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公开(公告)号：KR101019639B1
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020090007470
申请日：2009-01-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 파이로미터를 이용하여 진공증착에 의해 박막이 형성되는 기판의 온도를 측정하도록 하되 상기 파이로미터를 밀폐된 히팅수단 몸체의 내부에 장착하여 기판 후면의 온도를 측정하도록 함으로써 증발되는 기체의 간섭없이 정확한 측정이 가능하도록 한 것이다. 또한, 비접촉에 의해 기판의 온도를 측정함으로 접촉에 따른 기판의 손상과 열손실을 방지할 수 있어 균일한 박막의 형성이 가능하도록 하는 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 관한 것이다.
본 발명은 내측하부에 Cu,In,Ga,Se등의 원소를 내포하는 보트나 이퓨젼셀인 증발원이 설치된 진공챔버와, 상기 진공챔버의 내부에 장착되어 진공챔버의 증발물질이 내입되는 것을 방지하는 몸체와 상기 몸체의 하부면에 장착되어 기판을 안치하는 트레이와 상기 기판에 열을 가하는 열원을 구비한 히팅수단과, 상기 트레이에 안치되는 기판의 온도를 측정하는 기판온도측정장치와, 상기 기판온도측정장치로부터 측정된 신호를 입력받는 제어부를 포함하여 구성된 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 있어서, 상기 기판온도측정장치는 히팅수단의 몸체 내에 장착되어 기판 후면의 온도를 측정하는 파이로미터인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 히팅수단의 열원은 환형으로 구성하고, 중심에는 온도측정통공을 형성하여 파이로미터에서 광조사와 반사된 광의 입사가 이루어지도록 할 수 있다.
CIS계 태양전지, 기판, 온도측정, 박막, 파이로미터Abstract translation: 目的：提供CIS系统复合薄膜制造装置，通过防止由于接触导致的热损失和基板的损坏而形成均匀的薄膜。 构成：真空室（20）包括容纳诸如Cu，In，Ga的元件的舟皿。加热部件（30）包括主体，托盘和加热源。 高温计（40）测量放置在托盘中的基板的温度。 控制器接收从高温计测量的信号。 高温计安装在加热部件的主体内，并测量基板背面的温度。
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公开(公告)号：KR101976678B1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：KR1020170171319
申请日：2017-12-13
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/042
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公开(公告)号：KR101877847B1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：KR1020170024089
申请日：2017-02-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/03926 , H01L31/02366 , H01L31/1884
Abstract: 본발명은박막태양전지용연성기판의응력완화방법에관한것으로, 더욱상세하게는연성기판의후면에패터닝된금속막을증착시킴으로써연성기판의전면에증착되는금속전극이갖는압축/인장응력을상쇄시킬수 있는, 박막태양전지용연성기판의응력완화방법에관한것이다. 본발명에따르면, 연성기판의후면에패터닝된금속막을증착시킴으로써연성기판전면에증착된금속전극의압축/인장응력을상쇄시킬수 있다. 또한기판의후면에증착되는금속막에는패턴이형성되어있어기판의후면부에조사해주는할로겐램프타입히터의조사광이기판후면부의빈 공간(금속막이형성되지않은공간)을통해기판을투과한후 바로기판전면의금속전극에전달되기때문에기판전면부의공정온도조절이용이한장점이있다.
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公开(公告)号：KR20180046169A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR20160141091
申请日：2016-10-27
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/048 , H01L31/0232 , H01L31/042 , H01L31/049
CPC classification number: H02S40/10 , H01L31/049
Abstract: 본발명은중기간또는단기간동안사용할수 있는간단한구조의태양전지패키지에관한것으로, 광전변환에의해전기에너지를생산하는태양전지셀; 상기태양전지셀의전면에위치하는전면밀봉시트; 및상기태양전지셀의후면에위치하는후면밀봉시트를포함하여구성되며, 상기후면밀봉시트에흡습제입자가분산되어있거나, 상기전면밀봉시트및 상기후면밀봉시트모두에흡습제입자가분산되어있고, 상기전면밀봉시트와상기후면밀봉시트가접착되어상기태양전지셀을밀봉하고있는것을특징으로한다. 본발명은, 흡습제입자가분산된밀봉시트를사용하여태양전지셀을밀봉함으로써, 밀봉시트만으로패키징한간단한구조임에도불구하고흡습제입자에의해서습기로부터태양전지셀을보호하여중기간또는단기간동안사용할수 있는태양전지패키지를제공할수 있는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170126352A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020160056666
申请日：2016-05-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H02S20/26
CPC classification number: H01L31/03923 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H02S20/26 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은반투명특성을가지면서도효율이우수한 CIGS 태양전지및 이의제조방법에관한기술을제공하며, 본발명의일실시예에따른반투명 CIGS 태양전지는투명전도성기판, 투명전도성기판상에형성되고밴드갭이광흡수층보다높은 AgGaS중간층, 중간층상에 400nm 이하의두께로형성되고밴드갭이 1.5 eV 이상인 CIGS계광흡수층을포함하며, 광흡수층상에순차적으로버퍼층, 투명전도층, 전면전극이적층된구조를갖으며, 후면전극으로투명반도체산화물을사용하고밴드갭이 1.5 eV 이상으로높은 CIGS 광흡수층을사용함에따라가시광선영역의일부광을투과시켜반투명특성을가지면서도투명전도성기판과광흡수층의사이에밴드갭이큰 중간층을포함함에따라태양전지의투명성과효율을동시에향상시키는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR101778723B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160153512
