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1.发明申请액상 공정을 이용한 산화물 반도체 박막의 형성 방법, 결정화 방법, 이를 이용한 반도체 소자 형성 방법 审中-公开使用液相工艺的氧化物半导体薄膜的成形方法和结晶方法以及使用其形成半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2011149118A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/KR2010/003263
申请日：2010-05-24
IPC: H01L21/208 , H01L21/8247 , H01L31/042 , H01L29/786 , H01L27/14
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02623 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 액상 공정을 이용한 산화물 반도체 박막 형성 및 결정화 방법, 플래쉬 메모리 형성 방법 그리고 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供了氧化物半导体薄膜形成和结晶方法以及使用液相工艺的闪存形成方法，以及氧化物半导体薄膜晶体管及其形成方法。
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公开(公告)号：KR101064423B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020090026548
申请日：2009-03-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82B3/00 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 탄소 나노 튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판과, 게이트 전극과, 게이트 절연층과, 소오스 및 드레인 전극과, 상기 소오스 및 드레인 전극과 접속하여 형성된 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 수산화이온 함유 물질에 의해 표면 처리된 탄소 나노 튜브로 이루어지도록 함으로서, 탄소 나노 튜브에 대한 반도체 성질을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
탄소나노튜브, 수산화나트륨, 표면처리-
公开(公告)号：KR101040382B1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR1020090015020
申请日：2009-02-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/324 , G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 상부 비정질 실리콘층을 포함하는 반도체 구조물이 구비된 기판을 준비하는 단계와 상기 비정질 실리콘층의 상층으로부터 적어도 일부층에 다공성 구조를 형성하는 단계와 상기 다공성 구조와 접촉하도록 반응 액체를 도포하는 단계와 상기 다공성 구조와 상기 반응액체의 반응에 의해 열이 발생하고 그 열에 의해 상기 비정질 실리콘층의 특성이 변화하는 비정질 실리콘층의 결정화 방법을 제공한다.
비정질 실리콘, 화학 반응, 절연막, 박막 트랜지스터, 다공성 구조, 결정화-
4.发明公开저온 공정을 이용한 3Ｄ 적층셀 구조의 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 및 3Ｄ 적층셀 구조의 플래쉬 메모리 소자 有权使用低温工艺制造3-D堆叠闪速存储器件的方法和3-D堆叠闪存存储器件TEHREBY
公开(公告)号：KR1020110014550A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020100138283
申请日：2010-12-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0688 , B82Y10/00 , H01L27/0207 , H01L27/11551 , H01L29/42324 , H01L29/517 , H01L29/66825
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flash memory device of a 3d laminated cell structure is provided to form a channel area using a liquid oxide semiconductor material, thereby easily manufacturing a flash memory cell at a low temperature. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(301) comprises source-drain regions(310,320). The first floating gate layer(307) and the first control gate layer(303) are formed on the semiconductor substrate. An upper channel layer(368) is formed on the first control gate layer. The second floating gate layer(365) is formed on the upper channel layer. The second control gate layer(363) is formed on the second floating gate layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造3d叠层电池结构的闪速存储器件的方法以形成使用液氧化物半导体材料的沟道区域，由此容易地在低温下制造闪存单元。 构成：半导体衬底（301）包括源 - 漏区（310,320）。 第一浮栅层（307）和第一控制栅极层（303）形成在半导体衬底上。 在第一控制栅极层上形成上沟道层（368）。 第二浮栅层（365）形成在上沟道层上。 第二控制栅层（363）形成在第二浮栅层上。
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公开(公告)号：KR1020100039608A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：KR1020080098644
申请日：2008-10-08
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: C30B29/06 , B32B2457/202 , C30B1/023 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1285
Abstract: PURPOSE: A crystallization apparatus, a manufacturing method thereof, and the method for crystallization using the same are provided to crystallize amorphous silicon by locally supplying heat to the amorphous silicon on a soft substrate. CONSTITUTION: A crystallization apparatus comprises a heater(20), a supporting part(30), and a roller(40). The heater receives a heat generating source from the outside of the crystallization apparatus. The supporting part supports the heater. The supporting part offers the heat generating source to the heater. The heater is included inside the heater. Multiple opening portions(45) is included in the roller. The roller offers the heat to a target object.
