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公开(公告)号：KR102226490B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020160121574A
申请日：2016-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K3/101 , H05K3/007 , H05K3/184 , H05K3/281 , H05K2201/05
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자의 제조 방법은 유연기판을 형성하는 것, 및 상기 유연기판 상에 유기발광 구조체를 형성하는 것을 포함하되, 상기 유연기판을 형성하는 것은, 제 1 금속막 상에 제 1 폴리머 패턴을 형성하는 것, 상기 제 1 폴리머 패턴에 의해 노출된 상기 제 1 금속막의 일부분 상에 제 2 금속막을 형성하는 것, 상기 제 1 폴리머 패턴 및 상기 제 2 금속막 상에 가스 배리어막을 형성하는 것, 상기 가스 배리어막 상에 제 2 폴리머막을 형성하는 것 및 상기 제 1 금속막을 제거하여 제 1 폴리머 패턴의 일면 및 제 2 금속막의 일면을 노출시키는 것을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102226490B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020160121574
申请日：2016-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른유기발광소자의제조방법은유연기판을형성하는것, 및상기유연기판상에유기발광구조체를형성하는것을포함하되, 상기유연기판을형성하는것은, 제 1 금속막상에제 1 폴리머패턴을형성하는것, 상기제 1 폴리머패턴에의해노출된상기제 1 금속막의일부분상에제 2 금속막을형성하는것, 상기제 1 폴리머패턴및 상기제 2 금속막상에가스배리어막을형성하는것, 상기가스배리어막상에제 2 폴리머막을형성하는것 및상기제 1 금속막을제거하여제 1 폴리머패턴의일면및 제 2 금속막의일면을노출시키는것을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170101086A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160089433
申请日：2016-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판, 상기기판상의제 1 전극, 상기제 1 전극상의발광층, 상기발광층상의제 2 전극, 및상기제 1 전극및 상기제 2 전극중 적어도하나의일면상에배치되고, 전도성입자들을포함하는보상전극을포함하는보상전극을포함하는광원장치를제공하되, 상기기판상의제 1 영역에배치되는상기보상전극의일부는상기기판상의제 2 영역에배치되는상기보상전극의다른일부와서로다른면저항을가질수 있다.
Abstract translation: 基板，设置在所述第一电极，在第一电极上的发光层，在发光层上的第二电极和所述第一电极和所述基板上的第二电极的至少一侧上，所述补偿电极，其包括导电性粒子 但提供一种光源装置，包括一个补偿电极包括补偿电极的一部分布置在第一区域中的衬底上去不同薄层电阻和补偿电极的另一部分被设置在所述第二区中的衬底和上 有。
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公开(公告)号：KR1020130061943A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：KR1020110128273
申请日：2011-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device is provided to reduce thermal conductivity by using a nanowire having a rough surface. CONSTITUTION: A first leg(13) is formed between a first end part and a second end part. The first leg connects the first end part to the second end part. A second leg(16) faces the first leg. The second leg is formed between the first end part and the second end part. The second leg connects the first end part to the second end part.
Abstract translation: 目的：提供一种热电装置，通过使用具有粗糙表面的纳米线来降低热导率。 构成：在第一端部和第二端部之间形成第一腿部（13）。 第一腿将第一端部连接到第二端部。 第二条腿（16）面向第一条腿。 第二支腿形成在第一端部和第二端部之间。 第二腿将第一端部连接到第二端部。
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公开(公告)号：KR101213225B1
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020090026876
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본발명은상변화메모리소자를이용한비휘발성프로그래머블스위치소자에대한것으로, 이소자는제1 금속전극층, 상기제1 금속전극층상부에형성되며, 채널층및 상기채널층을사이에두고서로마주보는저저항의소스/드레인을포함하는반도체박막층, 상기반도체박막층의일부를노출하는포어영역을포함하며상기반도체박막층상에형성되는절연체박막층, 상기절연체박막층의상기포어영역을매립하는반응원료층, 상기반응원료층상부에형성된제2 금속전극층및 고상반응에의해상기반응원료층과상기반도체박막층이반응하여형성되는상변화동작층을포함한다. 따라서, 고상반응에의해형성되어메모리동작에필요한동작영역을최소화하여소비전력을줄이고, 통상의트랜지스터구조를그대로사용하여 LSI 제조과정에서의공정정합성을높일수 있을뿐만아니라, 상변화메모리소자의동작에있어서쓰기와읽기동작을용이하게분리할수 있는 4단자형소자구조를제공함으로써비휘발성프로그래머블스위치소자의소형화, 저소비전력화및 고신뢰성화에크게기여할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101020683B1
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：KR1020100102476
申请日：2010-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性存储器件，该方法包括：（a）在衬底上形成第一反应层; （b）形成覆盖第一反应层的绝缘层，以形成暴露第一反应层的上部的一部分的接触孔; （c）形成填充接触孔的第二反应层; 并且（d）通过在第一反应层和第二反应层之间引起固相反应而在第一反应层和第二反应层之间产生相变反应。 因此，可以提供具有低功耗和高操作速度的相变存储器件。
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公开(公告)号：KR1020110004242A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090089114
申请日：2009-09-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/28