申请日：2016-11-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/042 , H01L31/0687
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/0322 , H01L31/0687 , H01L31/1884 , Y02E10/544 , H01L31/03923 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은투명한후면전극을구비한 CIGS계태양전지셀의제조방법에관한것으로, 투명한산화물재질의후면전극층을형성하는단계; 상기후면전극층위에금속재질의후면전극패턴을형성하는단계; 상기후면전극패턴이형성된후면전극층위에 CIGS계광흡수층을형성하는단계; 상기광흡수층위에버퍼층을형성하는단계; 및상기버퍼층위에투명재질의전면전극을형성하는단계를포함하여구성되며, 상기후면전극패턴은금속재질의패턴사이에빛이투과하는투과부가형성되는것을특징으로한다. 본발명은, TCO 재질의후면전극층표면에광투과부가형성된금속재질의후면전극패턴을형성함으로써, 후면전극층과광흡수층사이에 GaO가형성되는양을줄일수 있고, GaO가형성되는경우에도후면전극패턴을통해전류가흐르기때문에후면전극층과광흡수층사이의계면저항이증가하는것을방지하여 TCO 재질의후면전극을사용하고도태양전지셀의광전변환효율이뛰어난효과를얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有透明背电极的CIGS太阳能电池的方法，包括：形成透明氧化物材料的背电极层; 在后电极层上形成金属材料的后电极图案; 在形成有后电极图案的后电极层上形成CIGS光吸收层; 在光吸收层上形成缓冲层; 并且在缓冲层上形成透明材料的前电极，其中后电极图案形成有透明部分，光透过所述透明部分在金属图案之间传输。 本发明中，通过形成TCO材料的底电极表面上形成光透射部分的金属材料构成的背面电极图案，并且即使高正规型电极可降低在背面电极层和光吸收层，背面之间性别高正规型的量， 防止由于跨越使用TCO材料hagodo的背面电极图案中的电流流动的背面电极层和光吸收的增加之间的界面电阻可以得到的太阳能电池的效果优良的光电转换效率。
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公开(公告)号：KR1020170079405A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150189914
申请日：2015-12-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은고품질의 FeS박막을상용화에적합한공정으로형성하는방법에관한것으로, Fe-산화물박막형성단계; 상기 Fe-산화물박막을 S가스분위기에서열처리하는 1차열처리단계; 및 1차열처리를거친박막에대하여 HS가스분위기에서열처리하는 2차열처리단계;를포함하는것을특징으로한다. 본발명은, Fe-산화물박막을형성한뒤에 S 가스분위기에서의 1차열처리와 HS 가스분위기에서의 2차열처리를순차적으로수행함으로써, 2차상이없고밀도가뛰어난고품질의 FeS박막을매우짧은열처리시간으로제조할수 있는뛰어난효과가있다. 또한, 본발명의제조방법은, 고품질의 FeS박막을대량생산에적합하고제조비용이낮은공정으로형성할수 있기때문에, 상용화가가능하며태양전지제조비용을크게낮출수 있는뛰어난효과를나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020160006371A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140085798
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은다양한스펙트럼을갖는빛을출사가능한광 바이어스장치및 이를이용한태양전지분광응답측정장치에관한것이다. 본발명에의한광 바이어스장치는, 빛을발광하는바이어스광원을구비한광원부; 입사된빛이경로를따라이동되는복수의광유로가구비된광가이드부; 및상기광가이드부입구에각각위치되거나, 또는상기광가이드부에서이동되는빛의경로상에위치되거나, 또는상기광가이드부출구에각각위치되는적어도하나의광필터가구비된복수의광필터부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够照射具有各种光谱的光的偏光装置，以及使用其的太阳能电池光谱响应性测定装置。 根据本发明，光偏置装置包括：具有发光的偏置光源的光源部; 导光部，具有入射光沿其移动的多个光路; 以及多个光学滤光器部分，其具有一个或多个光学滤光器，分别位于导光部分的入口中，位于在导光部分中移动的光的路径中，或分别位于导光部分的出口中。
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80.发明公开블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층의 제조방법과 후면전극의 전반사막 제조방법 및 이를 포함하여 구성되는 박막 태양전지 有权通过在柔性基板和使用其的太阳能电池上沉积的嵌段共聚物模板的图形应力松弛层和反射层的制造方法
公开(公告)号：KR1020160004572A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140083032
申请日：2014-07-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/046
Abstract: 블록코폴리머나노패턴이형성된박막태양전지연성기판의응력완화층의제조방법과후면전극의전반사막제조방법및 이를포함하여구성되는박막태양전지에관한것으로, 나노사이즈패터닝이구조적으로연성기판의응력을완화하고, 광경로를더욱길게연장하여전체적인광전효율을크게향상시키는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有嵌段共聚物纳米图案的柔性基板的应力松弛层的制造方法，背面电极的全反射层的制造方法以及包含该方法的薄膜太阳能电池。 通过柔性基板的结构松弛应力和通过纳米尺寸图案延伸光路，总光电效率显着增加。 具有嵌段共聚物纳米图案的柔性基板的应力松弛层的制造方法包括以下步骤：制备柔性基板; 在柔性基板上沉积由单层或多层构成的应力松弛层; 在应力松弛层的表面上涂布嵌段共聚物层; 通过用热处理涂覆的嵌段共聚物层自发形成纳米结构; 通过除去纳米结构自发形成的嵌段共聚物层的一部分形成纳米图案; 通过蚀刻工艺将嵌段共聚物纳米图案转移到应力松弛层; 并除去剩余的嵌段共聚物。
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