公开(公告)号：KR100937871B1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：KR1020070129929

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김현탁 ,  윤선진 ,  오수영 ,  문종태

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/72 ,  G02B6/35

Abstract: 본 발명은 3 단자 MIT 소자의 스위칭 소자로서의 이용의 문제점을 개선하기 위하여, 소비전력이 작고 또한 신뢰성이나 내구성 문제도 해결할 수 있으며, 더 나아가 고속으로 스위칭 기능이 가능한 MIT 소자를 포함한 광 유도 스위칭 장치를 제공한다. 그 스위칭 장치는 광원을 포함하는 광 스위칭 모듈; 및 상기 광 스위칭 모듈에 결합되어 상기 광 스위칭 모듈에서 출력되는 광 또는 전자파를 감지하는 광 감지 소자부;를 포함하고, 상기 광 감지 소자부가 상기 광을 감지하여 소자를 ON-OFF(켜짐-꺼짐) 스위칭한다. 한편, 광 감지 소자부는 MIT(Metal-Insulator Transition)발생 전압에서 불연속 MIT가 발생하는 MIT 박막, 및 상기 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2개의 전극을 포함하는 MIT 소자를 적어도 하나 구비한 MIT 소자 어레이이고, 상기 MIT 소자는 광이 조사되었을 때, 상기 MIT 발생 전압이 이동되는 특징을 갖는다.

公开(公告)号：KR100744551B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020060015636

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  이용욱 ,  채병규 ,  김봉준 ,  최상국 ,  윤선진

IPC: G08B17/06 ,  G08B3/00 ,  G08B5/00

CPC classification number: G01K3/005 ,  G01K7/22

Abstract: 본 발명은 일정한 특정온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서 및 그 온도센서를 포함한 경보기를 제공한다. 그 온도센서는 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT) 박막 및 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막을 구비한 급격한 MIT 소자를 포함하고, 급격한 MIT 소자는 일정한 전이온도에서 급격한 금속-절연체 전이를 일으키는 특성을 가진다. 또한, 경보기는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 구비한 온도센서; 온도센서와 연결된 릴레이 스위치; 및 릴레이 스위치에 연결된 경보신호기;를 포함한다. 본 발명의 경보기는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서를 포함함으로써, 회로적으로 간단하고 소형의 사이즈로 제작할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 경보기

公开(公告)号：KR100734830B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막

公开(公告)号：KR1020060093266A

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR1020090049010A

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020080052257

申请日：2008-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: G05F3/24

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/085 ,  H02H5/047 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어

公开(公告)号：KR1020090013657A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：KR1020070123639

申请日：2007-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성열 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  심재엽 ,  김현탁

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A Ge based MIT thin film, the MIT device, the method for manufacturing the same are provided to easily grow the material of the MIT thin film by using the Ge element material. The MIT device comprises the substrate(100), and the Ge base MIT thin film (300a), at least two electrode thin films(410a,420a). The Ge base MIT thin film is formed on the substrate and generates the discontinuity metal-insulator transition(MIT) in the transition voltage. The electrode thin film is contacted with the Ge base MIT thin film. The Ge base MIT thin film causes the discontinuity MIT by voltage or the applied current.

Abstract translation: 提供基于Ge的MIT薄膜，MIT装置及其制造方法，以通过使用Ge元素材料容易地生长MIT薄膜的材料。 MIT装置包括基板（100）和Ge基MIT薄膜（300a），至少两个电极薄膜（410a，420a）。 Ge基MIT薄膜形成在衬底上并产生转变电压中的不连续金属 - 绝缘体转变（MIT）。 电极薄膜与Ge基MIT薄膜接触。 Ge基MIT薄膜通过电压或施加电流导致不连续MIT。

公开(公告)号：KR100859717B1

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：KR1020070101626

申请日：2007-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  윤선진

IPC: H01L29/08

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A three terminal MIT(Metal Insulator Transition) switch, a switching system using the same switch, and a method for controlling a MIT of the same switch are provided to control easily a discontinuous MIT jump by adjusting a voltage applied to a control electrode. A three terminal MIT switch includes a two terminal MIT element(100), an inlet electrode(200), an outlet electrode(300), and a control electrode(400). The two terminal MIT element causes discontinuous MIT at a transition voltage. The inlet electrode and the outlet electrode are connected to both ends of the two terminals MIT element. The control electrode is connected to the inlet electrode. The control electrode has an external terminal separated from an external terminal of the inlet electrode. The MIT of the MIT element is controlled by the voltage and current applied to the control electrode.

