바나듐이산화물 박막의 제조방법
    71.
    发明公开
    바나듐이산화물 박막의 제조방법 失效
    制造氧化钒薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020070023477A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:KR1020050117265

    申请日:2005-12-03

    Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐산화물 박막을 제조한다.
    바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

    급격한 MIT 소자, 그 소자를 이용한 고전압 잡음제거회로 및 그 제거회로를 포함한 전기전자시스템
    72.
    发明公开
    급격한 MIT 소자, 그 소자를 이용한 고전압 잡음제거회로 및 그 제거회로를 포함한 전기전자시스템 失效
    用于移除适应相同设备的高电压噪声的电路,以及包含相同电路的电气和电子系统

    公开(公告)号:KR1020070014928A

    公开(公告)日:2007-02-01

    申请号:KR1020050124045

    申请日:2005-12-15

    Abstract: An abrupt MIT device, a high-voltage noise removing circuit using the same, and an electrical and electronic system with the circuit are provided to remove a high-voltage noise higher than a limit voltage of each of the abrupt MIT devices by using serially-connected abrupt MIT devices. An abrupt MIT(Metal-Insulator Transition) device includes a substrate(100) and first and second abrupt MIT structures(600,600a) respectively formed on an upper surface and a lower surface of the substrate. Each of the first and second abrupt MIT structures has a characteristic of an insulator below a predetermined limit voltage and has a characteristic of a metal above the limit voltage. Each of the first and second abrupt metal-insulator transition structures has an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films contacting the abrupt MIT thin film.

    Abstract translation: 提供突发MIT装置,使用该装置的高压噪声消除电路以及具有该电路的电气和电子系统,以通过使用串联方式来消除高于每个突发MIT装置的极限电压的高电压噪声, 连接的突发MIT设备。 突变MIT(金属绝缘体转移)器件包括分别形成在衬底的上表面和下表面上的衬底(100)和第一和第二突变MIT结构(600,600a)。 第一和第二突变MIT结构中的每一个具有低于预定极限电压的绝缘体的特性,并且具有高于极限电压的金属的特性。 第一和第二突变金属 - 绝缘体转变结构中的每一个具有突变的MIT薄膜和与突变的MIT薄膜接触的至少两个电极薄膜。

    급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호 회로 및그 회로를 포함한 전기전자시스템
    73.
    发明授权
    급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호 회로 및그 회로를 포함한 전기전자시스템 失效
    使用突发MIT设备和包括相同电路的电气和电子系统来保护电气和电子系统的电路

    公开(公告)号:KR100640001B1

    公开(公告)日:2006-11-01

    申请号:KR1020050111882

    申请日:2005-11-22

    CPC classification number: H01L49/003 H01L27/0248

    Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
    금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

Patent Agency Ranking