公开(公告)号：KR1019990033425A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970054782

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  이은미 ,  안주헌 ,  원용협 ,  이명현 ,  한선규

IPC: C08G65/48 ,  C08G65/34 ,  G02F1/35

Abstract: 본 발명은 하기 화학식(1)의 비선형 광학 색소를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 그를 사용한 광도파로형 능동 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제하여 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실이 아주 낮다. 또한 고분자 주쇄에 비선형 광학 색소의 밀도가 높아 전기 광학 특성이 우수하고 주쇄의 유리전이온도가 높아 150℃ 이상에서도 쌍극자의 완화가 일어나지 않아서 뛰어난 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)

식 중, n은 유연기(고분자 주쇄와 측쇄를 연결하는 그룹)의 수로서
2 ~ 10의 자연수, D는 전자 주게기로 O, NH, 알킬아민, 또는 페닐아민,
B는 연결기로서 CH=CH 또는 N=N,
A는 전자 받게기로 CN, 트리시아노비닐, 니트로, 설폰기임.

公开(公告)号：KR100125014B1

公开(公告)日：1997-12-01

申请号：KR1019930013359

申请日：1993-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한선규 ,  이종태 ,  유병수 ,  정태형 ,  최영완 ,  박병운 ,  이일항

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02F1/01716 ,  B82Y20/00 ,  G02F2001/01733

Abstract: Disclosed is a ultra-high speed optic switching device including a first quantum well structure(1) and a second quantum well structure(2). The first and second quantum well structures(1, 2) have different energy gap each other. The first quantum well structure(1) absorbs a bleaching phenomenon of a long time band. The first quantum well structure(1) has the same long time constant as the second quantum well structure(2). The long time bleaching phenomenon of the first quantum well structure(1) is as same as the long time absorption phenomenon of the second quantum well structure(2). Thus, the switching can be used for the future optic communication.

Abstract translation: 公开了一种包括第一量子阱结构（1）和第二量子阱结构（2）的超高速光学开关器件。 第一和第二量子阱结构（1,2）彼此具有不同的能隙。 第一量子阱结构（1）吸收长时间带的漂白现象。 第一量子阱结构（1）具有与第二量子阱结构（2）相同的长时间常数。 第一量子阱结构（1）的长时间漂白现象与第二量子阱结构（2）的长时间吸收现象相同。 因此，切换可以用于将来的光通信。

公开(公告)号：KR1019970070047A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960009916

申请日：1996-04-02

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  이명현 ,  한선규 ,  원용협

IPC: C08G63/91 ,  C07C65/03 ,  C08G63/68 ,  G02F3/00

Abstract: 본 발명은 아로마틱 폴리에스터계 비션형 광학 고분자가 화합물 및 이를 이용하여 제조한 광소자에 관한 것으로, 유리전이온도가 160℃~200℃로 광소자 제작에 필용한 충분한 열적 안정성을 가지며, 그 물질의 합성이 용이하며, 분자구조의 유연성으로 인한 낮은 광전송 손실을 보이는 아로마틱 폴리에스터계 비선형 광학 고분자 화합물 및 이를 이용하여 제조한 광소자를 제공함을 목적으로 한다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 비선형 광전자 화합물이 옆사슬에 공유결합된 아로마틱 디에시드 모노머와 다양한 치환체를 가진 아로마틱 디알콜 모노머를 직접 축합 반응시켜 하기 일반식(Ⅰ), 및 (Ⅱ)으로 표현되는 아로마틱 롤리에스터계 비선형 광학 고분자 화합물을 제조하고, 상기 화합물을 사용하여 상, 하부 크래팅층과 코어층을 형성하고, 극화한 후 상부전극을 도파로를 따라 식각하여 광소자를 제조한다.

여기에서, X는 -C(CF
3 )
2 , -C(CF
3 )
2 , -Si(CF
3 )
2 , -CO, -SO
2 -, -O-, -S- 에서 선택된 1종이고, D는 O, NH, 알킬아민 (NR
1 : R
1 =C
1 ~C
6 의 직선 알킬기임)에서 선택된 1종이고, B는 아무것도 없거나 CH=CH, N=N, C=C에서 선택된 1종이고, A는 NO
2 , 트리시아노에틸렌, CN, SO
2 R
2 (R
2 =C
1 ~C
6 의 직선 알킬기임)에서 선택된 1종이고, a, b는 공중합체의 몰비로서 a+b=1이고, R는 C
1 ~C
20 의 직선 혹은 가지를 가진 알킬기이다.
본 발명의 아로마틱 폴리에스터계 비선형 광학 고분자 화합물은 큰 전기광학계수, 열적안정성을 가지며 광전송 손실이 낮고 박막 특성이 우수하고 다층 박막이 용이하며, 상기 아로마틱 폴리에스터계 비선형 광학 고분자 화합물을 이용하여 제조한 광소자는 신뢰도가 우수하고 낮은 구동전압에서 구동되는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019970011140B1

