公开(公告)号：KR1020070048877A

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：KR1020050105912

申请日：2005-11-07

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 홍혁기 ,  김훈 ,  최연식 ,  유동규

IPC: A61B5/00

Abstract: 본 발명은 피하지방 두께 측정장치에 관한 것으로, 특히 광을 이용하여 피하지방의 두께를 측정하는 피하지방 두께 측정장치에 있어서, 대상 검수체에 근적외선을 조사하기 위한 적어도 하나 이상의 광원; 상기 광원으로부터 조사된 근적외선이 대상 검수체로 흡수된 뒤 반사되어 나오는 광을 감지하기 위한 적어도 하나 이상의 디텍터; 및 상기 디텍터에 의해 감지된 광의 세기로부터 대상 검수체의 피하지방 두께를 측정해내는 지방두께 측정부;를 포함하고, 상기 광원은 900㎚ 내지 1700㎚ 범위 내의 근적외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 피하지방 두께 측정장치이며, 이와 같이 종래와는 다른 파장대의 근적외선을 이용함으로써, 광의 피부 침투를 더욱 용이하게 하여 피하지방의 두께를 더욱 정확하고 간편하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
피하지방, 측정기, 근적외선

公开(公告)号：KR100586164B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020030087341

申请日：2003-12-03

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김훈

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14

Abstract: 본 발명은 SOI 웨이퍼의 실리콘 활성영역에 나노 사이즈의 신호 전하 전달 채널을 국소적으로 형성함으로써 전하의 구속상태를 국소적으로 달리하여 차원 변조(Dimension Modulation)를 시킴으로써 전하의 비선형적인 상태밀도분포를 인위적으로 만들어 광여기된 전하들에 의해 선형적으로 광신호가 발생, 전달될 수 있는 고감도의 이미지 센서 단위화소 구조에 관한 것이다.
본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판; 상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층; 상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인; 상기 소오스와 드레인 사이의 활성영역; 상기 활성영역에 형성되는 나노 사이즈의 채널; 및 상기 나노 사이즈의 채널 상부에 절연막을 게재하여 형성되는 게이트를 포함하여 이루어진 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서로서, Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계; 상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계; 상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO
2 산화막층을 형성하는 제 3단계; 상기 SiO
2 산화막층 상부에 질화막을 형성하는 제 4단계; 상기 질화막 위에 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계; 습식산화에 의해 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계; 상기 질화막과 SiO
2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사 이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계; 상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계; 상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및 상기 게이트와 단결정 실리콘층을 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 SOI 웨이퍼에 나노 채널을 형성하여 광여기된 전자의 구속상태가 2차원-1차원-2차원… 이 되도록 차원 변조 함으로써 전하 상태 밀도 함수의 비선형성을 광여기된 전하들로 하여금 광전변환하므로 기존의 PN 접합에 의한 포토 다이오드를 대체할 수 있어 PN 접합부가 차지하던 수광부 면적을 현저하게 줄일 수 있다. 또한 상기 신호전달 채널을 적어도 두 개 이상의 복수개로 형성했을 때에는 특정한 외부 바이어스나 빛의 조사 없이는 전류가 흐르기 어렵기 때문에 암전류나 노이즈로 인한 전류를 방지할 수 있고, 열과 같은 외부영향에 의한 전하의 전달을 막을 수 있다는 장점이 있다.
이미지 센서, 나노 채널, 포토 트랜지스터

公开(公告)号：KR100567776B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020030096086

申请日：2003-12-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  조영창 ,  김훈

IPC: H01L31/10

Abstract: 본 발명은 광 검출기 및 그의 구동 방법에 관한 것으로, SOI(Silicon-On-Insulator) 기판을 이용하여 제조된 N채널 또는 P채널 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)구조의 광검출기를 준비하고, 상기 N채널 MOSFET 구조의 광검출기에서는 하부 실리콘층에 - 전압을 인가하고, 상기 P채널 MOSFET 구조의 광검출기에서는 하부 실리콘층에 + 전압을 인가하도록 연결하여 구동시킨다.
따라서, 본 발명의 광 검출기는 백게이트에 채널 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하도록 구성함으로써, 작은 광량에도 광전특성이 우수한 효과가 있어 광 검출기 산업상 매우 유용한 발명인 것이다.
광검출기, 백게이트, 채널

