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公开(公告)号：KR2019960024081U
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR2019940033713
申请日：1994-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정희
IPC: F25D11/00
Abstract: 본고안은냉장고에서냉동싸이클을형성하는응축기에관한것으로서, 압축기에서고온고압으로압축된기체냉매를응축시키는주 및보조응축기와, 상기보조응축기에접속된유입관을갖춘냉장고에있어서, 상기유입관(20a)은제1고정판(24)에용접수단으로고정된적어도일개소의용접부(28)와, 상기보조응축기(20)를장착시킨제2고정판(26)의일측에형성된고정편(26a)에의해고정된것으로보조응축기내로냉매를공급하는유입관의형상을정형화함과동시에용접부및 방진부재의개수를최소화함으로써작업시간을현저하게단축시킴과동시에생산성을향상시킬수 있으며, 특히유입관의상측이제2고정판에형성된고정편내에고정설치됨에따라냉매의순환에따른진동및 소음의발생을최소화하여정숙한운전이가능케되는것이다.
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公开(公告)号：KR2019950033951U
公开(公告)日：1995-12-18
申请号：KR2019940012514
申请日：1994-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정희
IPC: F25D17/08
Abstract: 본고안은냉장고에관한것이다. 내부에공기를냉각시키는증발기가설치되는냉각실과, 이냉각실과격리되게설치되며그 내부의공기가상기냉각실로유출되도록유출구를구비하는저온실과, 증발기를사이에두고유출구의반대측에설치되며증발기에의해냉각된공기를흡입하여저온실로공급하도록구동되는팬을구비하여된 냉장고에있어서, 냉각실과유출구사이의공기유동경로를선택적으로차단하기위한차단수단을대비하여된 것을특징으로하는본 고안의냉장고는팬의작동이멈추어질때, 냉각실내부의공기가외부로유출되는것을방지할수 있도록되어있으므로, 에너지의낭비를억제할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940020073A
公开(公告)日：1994-09-15
申请号：KR1019930002848
申请日：1993-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정희
IPC: F25D17/06
Abstract: 본 발명은 냉장고의 냉동ㆍ냉장실의 고내온도가 소정의 온도에 도달하여 압축기의 구동정지시 증발기의 냉기를 냉장실로 순환시켜 냉장실의 고내온도를 소정의 온도로 유지할 수 있도록 한 것으로, 냉장고의 냉동ㆍ냉장실에 증발기로부터 냉기를 닥트팬모터구동으로 냉동실닥트를 통해 냉기를 공급하여 냉각하는 냉장고의 냉장실 온도유지장치에 있어서, 상기 냉동실닥트상에 냉동실냉기흐름을 차단하는 냉기차단판을 구비하여 냉동ㆍ냉장실의 온도가 소정의 온도에 도달하면 냉동실로 증발기의 냉기유입을 차단하고, 냉장실로만 유입되게하여 냉장실의 신선도유지 및 재기동시 부하를 적게하여 냉동능력을 향상시키도록 한 것임.
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公开(公告)号：KR101900853B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020120038266
申请日：2012-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1683
Abstract: 본발명은가변저항메모리장치및 이의제조방법을제공한다. 이장치에서는상부전극이가변저항패턴의상부면과측면과접하도록형성되므로, 상부전극과가변저항패턴사이의접촉면적이증가된다. 이로써가변저항메모리장치의신뢰성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170100224A
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020160022507
申请日：2016-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 가변저항메모리장치는선택패턴, 선택패턴의제1 면과접촉하는중간전극, 중간전극에대해선택패턴과대향하는가변저항패턴, 및선택패턴의제1 면과대향하는제2 면과접촉하며 n형반도체물질을포함하는제1 전극을포함한다.
Abstract translation: 的电阻可变存储器件是一个选择模式，在与所选择的模式，所选择的模式过度相对于面向所述可变电阻图案的中间电极的第一表面接触的中间电极，以及在与面对过的第二表面接触所选择的图案的第一表面，和n型半导体 和包含材料的第一电极。
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公开(公告)号：KR1020160149101A
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020150086174
申请日：2015-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/225 , H01L21/28 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/743 , H01L21/76897 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L29/4236 , H01L29/78
Abstract: 반도체소자제조방법은기판상에도핑된폴리실리콘층을형성하는단계와, 도핑된폴리실리콘층상에배리어층을형성하는단계와, 배리어층의표면을산화시켜산화배리어층을형성하는단계와, 산화배리어층상에금속층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成掺杂多晶硅层，在掺杂多晶硅层上形成阻挡层，通过氧化势垒层表面形成氧化阻挡层，并在氧化势垒上形成金属层 层。
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