公开(公告)日：1997-07-07

申请号：KR1019930026787

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  박병운 ,  최영완 ,  한선규

IPC: H01L31/12 ,  H01S3/18

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L31/0352

Abstract: The present invention relates to the operating mechanism of a resonant tunneling opto-electronic device and its vertical structure using the characteristics that resonant tunneling diode's peak laterally moves by light. In this device, an n-type 2 x 1018cm-3 GaAs buffer layer (1) is formed to a thickness of 10000ohm.strong on an n-type GaAs substrate, and a 4 x 1017cm-3 doped n-type GaAs interval layer (2) and a GaAs interval layer (3) of 100ohm.strong are formed thereon. An undoped AlAs layer of 100ohm.strong is symmetrically grown thereon as a quantum barrier (4) to reduce non-resonant tunneling current. An undoped In(0.2)Ga(0.8)As layer of 45ohm.strong is grown between the barrier (4) as a quantum well (5) to increase current amount, and an interval layer (6) is formed by undoped GaAs to a thickness of 500ohm.strong to increase voltage drop in the double barrier quantum well structure. A window layer (7) of doped n-type GaAs is formed to a thickness of 500ohm.strong, and a window layer (8) is formed to a thickness of 500ohm.strong with 2 x 1018cm-3 doped GaAs and Al (40%). In addition, a window layer (7) is formed to a thickness of 5000ohm.strong with 2 x 1018cm-3 doped Al(0.4)Ga(0.6)As.

Abstract translation: 本发明涉及谐振隧道光电器件的操作机构及其垂直结构，其使用谐振隧道二极管的峰值由光线横向移动的特性。 在该器件中，在n型GaAs衬底上形成厚度为10000ohm的n型2×1018cm-3 GaAs缓冲层（1），并且掺杂4×1017cm-3的n型GaAs间隔层 （2）和在其上形成100ohm.strong的GaAs间隔层（3）。 将100ohm.strong的未掺杂的AlAs层作为量子势垒（4）对称地生长，以减少非共振隧道电流。 在栅极（4）作为量子阱（5）之间生长未掺杂的In（0.2）Ga（0.8）As的45ohm.strong层以增加电流量，并且通过未掺杂的GaAs形成间隔层（6）至 厚度为500ohm.strong以增加双重势垒量子阱结构中的电压降。 掺杂的n型GaAs的窗口层（7）形成为500ohm.strong的厚度，并且窗口层（8）形成为厚度为500ohm。具有2×1018cm-3掺杂的GaAs和Al（40 ％）。 此外，窗口层（7）形成为具有2×1018cm-3掺杂的Al（0.4）Ga（0.6）As的5000欧姆的厚度。

公开(公告)号：KR1019950021812A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930028264

申请日：1993-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영완 ,  권오균 ,  한선규 ,  이종태 ,  이일항 ,  심숙이

IPC: H01L31/08

Abstract: 본 발명은 비대칭 패브리-페롯(asymmetry-Fabry Petot)공명 구조를 갖는 SEED(Self Electro-optic Effect Device)에 관한 것으로, 비대칭 패브리-페롯 SEED구조보다 반사율의 변화 △R을 증가시켜 광 시스템에서 사용될 때 높은 ON/OFF강도비에 의한 안정된 신뢰도를 유지하면서 데이타 처리속도인 비트레이트를 증가시킬 수 있는 개량된 비대칭 패브리-페롯 SEED이다.
본 발명은 반사율의 변화 △R이 진성영역의 다중 양자 우물의 광 흡수 계수의 비인 α(V)/α(O)와 반비계 관계가 있다는 점에 착안하여 최소한의 광 흡수 계수비를 갖는 다중 양자 우물을 이용한 높은 반사율 ON/OFF강도비를 유지하는 동시에 반사율변화를 증가시킨다.
본 발명의 구조는 α(O)값이 큰 양자 우물 구조를 이용하여 비대칭 패브리-페롯 SEED구조를 구성하므로 반도체 다중 양자 우물층의 수를 줄일수 있어 에피텍시(epitaxy)층의 성장이 용이하다.