公开(公告)号：KR100531236B1

公开(公告)日：2005-11-28

申请号：KR1020030087293

申请日：2003-12-03

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김훈

IPC: H01L27/146

Abstract: 본 발명은 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 기판 상에 형성된 게이트 및 LBT(Lateral Bipolar transistor, 이하 LBT) 현상을 효과적으로 조절하여 빛에 의해 여기된 전자(Electron)를 SOIMOSFET(Silicon On Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor, 이하 SOIMOSFET)의 부유 바디(Floating Body)에 축적되도록 함으로써 FET의 바디 포텐셜(Body Potential)을 광여기 캐리어에 선형적으로 증가시켜 결국, FET의 문턱 전압을 조절하여 광응답을 전류가 증대시킴으로써 광전변환 효율의 증가와 동시에 고감도, 고집적 이미지센서에 응용할 수 있는 단위 화소 구조의 최적화에 관한 것이다.
본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 P 형 기판에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계에서 식각되지 않은 활성 실리콘을 패턴하여 십자형 활성 실리콘을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 마주보는 두 영역의 소정 부분에 N 형 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 상기 N 형 영역이 형성된 영역을 제외한 마주보는 두 영역의 소정 부분에 P 형 이온을 주입하여 P 형 영역을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 십자형 활성 실리콘의 P 형 영역과 상기 포토 다이오드의 N 형 영역을 연결하는 연결부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판을 이용함으로써 암 전류를 낮출 수 있고, 단위 소자의 크기를 줄 일수 있을 뿐만 아니라, 기생적인 부유 캐패시턴스를 줄일 수 있어 고속 동작이 가능하며 빛에 민감하게 반응할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100512846B1

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：KR1020020065313

申请日：2002-10-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  김훈

IPC: H01L31/10

Abstract: 본 발명은 광 흡수 면적을 증가시켜 기존의 포토디텍터보다 우수한 광특성을 얻을 수 있도록 한 포토디텍터의 제작방법이다.
본 발명의 포토디텍터 제작방법은 Si, GaAs, InP를 포함하는 웨이퍼 또는 에피텍셜 성장된 것 중의 어느 하나로 이루어진 진성층 기판의 아랫면에 N+ 도핑된 영역을 형성하는 단계와, 진성층 기판의 윗면에 P+를 위한 마스크를 이용하여 P+ 영역을 형성하는 단계를 포함하는 PIN 포토다이오드를 이용한 포토디텍터에 있어서, 상기 PIN 포토다이오드의 광흡수 영역인 P+를 식각하기 위해 마스크를 추가로 사용하는 단계; 상기 마스크를 이용하여 P+ 영역과 진성층 영역까지 식각하는 단계; 및 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 제조됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 포토디텍터의 제작방법은 PIN 포토다이오드의 광 흡수 영역인 P+를 추가적으로 식각함으로써 기존의 PIN 포토다이오드와 동일한 입사면적에 대해 광 흡수 면적이 증가되므로 많은 광전류를 얻을 수 있고, 따라서 집적화가 용이하다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100499956B1

