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公开(公告)号：KR1020120051958A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020100113349
申请日：2010-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28273 , H01L27/11 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L21/76205 , H01L21/764
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a nonvolatile memory device and the nonvolatile memory device manufactured using the same are provided to prevent movements of charges to a word line from a charge storage floating pattern by forming a second dielectric film on the charge storage floating pattern and a second device separation film. CONSTITUTION: An active region is defined on a substrate(100) by a plurality of trenches(105). An air gap(154) is formed inside the trench. A first dielectric film(120) and a charge storage floating pattern(130) are formed on the substrate. A second dielectric film(180) is formed on a second device separation film(162) and the charge storage floating pattern. The second dielectric film blocks charge flow to a word line(190) from the charge storage floating pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件的制造方法和使用其制造的非易失性存储器件，以通过在电荷存储浮置图案上形成第二电介质膜来防止电荷从电荷存储浮动图案向字线的移动， 第二装置分离膜。 构成：通过多个沟槽（105）在衬底（100）上限定有源区。 在沟槽内部形成气隙（154）。 在基板上形成第一电介质膜（120）和电荷存储浮置图案（130）。 第二电介质膜（180）形成在第二器件分离膜（162）和电荷存储浮置图案上。 第二电介质膜阻止从电荷存储浮动图案到字线（190）的电荷。
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公开(公告)号：KR1020120000804A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020100061267
申请日：2010-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/28273 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L21/76229 , H01L27/11521 , H01L27/11536 , H01L29/66825 , H01L27/10882
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a pattern formation method thereof are provided to form a high density pattern having tight pitch and narrow width by using a pattern of size which is able to be formed within resolution limit of a photo lithography process. CONSTITUTION: A substrate comprises a memory cell region which includes a plurality of cell blocks and a connecting region which is located in around the memory cell region. A first conductive line and a second conductive line are extended in a first direction from the memory cell region to the connecting region. A third conductive line is extended between the first conductive line and the second conductive line. A contact pad is respectively connected to the first, second, and third conductive line. A plurality of line patterns(210) having first width(W1) is formed in a high density region(A). A plurality of line patterns constitutes a plurality of active areas which is formed in a cell array region. A wide width pattern(220) having second width(W2) is formed in a low-density region(B). The wide width pattern constitutes the active area of a peripheral circuit region. The wide width pattern constitutes an align key.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其图案形成方法，以通过使用能够形成在光刻工艺的分辨率极限内的尺寸图案来形成具有窄间距和窄宽度的高密度图案。 构成：衬底包括存储单元区域，其包括多个单元块和位于存储单元区域周围的连接区域。 第一导线和第二导线在第一方向上从存储单元区延伸到连接区。 第三导线在第一导线和第二导线之间延伸。 接触焊盘分别连接到第一，第二和第三导线。 具有第一宽度（W1）的多个线图案（210）形成在高密度区域（A）中。 多个线图案构成形成在单元阵列区域中的多个有源区域。 在低密度区域（B）中形成具有第二宽度（W2）的宽幅图案（220）。 宽幅图案构成外围电路区域的有效区域。 宽幅图案构成对齐键。
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公开(公告)号：KR100239562B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970065388
申请日：1997-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: D06F33/02
