公开(公告)号：KR1020120134161A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR1020110051718

申请日：2011-05-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  윤두현 ,  김시준 ,  정주혜

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film and a method for manufacturing an oxide thin film transistor are provided to reduce production costs by reducing use of expensive substances like indium. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer(220') is formed on the gate electrode. A channel layer(230') is formed on the gate insulating layer. A source electrode(240) and a drain electrode(250) are formed on the channel layer. An oxide thin film is formed on the substrate in a channel layer formation step. Oxygen hole concentration of the oxide thin film increases in the channel layer formation step.

Abstract translation: 目的：提供氧化物薄膜的制造方法和氧化物薄膜晶体管的制造方法，通过减少贵金属如铟的使用来降低生产成本。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘层（220'）形成在栅电极上。 沟道层（230'）形成在栅极绝缘层上。 源极电极（240）和漏电极（250）形成在沟道层上。 在沟道层形成工序中，在衬底上形成氧化物薄膜。 在沟道层形成步骤中氧化物薄膜的氧空穴浓度增加。

公开(公告)号：KR1020120077415A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100139354

申请日：2010-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  이광희 ,  선종백 ,  배중현 ,  정웅희 ,  이상윤 ,  김현재

IPC: H01B5/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A composition for forming an oxide semiconductor, an inkjet printing process using the same, and an electronic device including the oxide semiconductor thin film are provided to obtain an oxide semiconductor without defects through an inkjet printing process by using a composition containing a fixed quantity of sol stabilizer. CONSTITUTION: A gate electrode(20) and a gate insulation layer(21) covering the gate electrode are formed on a substrate(10). A channel layer(22) corresponding to the gate electrode is formed on the gate insulation layer. A source electrode(24a) and a drain electrode(24b) are formed on both sides of the channel layer. An etch stopper is formed between the source electrode and the drain electrode. The gate electrode controls the current flow between the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氧化物半导体的组合物，使用其的喷墨印刷方法和包括氧化物半导体薄膜的电子器件，以通过使用含有固定量的组合物通过喷墨印刷方法获得无缺陷的氧化物半导体 的溶胶稳定剂。 构成：在基板（10）上形成覆盖栅电极的栅电极（20）和栅极绝缘层（21）。 在栅绝缘层上形成对应于栅电极的沟道层（22）。 源极电极（24a）和漏电极（24b）形成在沟道层的两侧。 在源电极和漏电极之间形成蚀刻停止层。 栅电极控制源电极和漏电极之间的电流。

公开(公告)号：KR1020120055262A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：KR1020100116897

申请日：2010-11-23

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 정연택 ,  김보성 ,  김영민 ,  김현재 ,  이두형 ,  최태영 ,  이기범 ,  장선필 ,  임유승 ,  조강문 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/324 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor manufacturing method is provided to control an amount of hydrates among a powdered compound, thereby stably securing electrical properties. CONSTITUTION: A first compound which includes tin is first heat-treated(S102). A second compound which includes one or more metal elements among zinc, indium, gallium, thallium, and zirconium is second heat-treated. A precursor solution is manufactured by mixing an organic solvent after mixing the heat-treated first and second compounds(S108). A precursor layer is formed by spraying the precursor solution on a substrate(S110). An oxide semiconductor is formed by third heat-treating the precursor layer(S112).

Abstract translation: 目的：提供一种氧化物半导体制造方法，用于控制粉末化合物中的水合物的量，从而稳定地确保电气性能。 构成：首先对包含锡的第一化合物进行热处理（S102）。 将包含锌，铟，镓，铊和锆中的一种或多种金属元素的第二化合物进行第二热处理。 通过在混合热处理的第一和第二化合物之后混合有机溶剂来制造前体溶液（S108）。 通过将前体溶液喷涂在基材上形成前体层（S110）。 通过对前体层进行第三次热处理形成氧化物半导体（S112）。

公开(公告)号：KR101145001B1

公开(公告)日：2012-05-11

申请号：KR1020090009903

申请日：2009-02-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  정웅희 ,  안병두 ,  김건희

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본 발명은 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 다공성 나노 구조체를 갖는 기판을 마련하여 표면 처리하는 단계와, 상기 다공성 나노 구조체의 내부에 산화화합물 졸을 주입하는 단계와, 열처리 공정을 통해 상기 산화화합물 졸을 건조 및 가열하여 산화화합물 겔로 변화시켜 상기 다공성 나노 구조체의 내부에 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계와, 상기 다공성 나노 구조체와 산화물 나노 구조체를 분리하는 단계를 포함함으로써, 대량 생산이 가능하고, 다공성 나노 구조체의 크기를 조절하여 산화물 나노 구조체의 크기를 쉽게 조절할 수 있으며, 주입하는 용액의 종류와 조성을 쉽게 바꿀 수 있는 효과가 있다.
졸-겔 공정, 다공성 틀, 다공성 나노 구조체, 산화물 나노 구조체, 표면처리