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device and a method for manufacturing the same are provided to effectively separate a heat absorbing part and a heat emitting part by forming the thermoelectric device in a vertical type. CONSTITUTION: A first electrode(110) and a second electrode(150) are formed on a substrate(100). A first leg(111) comprises a first semiconductor pattern(116) and a first barrier pattern(126). A second leg(151) comprises a second semiconductor pattern and a second barrier pattern(166). A common electrode is formed on the first leg and the second leg. The thermal conductivity of the first barrier pattern is smaller than that of the first semiconductor pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种热电装置及其制造方法，通过以垂直方式形成热电装置来有效地分离吸热部和发热部。 构成：在基板（100）上形成第一电极（110）和第二电极（150）。 第一支腿（111）包括第一半导体图案（116）和第一阻挡图案（126）。 第二支腿（151）包括第二半导体图案和第二阻挡图案（166）。 公共电极形成在第一腿部和第二腿部上。 第一阻挡图案的导热率小于第一半导体图案的热导率。
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公开(公告)号：KR1020100037284A
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020080096529
申请日：2008-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , G11C13/0004 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A non-volatile programmable switch device using a phase-change memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the power consumption of the switch device using heating due to the resistance of a phase-change material in order to perform a memory operation. CONSTITUTION: A first metal electrode layer(12) is formed on a substrate(10). A plurality of lead-in regions is electrically connected to the terminal of the first metal electrode layer on the substrate. A phase-change material layer(14) includes a channel region which is arranged between the lead-in regions and which is a self-heating type channel structure. An insulation layer is formed on the first metal electrode layer and the phase-change material layer. A via-hole is formed on the upper side of the first metal electrode layer. A second metal electrode layer(20) buries the via-hole.
Abstract translation: 目的：提供使用相变存储器件的非易失性可编程开关器件及其制造方法，以便由于相变材料的电阻而使用加热来切换开关器件的功耗以便执行 一个记忆操作。 构成：在基板（10）上形成第一金属电极层（12）。 多个导入区域电连接到基板上的第一金属电极层的端子。 相变材料层（14）包括布置在引入区域之间并且是自加热型沟道结构的沟道区域。 在第一金属电极层和相变材料层上形成绝缘层。 在第一金属电极层的上侧形成通孔。 第二金属电极层（20）埋设通孔。
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公开(公告)号：KR1020090122095A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：KR1020080063418
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A phase change memory and a manufacturing method thereof are provided to reduce power consumption of a memory device by minimizing the heat loss by the thermal conductivity of a metal electrode. CONSTITUTION: A phase change memory device includes a substrate(10), a first metal electrode layer(12), a phase change material layer(14), an insulation layer, a via hole, and a second metal electrode layer(20). A plurality of first metal electrode layers are formed on the substrate. The phase change material layer is formed between the first metal electrode layers on the substrate. The phase change material layer is comprised of a self heating channel structure. The insulation layer is formed on the first metal electrode layers and the phase change material layers. The via hole is formed on the first metal electrode layers. The second metal electrode layer fills the via hole.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器及其制造方法，通过使金属电极的导热率的热损失最小化来降低存储器件的功耗。 一种相变存储器件，包括：衬底（10），第一金属电极层（12），相变材料层（14），绝缘层，通孔和第二金属电极层（20）。 在基板上形成多个第一金属电极层。 相变材料层形成在基板上的第一金属电极层之间。 相变材料层由自加热通道结构组成。 绝缘层形成在第一金属电极层和相变材料层上。 通孔形成在第一金属电极层上。 第二金属电极层填充通孔。
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公开(公告)号：KR100912822B1
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020070119623
申请日：2007-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명의 고체 전해질 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제1 전극층과, 제1 전극층 상에 은(Ag)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te)-질소(N) 합금 또는 구리(Cu)--안티몬-텔레륨-질소 합금으로 구성된 고체 전해질층과, 고체 전해질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하여 이루어진다. 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨-질소 합금은 은(Ag) 15-90 원자(atomic)%, 안티몬(Sb) 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨(Te) 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 가진다. 고체 전해질층을 구성하는 구리-안티몬-텔레륨-질소 합금은 구리 15-90 원자(atomic)%, 안티몬 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 가진다.
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