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1.发明授权
公开(公告)号：KR101327243B1
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020110143012
申请日：2011-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 멀티 레이저 다이오드를 개별 구동하기 위한 p-서브마운트에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, p형 전극과 n형 전극이 서로 반대 방향에 위치한 바형태의 레이저 다이오드 어레이의 p형 서브마운트에 있어서, 열전달성을 가진 기판;
상기 기판의 상면에 상기 기판의 일방향을 따라 배치되고 상호 전기적으로 절연된 복수의 전도성 라인 구조물을 포함하고,
상기 복수의 전도성 라인 구조물 각각은, 전원이 공급되는 전원 단자부; 상기 바형태의 레이저 다이오드 어레이의 p형 전극이 결합되는 탑재부; 및 상기 전원 단자부와 상기 탑재부 사이를 전기적으로 연결하는 배선라인을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020120069468A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66212 , H01L29/454 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high voltage GaN Schottky barrier diode is provided to reduce metal spike by dropping an annealing temperature of an ohmic contact. CONSTITUTION: An ohmic contact(50) is formed by annealing a doped GaN layer(40) at 700 to 800 degrees centigrade for 30 to 60 seconds. A recess(43) is formed on the doped GaN layer separated from the ohmic contact area. A Schottky contact(60) is formed in the recess. A protection layer(70) is formed on the upper side of the substrate to cover an exposed part. The protection layer exposes the ohmic contact and the Schottky contact.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高电压GaN肖特基势垒二极管的方法，通过降低欧姆接触的退火温度来减少金属尖峰。 构成：通过在700至800摄氏度下对掺杂的GaN层（40）退火30至60秒形成欧姆接触（50）。 在与欧姆接触区域分离的掺杂GaN层上形成凹部（43）。 肖特基接触件（60）形成在凹部中。 保护层（70）形成在基板的上侧以覆盖露出部分。 保护层暴露了欧姆接触和肖特基接触。
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公开(公告)号：KR1020110033969A
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/12 , H01L31/02002 , H01L31/0232 , H01L31/052 , H01L33/62
Abstract: PURPOSE: A package module integrate with a light emitting device and a light receiving device is provided to reduce an integration volume by integrating the light emitting device and the light receiving device with one package. CONSTITUTION: A light emitting device module(200) includes a light emitting device(210) and an optical device which faces an object by controlling a light emitting axis of the light emitting device. A light receiving device module(100) includes a light receiving device(110) which receives fluorescence from the object and is integrated with the light emitting device module.
Abstract translation: 目的：提供与发光器件集成的封装模块和光接收器件，以通过将发光器件和光接收器件集成在一个封装中来减小积分体积。 构成：发光器件模块（200）包括通过控制发光器件的发光轴而面对物体的发光器件（210）和光学器件。 光接收装置模块（100）包括光接收装置（110），其接收来自物体的荧光并与发光装置模块集成。
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公开(公告)号：KR1020040036341A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065316
申请日：2002-10-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/10 , H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A high sensitivity light receiving device using an HEMT(High Electron Mobility Transistor) is provided to be capable of improving response time and obtaining optimal sensitivity. CONSTITUTION: A high sensitivity light receiving device using an HEMT is provided with a semi-insulating InP substrate(10), an In0.53Ga0.47As conductive layer(13) formed on the semi-insulating InP substrate, a two-dimensional electron channel layer(14) formed on the conductive layer, and a potential barrier layer(15) formed on the electron channel layer for confining the free electrons existing at the electron channel layer. The high sensitivity light receiving device further includes an N type Al0.48In0.52As electron donor layer(16) formed on the potential barrier layer, an InP window layer(17) formed on the electron donor layer, and an electrode(19) connected with the conductive layer and the electron channel layer.
Abstract translation: 目的：提供使用HEMT（高电子迁移率晶体管）的高灵敏度光接收装置，能够改善响应时间并获得最佳灵敏度。 构成：使用HEMT的高灵敏度的光接收装置设置有半绝缘InP衬底（10），形成在半绝缘InP衬底上的In0.53Ga0.47As导电层（13），二维电子通道 形成在导电层上的层（14）和形成在电子通道层上的用于限制存在于电子通道层的自由电子的势垒层（15）。 高灵敏度光接收装置还包括形成在势垒层上的N型Al0.48In0.52As电子供体层（16），形成在电子供体层上的InP窗口层（17）和连接的电极（19） 与导电层和电子通道层。
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公开(公告)号：KR101696298B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020140052556
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01S3/04
Abstract: 레이저영상기기용백색레이저모듈이제공된다. 본발명의실시예에따른백색레이저모듈은, 제1 레이저광원, 제2 레이저광원및 제3 레이저광원을층계형으로배치하여함께냉각시킨다. 이에의해, 레이저광원모듈의소형화를이룰수 있게되고, 열전소자와칠러를통해레이저광원모듈을냉각시켜방열문제를해소시킬수 있게된다.
