公开(公告)号：KR1020070023477A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020050117265

申请日：2005-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

公开(公告)号：KR1020070014928A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020050124045

申请日：2005-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김경옥

IPC: H02H7/22 ,  H02H1/00

Abstract: An abrupt MIT device, a high-voltage noise removing circuit using the same, and an electrical and electronic system with the circuit are provided to remove a high-voltage noise higher than a limit voltage of each of the abrupt MIT devices by using serially-connected abrupt MIT devices. An abrupt MIT(Metal-Insulator Transition) device includes a substrate(100) and first and second abrupt MIT structures(600,600a) respectively formed on an upper surface and a lower surface of the substrate. Each of the first and second abrupt MIT structures has a characteristic of an insulator below a predetermined limit voltage and has a characteristic of a metal above the limit voltage. Each of the first and second abrupt metal-insulator transition structures has an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films contacting the abrupt MIT thin film.

Abstract translation: 提供突发MIT装置，使用该装置的高压噪声消除电路以及具有该电路的电气和电子系统，以通过使用串联方式来消除高于每个突发MIT装置的极限电压的高电压噪声， 连接的突发MIT设备。 突变MIT（金属绝缘体转移）器件包括分别形成在衬底的上表面和下表面上的衬底（100）和第一和第二突变MIT结构（600,600a）。 第一和第二突变MIT结构中的每一个具有低于预定极限电压的绝缘体的特性，并且具有高于极限电压的金属的特性。 第一和第二突变金属 - 绝缘体转变结构中的每一个具有突变的MIT薄膜和与突变的MIT薄膜接触的至少两个电极薄膜。

公开(公告)号：KR100640001B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로