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公开(公告)号：KR1020010036218A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990043128
申请日：1999-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W52/58 , H04B2201/70709 , H04W52/16 , H04W52/44 , H04W52/56
Abstract: PURPOSE: A CDMA communication system is provided to minimize time amount taken during a synchronous re-capture in a base station in a control only sub-state of a mobile communication system while minimizing an interrupt increase by the transmission of an up-link DPCCH channel and an interrupt increase by an up-link power control bit transmission into a downlink link. CONSTITUTION: In a CDMA communication system, a mobile station regulates and transmits an up-link dedicated control channel signal by same unit as a slot unit in a control only sub-state. A base station includes a gated transmission controller(141) which regulates and transmits a downlink dedicated control channel signal in a power control group promised with the mobile station in the control only sub-state. The gated transmission controller regulates signals of the up-link dedicated control channel depending on an up-link gated transmission pattern formed regularly within the respective frame period.
Abstract translation: 目的：提供一种CDMA通信系统，以便在移动通信系统的仅控制子状态中的基站中的同步重新捕获期间的时间量最小化，同时通过上行链路DPCCH信道的传输最小化中断增加 并且通过上行链路功率控制位传输到下行链路链路中的中断增加。 构成：在CDMA通信系统中，移动台通过与仅控制子状态的时隙单位相同的单位来调制发送上行专用控制信道信号。 基站包括门控传输控制器（141），该控制传输控制器（141）在仅在仅控制子状态中的移动台中承诺的功率控制组中对下行链路专用控制信道信号进行调制和发送。 门控传输控制器根据在相应帧周期内规则形成的上行链路门控传输模式来调节上行链路专用控制信道的信号。
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公开(公告)号：KR1020000056180A
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019990005263
申请日：1999-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/216
CPC classification number: H04W52/283 , H04W36/0094 , H04W52/12 , H04W52/288 , H04W52/362 , H04W52/44
Abstract: PURPOSE: An apparatus of controlling power for handoffs of frequencies in a code division multiple access(CDMA) communication system is provided to reduce interferences caused by an excessive transmission power, by controlling a regular power in a frame section including a transmission-intercepting section when the handoffs are performed between the frequencies. CONSTITUTION: An apparatus of controlling power for handoffs of frequencies in a base station of a code division multiple access(CDMA) communication system, comprises a power control command generator, a channel transmitter, a power control processor(114), gain controllers(100), and a radio frequency(RF) transmitter. The power control command generator compares a terminal signal with a preset power control reference value, and generates a power control command. The power control command generator changes the power control reference value to generate a power control command, when a frame having a transmission-intercepting section is received. The channel transmitter generates transmitting frame data and includes the power control commands. The power control processor decides a frame transmission power including the transmission-intercepting section for the handoffs. The gain controller controls a transmission power of a signal output from the channel transmitter by the decided transmission power. The RF transmitter modulates a gain-controlled signal into a transmission frequency to transmit the frequency.
Abstract translation: 目的：提供一种在码分多址（CDMA）通信系统中控制频率切换的功率的装置，以通过在包括传输截断部分的帧部分中控制正常功率来减少由过大的发射功率引起的干扰， 在频率之间进行切换。 构成：一种控制码分多址（CDMA）通信系统的基站中的频率切换功率的装置，包括功率控制命令发生器，信道发射机，功率控制处理器（114），增益控制器（100） ）和射频（RF）发射机。 功率控制指令发生器将终端信号与预设的功率控制参考值进行比较，并产生功率控制命令。 当接收到具有传输截取部分的帧时，功率控制命令发生器改变功率控制参考值以产生功率控制命令。 信道发射机产生发送帧数据并包括功率控制命令。 功率控制处理器决定包括用于切换的传输截取部分的帧发送功率。 增益控制器控制从信道发射机输出的信号的传输功率决定的传输功率。 RF发射机将增益控制信号调制成传输频率以传输频率。
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公开(公告)号：KR1020000022745A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019990034719
申请日：1999-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03M13/00
CPC classification number: H03M13/2771 , H03M13/2792
Abstract: PURPOSE: A device and method for inserting prescribed bit into channel encoder is provided to perform the channel encoding function by using a frame having zero tail biting effect. CONSTITUTION: A device and method for inserting prescribed bit into channel encoder comprises a bit inserter(310), a first component encoder(320), an interleaver(330), a second component encoder(340) and a multiplexor(350). The bit inserter inserts at least one particular bit into last position of an information bit column applied into the first encoder. The first encoder encodes the information bits to generate a first parity symbol. The interleaver is interleaving the information bits. The second encoder encodes the interleave information bits to generate a second parity symbol. The multiplexor multiplexes the outputs of the bit inserter, the first and second encoders.
Abstract translation: 目的：提供用于将指定位插入通道编码器的装置和方法，以通过使用具有零尾咬效果的帧来执行信道编码功能。 构成：用于将规定位插入信道编码器的装置和方法包括位插入器（310），第一分量编码器（320），交织器（330），第二分量编码器（340）和多路复用器（350）。 位插入器将至少一个特定位插入应用于第一编码器的信息位列的最后位置。 第一编码器对信息比特进行编码以产生第一奇偶校验符号。 交织器交织信息比特。 第二编码器对交织信息比特进行编码以产生第二奇偶校验符号。 多路复用器复用比特插入器，第一和第二编码器的输出。
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公开(公告)号：KR1019990080592A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980013957
申请日：1998-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/15
Abstract: 연판정 반복 복호를 하는 채널 부호화 및 복호화 장치에 관한 것으로, 특히 터보 부호와 같이 아주 간단한 부호화기를 사용하고 복호시 반복 복호를 함으로써 아주 뛰어난 성능을 가지는 채널 부호화기에 관한 것이다.
