반도체 메모리 소자
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020060105819A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:KR1020050028246

    申请日:2005-04-04

    Abstract: 보다 효과적으로 외부 전원을 필터링할 수 있는 반도체 메모리 소자가 제공된다. 반도체 메모리 소자는 퓨즈 영역의 반도체 기판 상에 형성되며, 외부 전원을 필터링하여 셀 영역으로 제공하는 캐패시터, 캐패시터를 매립하는 다층의 층간 절연막 및 캐패시터 상부에 위치하며 다층의 층간 절연막 내에 형성되어 불량셀 발생시 단선되는 퓨즈를 포함한다.
    퓨즈, 캐패시터, 집적도

    동기 누적 구간을 차별화하여 주파수 오프셋을 검출하는장치 및 그 제어 방법
    72.
    发明公开
    동기 누적 구간을 차별화하여 주파수 오프셋을 검출하는장치 및 그 제어 방법 有权
    通过相互整合尺寸和其控制方法之间的分离来检测频率偏移的装置

    公开(公告)号:KR1020040066449A

    公开(公告)日:2004-07-27

    申请号:KR1020030003513

    申请日:2003-01-18

    Inventor: 박수진 임채만

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for detecting a frequency offset by making a distinction between coherent integration size and a controlling method thereof are provided to improve the stability by applying different coherent integration size to a capturing operation and a tracking operation. CONSTITUTION: An apparatus for detecting a frequency offset by making a distinction between coherent integration size includes a receiver, a frequency offset detector, and a controller. The receiver receives a reference channel signal and accumulates the received reference channel signal according to a predetermined control operation during a symbol period. The frequency offset detector(770) receives the accumulated reference channel signals and detects a receiving frequency offset. The controller(700) controls the number of accumulated symbols.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过区分相干积分尺寸及其控制方法来检测频率偏移的装置,以通过对拍摄操作和跟踪操作应用不同的相干整合尺寸来提高稳定性。 构成:通过区分相干积分尺寸来检测频率偏移的装置包括接收机,频率偏移检测器和控制器。 接收机接收参考信道信号,并且在符号周期期间根据预定的控制操作累加接收的参考信道信号。 频率偏移检测器(770)接收累积的参考信道信号并检测接收频率偏移。 控制器(700)控制累积符号的数量。

    발광 소자와 이를 포함한 표시 장치

    公开(公告)号:KR102217328B1

    公开(公告)日:2021-02-18

    申请号:KR1020190086535

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 서로마주보는제1 전극과제2 전극, 상기제1 전극과상기제2 전극사이에배치되고양자점을포함하는발광층, 그리고상기발광층과상기제2 전극사이에위치하고나노입자및 유기저분자화합물 (organic small molecular compound)을포함하는전자보조층을포함하는발광소자및 이를포함하는표시소자에대한것이다. 상기나노입자는, 아연을포함하는금속산화물을포함하고, 상기유기저분자화합물은, 탄소를포함하고상기유기저분자화합물의전자이동도는, 상기나노입자의전자이동도보다작다.

    비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 비휘발성 메모리 장치
    76.
    发明授权
    비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 비휘발성 메모리 장치 有权
    因此,非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法

    公开(公告)号:KR101692364B1

    公开(公告)日:2017-01-05

    申请号:KR1020100113349

    申请日:2010-11-15

    Abstract: 비휘발성메모리장치의제조방법및 그에의해제조된비휘발성메모리장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른비휘발성메모리장치의제조방법은, 복수의트렌치에의해활성영역이정의된기판을제공하고, 복수의트렌치를포함하는기판상에제1 소자분리막을형성하고, 제1 소자분리막상에희생층을형성하여트렌치를매립하되, 희생층은트렌치의하부영역을매립하는제1 영역과, 하부영역이외의영역을매립하는제2 영역을포함하고, 희생층의제2 영역을제거하고, 제1 소자분리막및 희생층의제1 영역상에제2 소자분리막을형성하고, 희생층의제1 영역을제거하여트렌치내에에어갭을형성하고, 에어갭을유지하며제1 소자분리막의일부및 제2 소자분리막의일부를제거하는것을포함한다.

    Abstract translation: 一种制造非易失性存储器件的方法包括提供具有由多个沟槽限定的有源区的衬底,在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层,在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽, 所述牺牲层包括填充所述沟槽的下部的第一区域和除所述下部以外的第二区域填充部分,去除所述牺牲层的所述第二区域,在所述第一隔离层上形成第二隔离层和在所述第一隔离层的所述第一区域 牺牲层,通过去除牺牲层的第一区域在沟槽中形成气隙,以及在保持气隙的同时去除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

    디지털 영상 처리 방법
    80.
    发明授权
    디지털 영상 처리 방법 有权
    数字图像处理方法

    公开(公告)号:KR101156676B1

    公开(公告)日:2012-06-14

    申请号:KR1020050071397

    申请日:2005-08-04

    Inventor: 박수진

    Abstract: 본 발명은, 디지털 영상 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 촬영된 영상에 특수효과 모드를 적용하거나, 특수효과 모드를 설정하여 영상을 촬영하는 디지털 영상 처리 방법에 관한 것이다. 디지털 영상 처리 방법은 촬영한 영상에 대해 특수 효과 처리하는 방법으로서, 적어도 하나 이상의 특수효과 모드를 선택하면, 선택된 모드에 상응하여 상기 영상의 색 정보를 정정한 후 선택된 적어도 하나 이상의 모드에 따라 색정보가 정정된 영상을 동시에 디스플레이한다.

Patent Agency Ranking