Abstract translation: 提供三端子MIT（金属绝缘体转换）开关，使用相同开关的开关系统以及用于控制相同开关的MIT的方法，以通过调节施加到控制电极的电压来容易地控制不连续的MIT跳转。 三端MIT开关包括两端MIT元件（100），入口电极（200），出口电极（300）和控制电极（400）。 两端MIT元件在转变电压下引起不连续的MIT。 入口电极和出口电极连接到两个端子MIT元件的两端。 控制电极连接到入口电极。 控制电极具有与入口电极的外部端子分离的外部端子。 MIT元件的MIT由施加到控制电极的电压和电流控制。

公开(公告)号：KR1020080013670A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020060128928

申请日：2006-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  최상국

IPC: G01R19/165

CPC classification number: G01R31/2641

Abstract: A circuit for measuring discontinuous metal insulator transition(MIT) continuously and an MIT sensor using the same circuit are provided to realize an image sensor used for a digital camera by sensing the intensity of light. A circuit for measuring discontinuous metal insulator transition(MIT) continuously includes a measured target unit(100), a power supply unit(800), a measuring unit(500), and a control unit. The measured target unit includes an MIT element(120) causing the discontinuous MIT in a transition voltage. The power supply unit applies a current or voltage of a predetermined pulse to the measured target unit. The measuring unit measures the discontinuous MIT of the MIT element. The control unit controls the power supply unit and the measuring unit. The measuring includes a microprocessor(700). The measured target unit includes a protection resistor(150). The power supply unit includes an operation amplifier. The measuring includes a comparator, an edge triggered flip-flop, or a sample holder(520).

Abstract translation: 提供用于连续测量不连续金属绝缘体转变（MIT）的电路和使用相同电路的MIT传感器，以通过感测光强来实现用于数字照相机的图像传感器。 用于测量不连续金属绝缘体转变（MIT）的电路连续地包括测量目标单元（100），电源单元（800），测量单元（500）和控制单元。 测量的目标单元包括使不连续MIT处于转变电压的MIT元件（120）。 电源单元向测量的目标单元施加预定脉冲的电流或电压。 测量单元测量MIT元件的不连续MIT。 控制单元控制供电单元和测量单元。 测量包括微处理器（700）。 测量的目标单元包括保护电阻器（150）。 电源单元包括运算放大器。 测量包括比较器，边沿触发触发器或样品保持器（520）。

公开(公告)号：KR1020070115571A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020060125063

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  채병규 ,  윤선진 ,  최성열 ,  이용욱 ,  임정욱 ,  최상국 ,  강광용

IPC: H01L29/84 ,  G01K7/00

CPC classification number: H01L49/003 ,  G01K3/005

Abstract: A rapid MIT(Metal-Insulator Transition) device, a MIT sensor using the device, and an alarm and a secondary battery explosion preventing circuit including the MIT sensor are provided to vary a transition temperature by changing an applied voltage or current. An MIT(Metal-Insulator Transition) thin film(300a) generates the rapid MIT at a transition temperature or a transition voltage. At least two electrode thin films(410a,420a) are comprised to be contacted to the rapid MIT thin film. A transition temperature and a transition voltage of the MIT device is changed by a temperature, a microwave, a pressure, a gas concentration or a voltage which is added to the electrode thin films.

Abstract translation: 提供快速MIT（金属绝缘体转换）装置，使用该装置的MIT传感器，以及包括MIT传感器的报警器和二次电池防爆电路，以通过改变所施加的电压或电流来改变转变温度。 MIT（金属 - 绝缘体转移）薄膜（300a）在转变温度或转变电压下产生快速MIT。 包括至少两个电极薄膜（410a，420a）以与快速MIT薄膜接触。 通过温度，微波，压力，气体浓度或添加到电极薄膜的电压来改变MIT器件的转变温度和转变电压。

公开(公告)号：KR1020070097284A

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：KR1020060098638

申请日：2006-10-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁 ,  이용욱

IPC: H01L27/10 ,  H01L51/00 ,  H01L29/86

CPC classification number: H01L27/0676 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

Abstract: A voltage regulation system using abrupt MIT is provided to regulate a voltage and adjust a voltage regulation range by changing the resistance of an MIT insulator. A voltage regulation system includes an input power source(110), a series resistor connected in series to the input power source, and an MIT(Metal-Insulator Transition) insulator(122) connected in series to the series resistor for undergoing abrupt MIT such that a range of a voltage output from the MIT insulator varies depending upon resistance of the series resistor. A first electrode(124) is disposed on one side of the MIT insulator, and is connected to the input power source. A second electrode(126) is disposed on the other side of the MIT insulator, and is connected to the series resistor.

Abstract translation: 提供使用突发MIT的电压调节系统来调节电压并通过改变MIT绝缘体的电阻来调整电压调节范围。 电压调节系统包括输入电源（110），与输入电源串联连接的串联电阻器和串联连接到串联电阻器的MIT（金属 - 绝缘体转换）绝缘体（122），用于经历突发MIT，例如 来自MIT绝缘体的输出电压的范围根据串联电阻器的电阻而变化。 第一电极（124）设置在MIT绝缘体的一侧，并连接到输入电源。 第二电极（126）设置在MIT绝缘体的另一侧，并连接到串联电阻器。