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    니켈 산화물 박막 및 이를 이용한 유기 태양전지의 제조 방법
    3.
    发明公开
    니켈 산화물 박막 및 이를 이용한 유기 태양전지의 제조 방법 有权
    镍氧化物薄膜和有机太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：KR1020130007245A

    公开(公告)日：2013-01-18

    申请号：KR1020110064766

    申请日：2011-06-30

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  정주혜 ,  김동림 ,  오상훈 ,  윤두현

    IPC: H01L51/42 ,  C01G53/04

    CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42 ,  C01G53/04

    Abstract: PURPOSE: A nickel oxide thin film and a method for manufacturing an organic solar cell using the same are provided to efficiently transmit holes from an active layer to an anode by forming a buffer layer between the active layer and an electrode to increase hole transmission performance. CONSTITUTION: A nickel oxide precursor is prepared(100). A precursor solution is made using nickel precursor powder(200). A thin film is deposited by coating the substrate with nickel oxide precursor solutions(300). Solvents are volatilized by a pre-treatment in the deposited thin film(400). A lattice structure is formed in the thin film by a post-treatment in the thin film(500). [Reference numerals] (100) Preparing metal precursor for a solution process of a nickel oxide thin film; (200) Manufacturing a solution by dissolving a composition which is produced by mixing nickel precursors in solvent; (300) Laminating thin films by spreading the final solution of a precursor; (400) Volatilizing solvent by thermally processing laminated thin films; (500) Forming a lattice structure within a thin film by thermally processing laminated thin films again; (600) Laminating oxide indium-tin electrodes; (700) Volatilizing solvent by thermally processing an activation layer solution and by spreading the activation layer solution on a buffer layer in an anaerobic environment; (800) Laminating lithium fluoride, an aluminum electrode; (AA) Start; (BB) End

    Abstract translation: 目的：提供一种氧化镍薄膜及使用其的有机太阳能电池的制造方法，通过在有源层与电极之间形成缓冲层，有效地将空穴从有源层向阳极透射，从而提高空穴传输性能。 构成：制备氧化镍前体（100）。 使用镍前体粉末（200）制备前体溶液。 通过用氧化镍前体溶液（300）涂覆基底来沉积薄膜。 溶剂通过在沉积的薄膜（400）中的预处理而挥发。 在薄膜（500）中通过后处理在薄膜中形成晶格结构。 （附图标记）（100）制备用于氧化镍薄膜的溶液处理的金属前体; （200）通过将通过将镍前体混合在溶剂中而制备的组合物溶解来制造溶液; （300）通过扩散前体的最终溶液来层压薄膜; （400）通过热处理层压薄膜的挥发溶剂; （500）通过再次热处理层叠薄膜，在薄膜内形成晶格结构; （600）层压氧化铟锡电极; （700）通过热处理活化层溶液并通过将活化层溶液铺展在厌氧环境的缓冲层上来挥发溶剂; （800）层压氟化锂，铝电极; （AA）开始; （BB）结束

    반도체 박막의 제조방법
    4.
    发明授权
    반도체 박막의 제조방법 有权
    半导体薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR100957013B1

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：KR1020080049310

    申请日：2008-05-27

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  박상훈 ,  정태훈 ,  김동림

    IPC: H01L21/20

    Abstract: 본 발명은 반도체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 액상 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 액상 반도체층 상부의 일정 영역에 선택적으로 열을 인가하여 상기 열이 인가된 영역에 대한 상기 액상 반도체층을 건조시켜 반도체 박막을 형성하는 단계와, 상기 반도체 박막이 형성된 영역 이외의 다른 영역에 잔류한 액상 반도체층을 유기용매를 이용하여 제거하는 단계를 포함함으로써, 별도의 마스크를 사용하지 않고도 기판 상에 반도체 박막을 증착할 수 있어 공정시 소요되는 비용 및 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.
    액상 반도체, 박막 형성 공정, 선택적 열인가, 유기용매, 디스플레이

    산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법
    5.
    发明公开
    산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법 有权
    氧化物半导体及其形成方法

    公开(公告)号：KR1020130127150A

    公开(公告)日：2013-11-22

    申请号：KR1020120050864

    申请日：2012-05-14

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  김철호 ,  김득종 ,  정웅희 ,  김동림 ,  임유승

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

    Abstract: A transistor having a multi-active layer is provided. The multi-active layer works as the channel of the transistor. The transistor comprises a first channel layer and a second channel layer. The first channel layer works as a main channel. The second channel layer protects the first channel layer and forms source/drain electrodes and resistance contact.

