公开(公告)号：KR100968888B1

公开(公告)日：2010-07-09

申请号：KR1020080096529

申请日：2008-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  유병곤 ,  정순원 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  이준석

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1226 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 본 발명의 상변화 메모리 소자를 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 복수의 단자를 구비하는 제 1 금속 전극층, 상기 기판의 상부에서 상기 제 1 금속 전극층의 단자를 연결하는 형태로 형성되고, 자기 발열형 채널 구조로 구성되는 상변화 재료층, 상기 제 1 금속 전극층 및 상기 상변화 재료층 상부에 형성된 절연층, 상기 제 1 금속 전극층의 상부에 형성된 비아 홀, 그리고 상기 비아 홀을 매립하는 형태로 형성된 제 2 금속 전극층을 포함한다. 따라서, 별도의 발열 전극을 사용하지 않고 상변화 물질 자체의 저항에 따른 발열 현상을 이용하여 메모리 동작을 수행함으로써, 금속 전극의 열전도에 따른 열손실을 최소화하여 스위치 소자의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
프로그래머블, 스위치, 상변화, 비휘발성 메모리, 재구성형 LSI

公开(公告)号：KR1020100070034A

公开(公告)日：2010-06-25

申请号：KR1020080128624

申请日：2008-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  김용주 ,  윤성민 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  정순원

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/10 ,  G11C7/10

CPC classification number: H03K19/17784 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17792

Abstract: PURPOSE: A programmable logic block of an FPGA using a phase-change memory device is provided to improve the performance of an operation by programming resistance of a phase change memory device individually. CONSTITUTION: An access transistor(Mu) for pull-up is connected to a power. An up phase change memory device(Ru) is connected to a transistor for pull-up. The phase change memory device(Rd) is connected to an up-phase change memory device. An output terminal is located between the up-phase change memory device and a down-phase change memory device. The access transistor(Md) for the full down is connected to the down-phase change memory device. The resistance of the up-phase change memory device and the down-phase change memory device is individually programmed.

Abstract translation: 目的：提供使用相变存储器件的FPGA的可编程逻辑块，以通过单独编程相变存储器件的电阻来提高操作的性能。 构成：用于上拉的存取晶体管（Mu）连接到电源。 上升相变存储器件（Ru）连接到用于上拉的晶体管。 相变存储器件（Rd）连接到上变相存储器件。 输出端子位于上变相存储器件和下变相存储器件之间。 用于全降温的存取晶体管（Md）连接到下变相存储器件。 单相编程上变相存储器件和下变相存储器件的电阻。

公开(公告)号：KR1020100063613A

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020090026876

申请日：2009-03-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  이승윤 ,  유병곤 ,  정순원 ,  박영삼

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: PURPOSE: A nonvolatility programmable switch device using a phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a miniaturization of a device and a consumption power by providing 4 terminal type device structure with easily dividing a write and a reading. CONSTITUTION: A semiconductor film layer(140) is formed on a first metal electrode layer(120). An insulator film layer is formed on the semiconductor film layer. The insulator thin film layer includes a pore region(220) exposing a part of the semiconductor film layer. A reaction material layer(240) fills in the pore region of the insulator film layer. A second metal electrode layer(260) is formed on upper part of the reaction material layer. A phase change operational layer(280) is formed by a solid-state reaction with reacting the reaction material layer and the semiconductor film layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用相变存储器件的非易失性可编程开关器件及其制造方法，其通过提供容易划分写入和读取的4端子型器件结构来减小器件的小型化和消耗功率。 构成：半导体膜层（140）形成在第一金属电极层（120）上。 在半导体膜层上形成绝缘膜层。 绝缘体薄膜层包括暴露半导体膜层的一部分的孔区域（220）。 反应材料层（240）填充绝缘膜层的细孔区域。 第二金属电极层（260）形成在反应材料层的上部。 通过使反应材料层和半导体膜层反应而通过固相反应形成相变操作层（280）。

公开(公告)号：KR1020090063059A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：KR1020080047400

申请日：2008-05-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  정순원 ,  유병곤 ,  이승윤 ,  박영삼

IPC: H01L27/115 ,  H01H36/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L45/1608 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1666

Abstract: A programmable switch device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a size of a switch device by forming the switch device of a simple structure comprised of two electrodes and a nano wire. A substrate(100) has a silicon oxide film by thermally oxidizing the surface of a silicon substrate or the silicon semiconductor substrate. A first electrode layer(110) is formed on the substrate. The first electrode layer is comprised of two first patterns(111) with a square shape and a second pattern(112) with a line shape connected to the first pattern. The first electrode layer is divided into two parts of both sides of a groove formed on the surface of the substrate. A second electrode layer(120) serving as the terminal of the switch device is formed in the upper part of the first electrode layer. A chalcogenide nano wire(130) is formed between the cross sections of the second pattern of the first electrode layer.

Abstract translation: 提供了可编程开关装置及其制造方法，通过形成由两个电极和纳米线组成的简单结构的开关装置来减小开关装置的尺寸。 通过热氧化硅衬底或硅半导体衬底的表面，衬底（100）具有氧化硅膜。 在基板上形成第一电极层（110）。 第一电极层由具有正方形的两个第一图案（111）和与第一图案连接的线形的第二图案（112）组成。 第一电极层被分成在基板的表面上形成的凹槽的两侧的两部分。 用作开关装置的端子的第二电极层（120）形成在第一电极层的上部。 在第一电极层的第二图案的横截面之间形成硫族化物纳米线（130）。

公开(公告)号：KR100895797B1

公开(公告)日：2009-05-08

申请号：KR1020070127796

申请日：2007-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  윤성민 ,  박영삼 ,  정순원 ,  유병곤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 발열층을 포함하는 상변화 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 발열층의 형성 온도를 상온에서 500℃ 사이의 온도로 한정함으로써 반도체 공정에서 널리 사용되는 Al 등의 금속을 그 하부에 위치하는 하부전극 물질로 사용할 수 있도록 한다.
본 발명의 상변화 소자는, 하부 전극층; 상기 하부 전극층 상면에 형성되며 전도도를 높이는 도펀트를 함유하는 SiGe 재질의 발열층; 상기 발열층 상면에 형성된 상변화 특성을 가지는 상변화 영역; 및 상기 상변화층 상면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상변화, 메모리, 비휘발성, 발열층, 실리콘-게르마늄, 스퍼터링