Abstract: 본 발명은 세탁기의 불균형 감지 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 유도전동기구동부로 인가되는 교류전원에 직렬로 연결되어 상기 교류전원을 변류하여 출력하는 변류기와, 상기 변류기에서 변류되어 출력된 교류를 정류하여 직류를 출력하는 정류기, 상기 정류기에서 출력된 직류의 전류값에 상응하는 전압값을 가지는 전류감지값을 출력함과 동시에 상기 전류감지값을 소정전압 이하로 제한하는 클램핑 회로 및, 드럼이 불균형 감지 속도로 회전된 다음 일정시간 후에 상기 클램핑회로로부터 전류감지값을 입력받아 최대전류감지값과 최소전류감지값을 비교하여 전류 변동값을 구하고, 상기 전류변동값과 기준전류변동값을 비교하여 불균형을 감지하는 제어부를 포함하여 구성되어, 상기 드럼이 불균형 감지 속도로 회전된 다음 일정시간 후에 유도 전동기를 구동시키는데 사용되는 교류전원의 전류값을 감지하여 감지된 전류감지값 중에서 최대전류감지값과 최소전류감지값의 차이값으로 불균형을 감지함으로써, 구성이 간단할 뿐만 아니라 정확하게 불균형을 감지할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990047136A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065392
申请日：1997-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: D06F33/02
Abstract: 본 발명은 세탁기의 포량 감지 방법에 관한 것으로, 드럼 구동용 전동기에 전원을 공급하여 드럼 구동용 전동기를 제1기준속도 까지 가속시키면서 상기 드럼 구동용 전동기의 구동전류값을 주기적으로 감지하여 최대전류감지값을 구하는 전류감지단계와, 상기 드럼 구동용 전동기의 회전속도가 상기 제1회전속동에 도달하면 드럼 구동용 전동기로 공급되던 전원을 차단하여 드럼 구동용 전동기를 관성회전시키면서 상기 드럼 구동용 전동기의 회전속도를 주기적으로 감지하여 제2기준속도까지 관성하강하는데 걸린 관성하강시간을 감지하는 관성하강시간감지단계 및, 상기 최대전류감지값과 상기 관성하강시간으로부터 포량을 판별하는 포량판별단계로 이루어져, 드럼 구동용 전동기의 최대전류감지값 및 관성하강시간을 이용하여 포량을 정확히 감 지함으로써 세탁물을 최적으로 세탁할 수 있도록 하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR200133000Y1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR2019960028950
申请日：1996-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: F24C3/12
Abstract: 본 고안에 의한 가스오븐렌지의 가스누출감지장치는 조리선택 및 조리시간설정 외에 가스누출감지부위치절환키를 구비한 조작부(22)와, 지정된 LPG위치에 장착되어 가스누출감지부(24)가 LPG위치에 있는가를 감지하는 LPG위치 감지부(34)와, 지정된 LNG 위치에 장착되어 상기 가스누출감지부(24)가 LNG위치에 있는가를 감지하는 LNG 위치감지부(36)와, 상기 LPG 위치감지부와 LNG 위치감지부를 통하여 상기 가스누출 감지부의 위치를 감지하고, 상기 조작부의 조작신호에 따라 제어신호를 출력하는 마이컴(26)과, 상기 마이컴으로부터 출력되는 제어신호를 인가받아 온/오프동작되어 모터(39)의 구동을 제어하는 모터구동부(38)와, 상기 모터구동부에 의해 제어되어 상기 가스누출감지부의 위치를 절환시키기 위한 동력을 발생시키는 모터(39)로 이루어진 것을 특징으� �� 하며, 가스누출여부를 감지하는 가스누출감지부(24)의 위치를 사용되는 가스(LNG/LPG)의 종류에 따라 사용자가 임으로 조작부(22)를 조작하여 자동으로 절환할 수 있다는 뛰어난 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR200114917Y1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR2019920019578
申请日：1992-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: G01S15/93
Abstract: 본 고안은 초음파센서를 이용하여 장애물까지의 거리 및 그 성형을 검출하는 장애물탐지장치에 관한 것으로, 펄스신호를 출력하는 송신부와, 상기 송신부의 출력신호를 받아서 초음파에너지로 변환하고 이 초음파에너지를 공간상에 방사할 때 물체에서 반사되는 에코신호를 수신하는 수신부호, 상기 송수신부에서 출력되는 펄스신호의 출력타이밍데이터 및 상기 수신부의 에코신호를 받아 감시구역내에 존재하는 물체까지의 거리 및 그 성향을 판별하는 마이크로컴퓨터와, 상기 마이크로컴퓨터에서 출력되는 상여자구동신호에 따라 초음파센서가 연결된 스텝핑모터를 구동시키는 모터구동부와 상기 마이크로컴퓨터에서 출력되는 구동신호에 따라 탐지한 데이터를 표시하는 표시부와, 상기 각 구성요소에 원을 공급하는 전원부로 구성되어 초음파센 서가 상기 스텝핑모터의 구동력으로 스캐닝되도록 함으로써 초음파센서가 지향하는 방향을 정확히 설정할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR102059183B1
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：KR1020130024622
申请日：2013-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR101760662B1
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020110011497
申请日：2011-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/764
Abstract: 비휘발성메모리장치의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른비휘발성메모리장치의제조방법은, 제1 방향으로연장된복수의트렌치에의해활성영역이정의되고, 제1 영역과제2 영역을포함하는기판을제공하고, 제1 절연물질로복수의트렌치를매립하고, 제1 영역의제1 절연물질을제거하여제1 영역에제1 리세스를형성하고, 희생물질로제1 리세스를매립하고, 희생물질을일부제거하여제1 리세스의상부를노출시키고, 제1 리세스의상부에제2 절연물질을형성하고, 제1 리세스의하부에잔존하는희생물질을제거하여제1 리세스하부에에어갭을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种制造非易失性存储器件的方法。 制造根据本发明的一个实施例的非易失性存储装置的方法是在液体和由所述多个在第一方向上延伸的沟槽所限定的有源区中，提供包含第一区域分配第二区域的基板，并且所述第一 通过填充所述多个沟槽，以及用绝缘材料除去第一区域的第一绝缘材料，和嵌入牺牲材料玫瑰第一凹部，并除去一些牺牲材料以形成在所述第一区域中的第一凹部，所述 第一再暴露出存取服装和，形成在所述第一凹部的顶部上的第二绝缘材料，并除去残留在所述第一凹部的底部的牺牲材料包括：形成在第一凹部下部的空气间隙 的。
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