    Abstract translation: 提供具有多有源层的晶体管。 多功能层作为晶体管的通道。 晶体管包括第一沟道层和第二沟道层。 第一个通道层作为主通道。 第二沟道层保护第一沟道层并形成源极/漏极和电阻接触。

    산화물 박막 제조방법, 박막 트랜지스터 제조방법 및 박막 트랜지스터
    6.
    发明公开
    산화물 박막 제조방법, 박막 트랜지스터 제조방법 및 박막 트랜지스터 无效
    形成氧化物薄膜的方法，薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020120138012A

    公开(公告)日：2012-12-24

    申请号：KR1020110057252

    申请日：2011-06-14

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  김시준 ,  김두나 ,  김동림

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02628 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for an oxide thin film, a manufacturing method for a thin film transistor, and the thin film transistor are provided to reduce heat treatment processing time by simultaneously forming a channel layer and a gate insulating layer using a single thermal process. CONSTITUTION: A first precursor solution is coated on a substrate(S303). A second precursor solution is coated on the substrate(S304). The substrate is heat-treated(S305). An oxide semiconductor thin film is made of the first precursor solution. An oxide insulator thin film is made of the second precursor solution. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S301) Manufacturing a first precursor solution; (S302) Manufacturing a second precursor solution; (S303) Coating the first precursor solution on a substrate; (S304) Coating the second precursor solution on the substrate; (S305) Heat treatment

    Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化物薄膜的制造方法，薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管，以通过使用单个热处理同时形成沟道层和栅极绝缘层来减少热处理时间。 构成：将第一前体溶液涂覆在基材上（S303）。 将第二前体溶液涂覆在基材上（S304）。 对基板进行热处理（S305）。 氧化物半导体薄膜由第一前体溶液制成。 氧化物绝缘体薄膜由第二前体溶液制成。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S301）制造第一前体溶液; （S302）制造第二前体溶液; （S303）将第一前体溶液涂布在基材上; （S304）将第二前体溶液涂布在基板上; （S305）热处理

    산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품
    9.
    发明公开
    산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품 有权
    氧化物半导体的组合物，其制备方法，形成氧化物半导体薄膜的方法，形成电气装置的方法和形成的电子装置

    公开(公告)号：KR1020140006575A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：KR1020120073907

    申请日：2012-07-06

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  임현수 ,  임유승 ,  김동림

    IPC: H01B1/08 ,  H01B1/16 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01B1/08 ,  H01B1/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

    Abstract: Provided are oxide semiconductor compositions, preparation methods thereof, methods for forming oxide semiconductor thin film using the same, and methods for forming electronic devices. The oxide semiconductor compositions include photosensitive agents and oxide semiconductor precursors. The photosensitive agents absorb light in an ultraviolet ray wavelength region of 200 to 450 nm. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1000) Preparing compositions for an oxide thin film; (S1100) Coating the compositions for the oxide thin film; (S1200) Pre-thermal process; (S1300) Emitting lights; (S1400) Dipping; (S1500) Post-thermal process

    Abstract translation: 提供氧化物半导体组合物，其制备方法，使用其形成氧化物半导体薄膜的方法，以及用于形成电子器件的方法。 氧化物半导体组合物包括光敏剂和氧化物半导体前体。 感光剂吸收200〜450nm的紫外线波长区域的光。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1000）制备用于氧化物薄膜的组合物; （S1100）涂覆氧化物薄膜的组合物; （S1200）预热处理; （S1300）发光灯; （S1400）浸渍; （S1500）后热处理

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