Abstract translation: 目的：提供一种结晶装置及其制造方法以及使用该结晶装置的结晶方法，通过在软质基板上向非晶硅局部供热来使非晶硅结晶。 结构：结晶装置包括加热器（20），支撑部分（30）和辊（40）。 加热器从结晶装置的外部接收发热源。 支撑部件支撑加热器。 支撑部件为加热器提供发热源。 加热器包含在加热器内。 多个开口部分（45）包括在辊中。 滚筒为目标物体提供热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090123311A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049310
申请日：2008-05-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor thin film is provided to reduce a process cost and time by forming a semiconductor thin film on a substrate without a vacuum deposition device of high cost through a solution process. CONSTITUTION: A liquid state semiconductor layer(120) is formed on a top part of a substrate(110). A heat is selectively applied to a fixed region of a top part of the liquid state semiconductor layer. A semiconductor thin film(140) is formed by drying the liquid state semiconductor layer about a region in which a heat is applied. The liquid state semiconductor layer remaining to a different region except for the region in which the semiconductor thin film is formed is removed by organic solvent. The liquid state semiconductor layer is formed through a spin coating after photo-polymerizing a solution precursor on a top part of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体薄膜的方法，通过在基板上形成半导体薄膜来降低工艺成本和时间，而无需通过溶液处理成本高的真空沉积装置。 构成：液态半导体层（120）形成在基板（110）的顶部。 选择性地将热量施加到液态半导体层的顶部的固定区域。 通过在施加热量的区域周围干燥液态半导体层来形成半导体薄膜（140）。 除了形成半导体薄膜的区域之外，残留在不同区域的液态半导体层被有机溶剂除去。 液态半导体层通过在基板的顶部上的溶液前体光聚合之后通过旋涂形成。
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公开(公告)号：KR1020090041696A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020070107343
申请日：2007-10-24
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02282 , H01L21/0231 , H01L21/02592 , H01L21/324
Abstract: A method of fabricating an amorphous silicon thin film is provided to reduce the number of a poly silicon polymerization processes by using a Wurtz-type reductive coupling. A silicon monomer is mixed in the organic solvent and a dissipative system is formed. A metallic catalyst is dispersed in the dissipative system and the polysilanes polymer is formed. The polysilanes polymer is filtered, and a poly silicon is separated. The poly silicon is dissolved in the organic solvent and the polysilanes liquid is formed. The polysilanes liquid is deposited on the substrate, and the deposited polysilanes liquid is irradiated with UV rays and an amorphous silicon thin film is formed.
Abstract translation: 提供一种制造非晶硅薄膜的方法，以通过使用Wurtz型还原耦合来减少聚硅聚合方法的数量。 将硅单体在有机溶剂中混合并形成耗散系统。 金属催化剂分散在耗散系统中，形成聚硅烷聚合物。 过滤聚硅烷聚合物，分离多晶硅。 多硅溶解在有机溶剂中，形成聚硅烷液。 将聚硅烷液体沉积在基材上，并用紫外线照射沉积的聚硅烷液体，形成非晶硅薄膜。
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公开(公告)号：KR1020100095955A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020090015020
申请日：2009-02-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/324 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/2022 , H01L21/02667 , H01L27/1274 , H01L29/66765
Abstract: PURPOSE: A method for crystallizing an amorphous silicon layer and a method for forming a porous silicon structure are provided to crystallize the amorphous silicon layer for a short time by changing a property of the amorphous silicon layer by using the reactive heat from a chemical reaction. CONSTITUTION: A semiconductor structure including an amorphous silicon layer(12) is formed on the upper side of a substrate. A porous structure(12a) is formed on part of the upper layer of the amorphous silicon layer. Reactive liquid(20) is applied to the porous structure. Heat is generated by the reaction of the porous structure and the reactive liquid and the property of the amorphous silicon layer is changed by the heat. The porous structure is formed on part of the amorphous silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使非晶硅层结晶的方法和多孔硅结构的形成方法，通过使用来自化学反应的反应热改变非晶硅层的性质，使非晶硅层在短时间内结晶。 构成：在衬底的上侧形成包括非晶硅层（12）的半导体结构。 在非晶硅层的上层的一部分上形成多孔结构（12a）。 反应性液体（20）被施加到多孔结构。 通过多孔结构和反应性液体的反应产生热量，并且通过热量改变非晶硅层的性质。 多孔结构形成在非晶硅层的一部分上。
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公开(公告)号：KR1020100060499A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119109
申请日：2008-11-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66825 , B82Y10/00 , H01L29/42324 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/788 , Y10S977/762
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a flash memory device using a low temperature process is provided to implement a 3D lamination structure easily by forming a channel region with a liquid-based oxide semiconductor material. CONSTITUTION: A control gate(103) is arranged on a substrate. A floating gate(107) is arranged on a control gate. The floating gate is formed by coating carbon nanotube material. A channel layer(108) is arranged on the floating gate. The channel layer is formed by coating liquid-based oxide semiconductor material.
Abstract translation: 目的：提供使用低温工艺制造闪速存储器件的方法，通过形成具有液体氧化物半导体材料的沟道区域，容易地实现3D层叠结构。 构成：在基板上设置控制栅极（103）。 浮栅（107）布置在控制门上。 浮栅是通过涂覆碳纳米管材料形成的。 沟道层（108）布置在浮动栅极上。 沟道层通过涂布液体氧化物半导体材料形成。
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公开(公告)号：KR100957013B1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080049310
申请日：2008-05-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 액상 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 액상 반도체층 상부의 일정 영역에 선택적으로 열을 인가하여 상기 열이 인가된 영역에 대한 상기 액상 반도체층을 건조시켜 반도체 박막을 형성하는 단계와, 상기 반도체 박막이 형성된 영역 이외의 다른 영역에 잔류한 액상 반도체층을 유기용매를 이용하여 제거하는 단계를 포함함으로써, 별도의 마스크를 사용하지 않고도 기판 상에 반도체 박막을 증착할 수 있어 공정시 소요되는 비용 및 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.
액상 반도체, 박막 형성 공정, 선택적 열인가, 유기용매, 디스플레이
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