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公开(公告)号：KR101680066B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020150006151
申请日：2015-01-13
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 본발명에의한비대칭구조를갖는고온초전도전류도입선이개시된다. 본발명에따른고온초전도전류도입선은전원공급장치와초전도마그넷을전기적으로연결하도록적층되는다수개의초전도선재; 및상기다수개의초전도선재의사이에형성되되, 연결되는영역의온도에따라서로다른열전도도를갖는다수개의서브솔더부재가접합하여형성된하나의솔더층을포함한다.
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公开(公告)号：KR101650836B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150006139
申请日：2015-01-13
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 본발명에의한고온초전도전류도입선을위한초전도선재의적층구조가개시된다. 본발명에따른초전도선재의적층구조는전원공급장치와초전도마그넷을전기적으로연결하도록적층되는다수개의초전도선재; 및상기다수개의초전도선재의사이에형성되되, 상기초전도선재를통해흐르는전류에의해유도되는와전류가각각발생되는다수개의서브솔더부재로이루어진솔더층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160087233A
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：KR1020150006139
申请日：2015-01-13
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01B12/00
Abstract: 본발명에의한고온초전도전류도입선을위한초전도선재의적층구조가개시된다. 본발명에따른초전도선재의적층구조는전원공급장치와초전도마그넷을전기적으로연결하도록적층되는다수개의초전도선재; 및상기다수개의초전도선재의사이에형성되되, 상기초전도선재를통해흐르는전류에의해유도되는와전류가각각발생되는다수개의서브솔더부재로이루어진솔더층을포함한다.
Abstract translation: 公开了用于高温超导电流引线的超导线的堆叠结构。 根据本发明的超导线的堆叠结构包括：多个超导线，其被层叠以电连接电源单元和超导磁体; 以及形成在超导线之间的多个焊料构件，并且产生由流过超导线的电流引起的涡流。 本发明的层叠结构能够降低在焊料层中产生的涡电流的强度。
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公开(公告)号：KR101621852B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020140173755
申请日：2014-12-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53266 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 기판; 기판상의도전성라인; 및기판과도전성라인사이의시드층을포함하는반도체소자로서, 시드층은코발트티타늄나이트라이드를포함하는반도체소자를개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过具有种子层性质和扩散防止层特性的多功能单薄膜种子层同时降低布线处理成本的半导体装置，能够提高半导体元件的生产率， 其制造方法。 半导体元件包括：基板; 在基板上的导电线; 以及在所述基板和所述导电线之间的种子层。 种子层包括钴氮化钛。
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公开(公告)号：KR101617396B1
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140098866
申请日：2014-08-01
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45525 , B08B17/065 , C23C16/045 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45555
Abstract: 본발명은초소수성코팅부재및 초소수성코팅부재의제조방법에관한것으로서, 본발명에따른초소수성코팅부재는 3차원나노구조를구비한기판; 및 3차원나노구조상에형성되고, 희토류금속산화물을포함하는코팅층을포함한다. 본발명에따른초소수성코팅부재의제조방법은 3차원나노구조를구비한기판을준비하는단계; 및기판상에희토류금속을포함하는전구체와, 산화제를순차적으로공급하여 3차원나노구조상에희토류금속산화물을포함하는코팅층을형성하는단계를포함하며, 코팅층을형성하는단계는코팅층중의탄소의원소비율이 1% 미만이되도록기판의온도를조절함으로써, 초소수성을갖는코팅층을형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101615897B1
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140098865
申请日：2014-08-01
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46 , C23C16/52
CPC classification number: C09K3/18 , C08K3/22 , C08K2003/221 , C23C16/0227 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/4554 , C23C16/45553
Abstract: 본발명은코팅층형성방법및 방수성코팅부재에관한것으로, 본발명에따른코팅층형성방법은 (a) 기판상에희토류금속을포함하는전구체를공급하는단계; (b) 기판상에희토류금속이결합한후 남은전구체의불순물을퍼징하는단계; (c) 기판상에산화제를공급하는단계; 및 (d) 기판상에희토류금속산화물을포함하는코팅층이형성된후 남은불순물을퍼징하는단계를포함한다. 본발명에따른코팅층형성방법은코팅층중의탄소의원소비율이 1% 미만이되도록기판의온도를조절함으로써, 소수성혹은초소수성을갖는코팅층을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020160043459A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020140137883
申请日：2014-10-13
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H03K17/04 , H03K17/74 , H02M1/082 , G05D1/028 , H01L2924/13034 , H02M7/64 , H03K5/2436
Abstract: 전력반도체소자의구동회로및 전력반도체소자의구동방법이제공된다. 전력반도체소자의구동회로는전력반도체소자를구비하고, 상기전력반도체소자를구동하는구동신호를무선으로수신하는계통회로; 및상기구동신호를생성하여상기계통회로에무선으로송신하는제어회로를포함한다. 전력반도체소자의구동방법은전력반도체소자를구동하는구동신호를무선으로수신하고, 상기구동신호를이용하여상기전력반도체소자를턴온(turn-on)시키는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了用于驱动功率半导体器件的电路和方法。 用于驱动功率半导体器件的电路包括：系统电路，包括功率半导体器件，并接收用于无线驱动功率半导体器件的驱动信号; 以及产生驱动信号并将驱动信号无线发送到系统电路的控制电路。 用于驱动功率半导体器件的方法包括：接收用于无线驱动功率半导体器件的驱动信号; 并通过使用驱动信号来接通功率半导体器件。
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公开(公告)号：KR101507538B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140147130
申请日：2014-10-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/103 , H01L33/0008
Abstract: 본발명은무전원분자검출소자및 그제조방법에관한것으로, 무전원분자검출소자는기판및 기판상에형성된 PN 광다이오드를포함하며, PN 광다이오드는 p 타입도전형물질및 n 타입도전형물질을포함하고, p 타입도전형물질및 상기 n 타입도전형물질중 적어도하나는전이금속디칼코게나이드로형성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非供电分子检测元件及其制造方法，其中非供电分子检测元件包括衬底和形成在衬底上的PN光电二极管，PN光电二极管包含p型导电材料 和n型导电材料，并且p型导电材料和n型导电材料中的至少一种由过渡金属二硫属元素制成。
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公开(公告)号：KR101503733B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020140006786
申请日：2014-01-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 입체 형상 위에 금속 산화물을 증착하는 단계, 증착된 금속 산화물을 황화시켜 입체 형상에 대응하는 금속 황화물을 합성하는 단계를 포함하는 금속 황화물 입체 구조 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用沉积有原子层沉积的金属氧化物形成金属硫化物的三维结构的方法。 本发明提供使用原子层沉积形成二硫化钨的三维结构的方法。 本发明涉及形成金属硫化物的三维结构的方法，其包括以下步骤：使用原子层沉积将金属氧化物沉积在三维图像上; 并将沉积的金属氧化物硫化并合成对应于三维图像的金属硫化物。
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公开(公告)号：KR101503438B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020140021444
申请日：2014-02-24
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/407 , G01N27/12
Abstract: 본 발명은 가스 센서 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 센서 제조 방법은, 기판 상에 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계; 상기 산화텅스텐 박막에 황화수소를 공급하면서 열처리하여 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계; 및 상기 이황화텅스텐 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造气体传感器的方法，以及使用该气体传感器制造的气体传感器。 根据本发明的实施例，制造气体传感器的方法包括以下步骤：在衬底上形成氧化钨薄膜; 合成二硫化钨薄膜，同时向氧化钨薄膜供给硫化氢，加热处理硫化氢; 并在二硫化钨薄膜上形成电极。
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