Abstract:
본 발명에 의한 Pb(Zr 1-X Ti X )O 3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr 1-X Ti X )O 3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr 1-X Ti X )O 3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr 1-X Ti X )O 3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr 1-X Ti X )O 3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr 1-X Ti X )O 3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.
Abstract:
본 발명은 강유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 스퍼터링 법이나 레이저 에블레이션법 등을 이용한 Pb(Zr 1-x Ti x )O 3 (PZT) 강유전 박막 제조에 있어서, 잉여의 Pb성분을 함유한 완충층이 삽입되어 복합 증착되도록 강유전 박막을 형상하므로써, 1) 미세크랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 2)전극과 박막 계면 부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 3) 스퍼터 입자들의 에너지를 쉽게 흡수할 수 있어, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.
Abstract:
본 발명은 박막 전계발과 표시(thin film electroluminescent display) 소자의 절연층을 형성하는 유리박막에 관한 것임. 본 발명의 복합 유전층 구조는 투명전극인 인듐 팀 산화물(ITO)이 도포된 유리기판 위에 먼저 Si 3 N 4 , 실리콘 옥시나이트라이드(Silicon Oxynitride) 또는 SiAION으로 구성되는 버퍼층을 10∼100nm의 두께로 증착시킨 다음 버퍼층 위에 절연층으로서의 B a1-x Sr x TiO 3 (0<x<1)의 유리전막을 200∼400nm의 두께로 증착시킴에 의해 형성된다. 본 발명은 유리기판의 ITO층과 유리박막의 사이에 버퍼층이 형성됨에 따라 종래의 유전체에 비해 누설전류 및 파괴전계강도등의 전기적 특성면에서 우수한 효과를 발휘한다.
Abstract:
본 발명은 박말 전계발광 표시(thin film electroluminescent display) 소자를 구성하는 Ba 1-x Sr x TiO 3 조성의 유전박막에 관한 것이다. 본 발명의 유전박막은 투명전극 형성용 인듐 틴 산화물(ITO)이 도포된 유리기관위에 유리기판을 25∼550℃로 가열한 상태 Ba 1-x Sr x TiO 3 (0<x<1) 조성을 증착시키거나 상온 증착 후 열처리하는 방법에 의해서 얻어진다. 본 발명의 박말 전계발광 표시자용 유전박막은 기존의 유전체에 비해 훨씬 높은 유전율을 나타냄과 아울러 우수한 파괴 전계강도를 나타내는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 슬릿(slit)을 갖는 캔틸레버(cantilever) 센서 및 이를 포함하는 바이오 센서에 대한 것으로, 더욱 구체적으로는 평판에 형성된 슬릿과 상기 슬릿에 의해 형성된 캔틸레버; 상기 캔틸레버 상에 형성된 제1전극; 및 상기 슬릿을 중심으로 상기 제1전극에 대향하여(countered) 상기 평판에 형성된 제2전극;을 포함하여 이루어지고, 슬릿을 갖는 캔틸레버 센서에 전극을 구비하는 것을 특징으로 함으로서, 전기적인 방법으로 센싱이 가능하며, 이를 통해 센서를 소형화할 수 있는 효과가 있다.