상기의 채널 부호/복호 방법은 입력되는 사용자 데이터의 등급, 서비스의 종류 등 사용자 서비스의 특성 및 전송 채널의 상태을 분석하고 이에 최적의 반복 복호 횟수를 설정한 후, 상기 설정된 횟수에 따라 반복 복호하는 과정을 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1019990012976A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970036558
申请日：1997-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10 , H01L27/105
Abstract: 저온 처리로 안정화되는 금속 산화막으로 구성된 완충막을 포함하는 반도체 집적 회로 장치에 대해 개시한다. 상기 금속 산화막으로는 알루미늄 산화막이 사용된다. 상기 금속 산화막으로 구성된 완충막은 고유전체 물질을 포함하는 막과 절연막 사이에 형성되어 고유전체 물질을 포함하는 막과 절연막간의 상호작용을 방지한다. 또한 상기 금속 산화막으로 이루어진 완충막은 금속막과 실리콘을 포함하는 막 사이에 형성되어 장벽막으로 작용한다. 상기 반도체 집적 회로 장치를 제조하는데 적합한 방법 또한 제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990012246A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970035587
申请日：1997-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 삼원 화합물로 이루어진 배리어막을 콘택홀 내에 매립함으로써 산소의 확산을 완전히 차단할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 콘택홀을 매립하는 물질층 및 상기 물질층의 상부에 하부전극, 고유전막 및 하부전극이 순차 적층된 커패시터를 구비하는 반도체 장치에 있어서, 상기 콘택홀을 매립하는 물질층이 원자층 증착법에 의해 형성되는 삼원 화합물로 이루어지며, 상기 하부전극의 아래에 접하여 구비되는 배리어막을 포함한다. 상기 배리어막을 구성하는 삼원 화합물은 TiSiN, TiBN, WSiN, 또는 WBN으로 이루어진다. 상기 TiSiN으로 이루어진 배리어막은 TiN 원자층과 Si 원자층이 교대로 반복하여 적층된 구조이거나, 또는 TiN 원자층과 열분해 증착된 Si
3 N
4 층이 교대로 반복하여 적층된 구조이다.-
公开(公告)号：KR1019960006430B1
公开(公告)日：1996-05-15
申请号：KR1019890020735
申请日：1989-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: The method of fabricating a semiconductor device includes the steps of forming a second conductive doping region(19) in a predetermined portion of a first conductive semiconductor substrate(11), forming an insulating layer(21) on the substrate and selectively etching it to form a contact hole(23) to expose the doping region, forming at least two layers of barrier layers(25,27) on the substrate including the insulating layer, ion-implanting into the barrier layers to make them in amorphous state and carrying out heat treatment, and forming a metal layer(29) on the barrier layers.
Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在第一导电半导体衬底（11）的预定部分中形成第二导电掺杂区域（19），在衬底上形成绝缘层（21）并选择性地蚀刻以形成 接触孔（23）以暴露掺杂区域，在包括绝缘层的衬底上形成至少两层阻挡层（25,27），离子注入到阻挡层中以使其处于非晶状态并进行热 处理，并在阻挡层上形成金属层（29）。
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公开(公告)号：KR1019960000367B1
公开(公告)日：1996-01-05
申请号：KR1019920013274
申请日：1992-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박창수
IPC: H01L21/28
Abstract: forming insulating film having a contact part on a semiconductor substrate; forming the first metal layer on a lower film exposed to the inner contact part and the contact at a temperature of less than two hundred centigrades; forming a metal plug in th contact part by fusing the first metal layer; forming the second metal layer at front side of the semiconductor substrate where the metal plug is formed; heat processing the second metal layer.
Abstract translation: 在半导体衬底上形成具有接触部分的绝缘膜; 在低于二百度的温度下在暴露于内部接触部分和接触部的下部薄膜上形成第一金属层; 通过熔融第一金属层在接触部分中形成金属塞; 在形成有金属塞的半导体基板的正面形成第二金属层; 热处理第二金属层。
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公开(公告)号：KR1019940010194A
公开(公告)日：1994-05-24
申请号：KR1019920018178
申请日：1992-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박창수
IPC: H01L21/28
Abstract: 반도체 장치의 배선층 형성방법이 개시되어 있다. 불순물 확산영역이 형성된 반도체 기판상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막에 반도체기판의 불순물 확산영역을 노출하는 접촉구를 제공하고, 상기 접촉구의 내면 및 상기 접촉구에 의해 노출된 반도체 기판의 표면상에 확산 방지막을 형성하고, 진공 챔버에서 450℃ 내지 650℃의 온도에서, 일정한 시간동안 상기 확산 방지막을 열처리한다. 접촉 저항값이 확산층의 종류와 무관하게 크게 낮아졌고 균일성도 5%이하로 되어 균일성 개선도 현저하다.
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公开(公告)号：KR1019940002951A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019920013274
申请日：1992-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박창수
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 배선층 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 콘택트 홀을 갖는 절연막을 형성하는 공정, 상기 콘택트 홀 내면, 및 상기 콘택트 홀에 노출된 하지막상에만 1차금속층을 형성하는공정, 및 상기 1차금속층을 용융시켜 상기 콘택트 홀내에 금속플러그를 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명의 방법은, 1차적으로 알루미늄 플러그를 형성한 후 상기 알루미늄 플러그위에 또 다른 알루미늄막을 증착하여 열처리함으로써, 콘택트 홀 내부률 알루미늄막으로만 완전히 매몰시킬 수 있다.
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