Abstract translation: 提供了一种用于激光图像装置的白色激光模块。 根据本发明的实施例的白色激光模块具有第一激光光源，第二激光光源和第三激光光源的阶梯型结构并将其冷却。 由此，能够实现激光光源模块的小型化。 热辐射问题可以通过冷却激光光源模块通过热电元件和冷却器来解决。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101462392B1
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130166323
申请日：2013-12-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/40
CPC classification number: H04B10/40 , G02B7/02 , H04B10/071 , H04B10/25
Abstract: 본 발명은 광통신 선로의 상태를 감시하는 OTDR(Optical Time Domain Reflectometer)을 광통신 모듈인 OSA(Optical Sub Assemble)에 일체로 구현하여 광선로의 상태를 실시간으로 감시할 수 있도록 한 오티디알(OTDR) 기능이 포함된 광 트랜시버 내장형 오에스에이(OSA)에 관한 것으로, 광섬유를 향해 제1광을 발생하는 OTDR송신부와; 상기 OTDR송신부로부터 제공되는 제1광은 투과시키고, 광섬유로부터 후방산란 된 제2광은 반사시키기 위하여 홀이 형성된 OTDR필터와; 상기 광섬유와 마주보는 부분에 볼록면을 형성하여 OTDR필터를 통해 투과되는 빛을 광섬유로 조사하고, 광섬유로부터 후방으로 산란된 제2광을 상기 OTDR필터로 투과하는 포커싱렌즈와; 상기 포커싱렌즈를 투과하는 제2광을 수신하여 제2광에 의해 광선로의 상태를 진단하는 OTDR수신부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며, OTDR 기능을 구성하는 지향성 커플러에 필터와 홀 구조에 광(Optics)fmf 적용함으써 기존 대비 향상된 효율을 얻을 수 있다. 또한 광통신 다이플렉서에 OTDR 기능이 집적화 되었으므로 상시 광선로의 상태를 진단할 수 있으며, 광 모듈의 소형화, 고 효율화, 저가격화의 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有光时域反射计（OTDR）功能的光收发器嵌入式光子组件（OSA），可通过集成OTDR来监视光学状态，实时监控光线的状态 具有作为光通信模块的OSA。 具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA包括：向光纤产生第一光的OTDR发送单元; OTDR滤波器，其具有用于透射从OTDR发送单元提供的第一光的孔，并将从光纤散射的第二光反射到其后部; 聚焦透镜，其在面向光纤的部分上具有凸表面，以允许光纤被透过OTDR滤光器的光照射，并将从光纤散射的第二光透射到OTDR滤光器 其后部; 以及OTDR接收单元，其接收穿过聚焦透镜的第二光，并且使用第二光来诊断光纤的状态。 与现有技术相比，通过将滤波器和孔结构应用于构成OTDR功能的定向耦合器可以获得光学效率。 此外，可以一直诊断光纤的状态，并且可以减小光学模块的尺寸，可以提高其效率，并且通过将OTDR功能与光通信双工器集成，可以以低成本制造光模块。
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公开(公告)号：KR101437437B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020120156221
申请日：2012-12-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: FBG 센서 시스템 및 그의 광 신호처리 모듈이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 광 센서 시스템은, 광 센서에서 반사된 광의 세기 및 파장을 전기 신호로 출력하는 광 신호처리 모듈과 광 신호처리 모듈에서 출력되는 광의 세기 및 파장의 비율을 외부 환경에 대한 센싱 정보로 출력하는 전기 신호처리 모듈을 포함한다. 이에 의해, FBG 센서 시스템 및 그에 적용가능한 광 신호처리 모듈에 대해, 구성을 간단화 시켜 제조가 용이하고, 부피를 축소시켜 소형화가 가능하며, 제조 단가를 낮추어 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR101069197B1
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 대상체에 대향하여 발광하는 발광 소자; 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 발광하는 발광 소자 및 상기 형광을 수광하는 수광 소자; 상기 수광 소자를 포함하며, 상면의 일부를 개구하는 홀을 구비하는 판형의 수광 소자 모듈; 및 상기 발광 소자를 포함하며, 상기 수광 소자 모듈의 홀을 통해 상기 발광 소자가 발광하도록 상기 홀 내부에 설치되는 발광 소자 모듈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다.
발광 소자, 수광 소자, 패키지, 광디텍터, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR101039100B1
公开(公告)日：2011-06-07
申请号：KR1020080130305
申请日：2008-12-19
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LED 상부와 측면에 각각 렌즈 및 미러를 구성하여 LED의 광 추출효율 및 광의 직진성 또는 집광성을 향상시키는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED 상부에 접착된 렌즈; 상기 LED 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED의 액티브 메사층 상부 및 측면을 모두 감싸도록 접착된 렌즈; 상기 렌즈의 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출되어 상기 렌즈의 측면에 입사된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
렌즈, PVD, CVD, 미러, 액티브 메사-
公开(公告)号：KR1020110033744A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An integrated luminous element and a photo-detector package module are provided to implement a light emitting operation and a light receiving operation by making a light emitting device and a light receiving device opposite to each other. CONSTITUTION: In an integrated luminous element and a photo-detector package module, a light emitting device(210) radiates light to a target. A light receiving device(110) receives fluorescent light from a target. A light receiving device module(100) includes an opening opens a part of the module. The light emitting device module(200) is installed in a hole to enable the light emitting device to radiate light through the hole of the light receiving device module. The light emitting device module includes a heat sink with holes on the top thereof.
Abstract translation: 目的：提供集成的发光元件和光电检测器封装模块，以通过使发光器件和光接收器件彼此相对地实现发光操作和光接收操作。 构成：在集成发光元件和光电检测器封装模块中，发光器件（210）将光辐射到目标。 光接收装置（110）从目标接收荧光。 光接收装置模块（100）包括开口部分的模块。 发光器件模块（200）安装在孔中以使得发光器件能够通过光接收器件模块的孔辐射光。 发光器件模块包括在其顶部具有孔的散热器。
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