公开(公告)号：KR1020110096406A

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：KR1020100015831

申请日：2010-02-22

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  오상훈 ,  모조드압데라피 ,  김경민

IPC: H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/44

Abstract: 본 발명은 유기 태양 전지의 광 변환 효율을 향상시키기 위해 안출된 것이다.
본 발명에 따르면, P3HT와 PCBM 혼합 용액에 ZnO 나노 물질을 부피비 1:0.01~1로 첨가하여 제조한 용액을 ITO층과 정공 전도층이 형성된 기판 위에 스핀 캐스팅하여 활성층을 형성하고 110 내지 140 ℃에서 열처리하고 전극을 형성하여 유기 태양 전지를 완성할 수 있다.
본 발명에 따르면, ZnO 나노 물질을 유기 태양 전지의 활성층에 첨가하여 광 변환 효율을 향상시켜 간편하고 저렴한 비용으로 실용성 있는 태양 전지를 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR101040449B1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：KR1020090009901

申请日：2009-02-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

IPC: C01B33/021 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 유기 모노실란과 사염화규소를 이용한 규소 나노 구조체의 합성방법에 관한 것으로, 일정량의 분산매를 포함한 반응용기 내에 일정량의 촉매제를 혼합하는 단계와, 상기 촉매제의 분산을 촉진하기 위해 제1 특정 온도로 가열하는 단계와, 상기 반응용기 내에 유기 모노실란을 혼합하여 부르츠형(Wurtz-type) 커플링 반응에 의해 상기 분산된 촉매제와 반응시키는 단계와, 최종 혼합물을 제2 특정 온도로 하강시킨 후, 상기 반응용기 내에 사염화규소를 혼합하여 상기 분산된 촉매와 반응시켜 규소 나노 구조체를 합성하는 단계를 포함함으로써, 낮은 온도, 낮은 압력에서 규소 나노 구조체의 합성 공정을 수행할 수 있으며, 별도의 표면처리 공정을 수행하지 않고도 규소 나노 구조체의 표면처리를 수행할 수 있는 효과가 있다.
규소, 나노 구조체, 유기 모노실란, 사염화규소, 부르츠형 커플링 반응

公开(公告)号：KR1020110036313A

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：KR1020090093905

申请日：2009-10-01

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  압데라피모조드 ,  오상훈

IPC: H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0037 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/4233 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203

Abstract: PURPOSE: A conductive organic film by UV-light treatment and method for manufacturing an electronic device with the conductive organic film are provided to enhance electrical properties and aging stability. CONSTITUTION: A PEDOT:PSS layer(105) is formed on a substrate(101). A UV(UltraViolet) ray is irradiated on the PEDOT:PSS layer. A semiconductor layer is formed on the PEDOT:PSS layer to which the UV ray is irradiated. The semiconductor layer has both conductive and non-conductive PEDOT:PSS layers. A UV ray whose central wavelength is in the range of 200 to 355nm is irradiated on the PEDOT:PSS layers.

Abstract translation: 目的：提供通过紫外光处理的导电性有机膜和具有导电性有机膜的电子器件的制造方法，以提高电气性能和老化稳定性。 构成：PEDOT：PSS层（105）形成在基板（101）上。 UV（紫外线）射线照射在PEDOT：PSS层上。 在照射紫外线的PEDOT：PSS层上形成半导体层。 半导体层具有导电和不导电的PEDOT：PSS层。 中心波长在200〜355nm范围内的紫外线照射在PEDOT：PSS层上。

公开(公告)号：KR101016440B1

公开(公告)日：2011-02-21

申请号：KR1020080119109

申请日：2008-11-27

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  이근우 ,  허건의 ,  정태훈

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 3D 적층셀 구조의 플래쉬 메모리셀 구현에 적합한 저온 공정의 플래쉬 메모리 소자 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 플래쉬 메모리 소자를 제공한다. 본 발명의 일 측면에 따른 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법은, 기판, 채널층, 플로팅 게이트 및 제어 게이트를 구비하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 채널층은 용액 기반의 반도체 산화물 물질을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
플래쉬 메모리, 채널, 플로팅 게이트

公开(公告)号：KR100987285B1

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：KR1020080131550

申请日：2008-12-22

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  신현수 ,  김건희 ,  안병두 ,  정태훈

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성하는 단계 및 상기 산화물 반도체 수용액 상에 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 함으로서, 산화물 반도체 박막의 형성 시 후 열처리를 레이저(Laser)를 이용하기 때문에 기판으로의 직접적인 열 전달을 차단할 수 있는 효과가 있다.
산화물 반도체, 레이저, 하프-톤 마스크

公开(公告)号：KR1020100108813A

公开(公告)日：2010-10-08

申请号：KR1020090027038

申请日：2009-03-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김건희 ,  정웅희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02348 ,  H01L21/02623

Abstract: PURPOSE: A method for selectively processing an insulation layer is provided to prevent the misalignment of an inkjet printing by selectively irradiating ultraviolet rays on a channel area of the insulation layer to become hydrophilic. CONSTITUTION: An electrode(110) is formed on a substrate(100). An insulation layer(120) is formed on the substrate including the electrode. The channel area of the insulation layer becomes hydrophilic by selectively irradiating ultraviolet rays. A channel layer is formed on the channel area by using an inkjet printing method.

Abstract translation: 目的：提供一种用于选择性处理绝缘层的方法，以通过选择性地在绝缘层的沟道区域上照射紫外线使其变为亲水性来防止喷墨印刷的未对准。 构成：在基板（100）上形成电极（110）。 在包括电极的基板上形成绝缘层（120）。 通过选择性地照射紫外线，绝缘层的沟道面积变得亲水。 通过使用喷墨打印方法在通道区域上形成通道层。