substrate; forming a compound semiconductor structure that includes a first semiconductor layer in a first conductive type, an active layer, and a second semiconductor layer in a second conductive type on the substrate; transferring a resist pattern having a submicron size or less on the second semiconductor layer; and forming a concave-convex pattern on the second semiconductor layer by performing an anisotropic etching process on the upper surface of the second semiconductor using the resist pattern as an etching mask.
Abstract translation: 根据本发明，垂直发光二极管的制造方法包括以下步骤：制备衬底; 形成化合物半导体结构，所述化合物半导体结构包括在所述基板上的第二导电类型的第一导电类型，有源层和第二半导体层中的第一半导体层; 在所述第二半导体层上转印具有亚微米尺寸以下的抗蚀剂图案; 以及通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模在第二半导体的上表面上进行各向异性蚀刻处理，在第二半导体层上形成凹凸图案。
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公开(公告)号：KR101367530B1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020110137443
申请日：2011-12-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 복합기능 광학필름이 개시된다. 복합기능 광학필름은 투명 베이스층, 복수의 선형 패턴들 및 투명 기능층을 포함한다. 선형 패턴들은 투명 베이스층의 일면으로부터 돌출된다. 투명 기능층은 불투명 선형 패턴들을 덮도록 베이스층의 일면 상에 위치하고, 반사방지 돌기 패턴 또는 방오 돌기 패턴이 형성된 표면을 구비한다. 이러한 복합기능 광학필름은 정보 보호 기능뿐만 반사 방지 또는 방오 기능도 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101337027B1
公开(公告)日：2013-12-06
申请号：KR1020110138798
申请日：2011-12-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 그래핀 구조물의 제조 방법에 있어서, 베이스부 및 상기 베이스부의 일면으로부터 부분적으로 돌출된 돌출부를 갖도록 제1 패턴이 형성된 그라파이트화 촉매막 패턴을 준비한다. 상기 그라파이트화 촉매막 패턴 상에 탄소계 물질을 공급하여, 상기 그라파이트화 촉매막 패턴 상에 상기 베이스부 및 상기 돌출부를 따라 컨포멀하게 그래핀막을 형성한다. 따라서, 삼차원 구조를 갖는 그래핀막이 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101172194B1
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：KR1020100097489
申请日：2010-10-06
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/048
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 태양전지 모듈 보호 필름이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈 보호 필름은 후면 시트, 상기 후면 시트 상에 배치되는 적어도 하나의 태양전지 셀 및 상기 태양전지 셀 상에 배치되며 광이 입사되는 전면 시트를 포함하는 태양전지 모듈을 보호하기 위한 태양전지 모듈 보호 필름으로서, 상기 태양전지 모듈 보호 필름은, 상기 전면 시트에 부착되는 제1 면; 및 상기 제1 면의 반대 면으로서 요철 패턴이 형성되는 제2 면을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101156225B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020100114321
申请日：2010-11-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/66 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/0404
Abstract: 본 발명은 리튬이 전착된 실리콘 리튬 이차전지용 음극 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 마이크로 사이즈로 패턴화된 실리콘 기판에 금속으로 전도성을 부여한 음극 집전체의 움푹 들어간 철부에만 음극 활물질로써 리튬을 전착시켜 전지의 충?방전시 덴드라이트 성장을 실리콘 기판의 철부의 내부에 최소화시켜 리튬 이차전지에 사용 가능한 음극 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 음극을 리튬 이차전지의 음극 소재로 사용하여 구성된 이차전지는 리튬을 직접 음극 소재에 사용함에도 불구하고, 100회 충?방전 후에도 리튬 표면의 덴드라이트 성장이 마이크로 사이즈의 요철의 철부로만 억제되어 기존 탄소/LCO 이차전지에 비해 용량이 향상된 리튬 이차전지를 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101103484B1
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR1020100075965
申请日：2010-08-06
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/0002 , G03F7/2012
Abstract: PURPOSE: A roll stamp manufacturing method is provided to fundamentally block joint part generation between patterns, thereby preventing inaccurate formation of a desired pattern in a pattern formation process. CONSTITUTION: A material layer which is comprised of a predetermined material is arranged on the surface of a cylindrical roll. A metal layer(300) is arranged on the material layer. A mask layer(310) is arranged by anodizing the metal layer. The material layer is etched using the mask layer as a mask. The material layer is transformed to a pattern layer(210).
Abstract translation: 目的：提供一种卷印制造方法，从根本上阻止图案之间的连接部分生成，从而防止在图案形成处理中不期望的图案的形成。 构成：将由预定材料构成的材料层设置在圆筒形辊的表面上。 金属层（300）布置在材料层上。 通过对金属层进行阳极氧化来设置掩模层（310）。 使用掩模层作为掩模蚀刻材料层。 材料层被转换成图案层（210）。
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80.发明授权3차원 임프린트 및 리프트 오프 공정을 이용한 교차형 상변환 소자 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 교차형 상변환 소자 有权使用三维印记和剥离工艺的交叉型相变装置的制造方法和通过该方法制造的交叉型相变装置
公开(公告)号：KR101089396B1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020090048612
申请日：2009-06-02
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 3차원 임프린트 및 리프트 오프 공정을 이용한 교차형 상변환 소자 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 교차형 상변환 소자에 대한 것으로, (a)하부로부터 제1절연체 - 하부전극용 제1도전체 - 제2절연체를 포함하는 기판 상에 레지스트를 도포하는 단계; (b)표면에 3차원 패턴이 형성된 스탬프로 상기 기판을 임프린트하여, 상기 기판의 제2절연체 표면을 기준으로 중앙부분이 좌우부분보다 낮고, 좌우부분이 상하부분보다 낮으며, 상하부분을 둘러싸는 가장자리는 레지스트가 제거되는 형태의 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c)상기 레지스트를 마스크로 하여, 레지스트가 제거된 상하부분의 가장자리를 식각하는 단계; (d)반응성 이온 식각(RIE) 공정을 이용하여, 중앙부분의 레지스트를 제거하는 단계; (e)상기 RIE 공정에 의해 노출되는 중앙부분의 제2절연체를 식각하는 단계; (f)좌우부분의 제2절연체가 노출될 때까지 레지스트를 식각하는 단계; (g)상변환 물질 및 상부전극용 제2도전체를 순차적으로 증착하는 단계; (h)리프트 오프 공정을 이용하여 레지스트 및 상기 레지스트 상부에 증착된 물질들을 제거하는 단계; 및 (i)상기 리프트 오프 공정에 의해 노출되는 상하부분의 제2절연체를 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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