公开(公告)日：2005-07-05

申请号：KR1020020065314

申请日：2002-10-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  김훈

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L31/1136

Abstract: 본 발명은 양자채널이 형성된 MOSFET(Metal-oxide-semiconductor field effect transistor, 이하 MOSFET)을 이용한 포토디텍터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터는 활성화된 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 웨이퍼(1)부; 상기 활성화된 SOI 웨이퍼부 중앙에 형성된 양자채널(2); 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 산화막(3); 상기 양자채널에서의 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 연결된 게이트(4); 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스(5)와 드레인(6); 및 상기 게이트와 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층(7)을 포함하여 이루어진 포토디텍터로서, 빛에 의한 전자의 이동이 양자 채널을 통하여 이루어지도록 SOI 웨이퍼(1) 상에 Si 활성영역이 형성되는 단계; 상기 활성영역에 양자채널(2)이 형성되는 단계; 상기 양자채널이 형성된 SOI 웨이퍼에 게이트 산화막(3)이 형성되는 단계; 상기의 게이트 산화막 위에 리소그래피를 이용하여 게이트(4)가 형성되는 단계; 상기 양자채널 양끝에 소오스(5)와 드레인(6)이 형성되는 단계; 및 상기의 게이트와 소오스 및 드레인에 접합부가 형성되어 금속층(7)을 형성하는 단계를 포함하여 제조됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터는 초기 암전류가 높고 감도가 떨어져서 포토디텍터로는 거의 상용화되지 못하고 있는 SOI MOSFET 구조를 기본으로 하고는 있지만, 이 SOI MOSFET에 양자채널을 형성함으로써 기존의 SOI MOSFET 소자에 비하여 우수한 광전류 특성을 얻을 수가 있다. 따라서 본 발명에 의한 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터는 집적화가 용이하고 속도가 빠른 MOSFET의 장점을 그대로 살리면서도 포토디텍터로 이용될 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050064604A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030096086

申请日：2003-12-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  조영창 ,  김훈

IPC: H01L31/10

Abstract: 본 발명은 광 검출기 및 그의 구동 방법에 관한 것으로, SOI(Silicon-On-Insulator) 기판을 이용하여 제조된 N채널 또는 P채널 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)구조의 광검출기를 준비하고, 상기 N채널 MOSFET 구조의 광검출기에서는 하부 실리콘층에 - 전압을 인가하고, 상기 P채널 MOSFET 구조의 광검출기에서는 하부 실리콘층에 + 전압을 인가하도록 연결하여 구동시킨다.
따라서, 본 발명의 광 검출기는 백게이트에 채널 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하도록 구성함으로써, 작은 광량에도 광전특성이 우수한 효과가 있어 광 검출기 산업상 매우 유용한 발명인 것이다.

公开(公告)号：KR1020040036341A

公开(公告)日：2004-04-30

申请号：KR1020020065316

申请日：2002-10-24

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 송홍주 ,  노정현 ,  김훈

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/778

Abstract: PURPOSE: A high sensitivity light receiving device using an HEMT(High Electron Mobility Transistor) is provided to be capable of improving response time and obtaining optimal sensitivity. CONSTITUTION: A high sensitivity light receiving device using an HEMT is provided with a semi-insulating InP substrate(10), an In0.53Ga0.47As conductive layer(13) formed on the semi-insulating InP substrate, a two-dimensional electron channel layer(14) formed on the conductive layer, and a potential barrier layer(15) formed on the electron channel layer for confining the free electrons existing at the electron channel layer. The high sensitivity light receiving device further includes an N type Al0.48In0.52As electron donor layer(16) formed on the potential barrier layer, an InP window layer(17) formed on the electron donor layer, and an electrode(19) connected with the conductive layer and the electron channel layer.

Abstract translation: 目的：提供使用HEMT（高电子迁移率晶体管）的高灵敏度光接收装置，能够改善响应时间并获得最佳灵敏度。 构成：使用HEMT的高灵敏度的光接收装置设置有半绝缘InP衬底（10），形成在半绝缘InP衬底上的In0.53Ga0.47As导电层（13），二维电子通道 形成在导电层上的层（14）和形成在电子通道层上的用于限制存在于电子通道层的自由电子的势垒层（15）。 高灵敏度光接收装置还包括形成在势垒层上的N型Al0.48In0.52As电子供体层（16），形成在电子供体层上的InP窗口层（17）和连接的电极（19） 与导电层和电子通道层。