公开(公告)号：EP0886307B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：EP98111247.7

申请日：1998-06-18

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

Inventor： Ohkuma, Norio

IPC: B81B1/00 ,  B41J2/16

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1642 ,  B81B2201/052

公开(公告)号：EP1226944A1

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：EP02250367.6

申请日：2002-01-18

Applicant: Xerox Corporation

Inventor： Gulvin, Peter M. ,  Eklund, Elliott A.

IPC: B41J2/14 ,  H04R19/00 ,  H04R7/08 ,  F04B43/04

CPC classification number: B81B3/007 ,  B41J2/14314 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0127 ,  F04B43/043 ,  H04R7/08

Abstract: A method for fabricating a membrane (50) having a corrugated, multi-layer structure, comprising the steps of: providing a substrate (20) having an insulator layer (30) on the top surface of the substrate (20), a conductive layer (40) on the insulator layer, a sacrificial layer (206) on said conductive layer (40), and a second conductive layer (202); patterning a series of etch holes (205) in the second conductive layer (202) to allow release etchant to have access to a second sacrificial layer (206) ; depositing the second sacrificial layer (206) onto said second conductive layer (202) so that the series of holes (205) are filled with the second sacrificial layer (206) ; patterning the second sacrificial layer with a radial and/or concentric grid pattern so that a third conductive layer (201) when deposited will form the support structure and top portion of the corrugated structure; depositing the third conductive layer (201) so that the grid pattern is filled in and is in contact with the second conductive layer (202) and; removing the first and second sacrificial layers (206) by immersing the device in a release etchant.

Abstract translation: 一种用于制造具有波纹状多层结构的膜（50）的方法，包括以下步骤：在所述基板（20）的顶表面上提供具有绝缘体层（30）的基板（20），导电层 （40），在所述导电层（40）上的牺牲层（206）和第二导电层（202）; 在第二导电层（202）中图案化一系列蚀刻孔（205），以允许剥离蚀刻剂进入第二牺牲层（206）; 将所述第二牺牲层（206）沉积到所述第二导电层（202）上，使得所述一系列孔（205）被所述第二牺牲层（206）填充; 以径向和/或同心网格图案图案化第二牺牲层，使得沉积时的第三导电层（201）将形成波纹结构的支撑结构和顶部; 沉积所述第三导电层（201）使得所述栅格图案被填充并与所述第二导电层（202）接触;和 通过将装置浸入释放蚀刻剂中来去除第一和第二牺牲层（206）。

公开(公告)号：EP1077475A2

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：EP00117155.2

申请日：2000-08-10

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Podlesnik, Dragan V. ,  Chinn, Jeffrey D. ,  Lill, Thorsten B. ,  Pan, Shaoher X. ,  Khan, Anisul ,  Wang, Joan Yiqiong ,  Li, Maocheng

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L27/1087 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/016 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086

Abstract: The present disclosure pertains to our discovery of a particularly efficient method for etching a multi-part cavity in a substrate. The method provides for first etching a shaped opening, depositing a protective layer over at least a portion of the inner surface of the shaped opening, and then etching a shaped cavity directly beneath and in continuous communication with the shaped opening. The protective layer protects the etch profile of the shaped opening during etching of the shaped cavity, so that the shaped opening and the shaped cavity can be etched to have different shapes, if desired. In particular embodiments of the method of the invention, lateral etch barrier layers and/or implanted etch stops are also used to direct the etching process. The method of the invention can be applied to any application where it is necessary or desirable to provide a shaped opening and an underlying shaped cavity having varying shapes. The method is also useful whenever it is necessary to maintain tight control over the dimensions of the shaped opening.

Abstract translation: 本公开涉及我们发现用于蚀刻衬底中的多部分空腔的特别有效的方法。 该方法提供了首先蚀刻成形开口，在成形开口的内表面的至少一部分上沉积保护层，然后直接在成形开口下方蚀刻成形腔，并且与成形开口连续连通。 保护层在蚀刻成形腔体期间保护成形开口的蚀刻轮廓，从而如果需要，可以将成形的开口和成形的腔体进行蚀刻以具有不同的形状。 在本发明方法的特定实施例中，横向蚀刻阻挡层和/或注入的蚀刻停止点也用于引导蚀刻工艺。 本发明的方法可以应用于需要或希望提供具有不同形状的成形开口和下面的成形腔的任何应用。 只要需要对成形开口的尺寸进行严格控制，该方法也是有用的。

公开(公告)号：KR20210024689A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020217005915A

申请日：2018-03-05

Applicant: 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트

Inventor： 로만 오슈트홀트 ,  노르베르트 암브로지우스 ,  아르네 슈노어 ,  다니엘 둔커

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  B23K103/00 ,  B81C1/00 ,  C03C23/00

CPC classification number: B23K26/0006 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1626 ,  B81B1/004 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00595 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  C03C23/0025 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/54 ,  B81B2201/052 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0392 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0143

Abstract: 본 발명은 투명한 또는 투과성 유리 기판 (2) 안으로 적어도 하나의 관통구멍 (1) 을 도입하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 유리 기판 (2) 은 전자기 방사선, 특히 레이저를 이용해 빔축 (s) 을 따라 선택적으로 변조된다. 상기 변조들이 유리 기판 (2) 안에서 빔축 (s) 을 따라, 서로 다른 특성들을 갖는 전자기 방사선에 의해, 예컨대 서로 다른 펄스 에너지에 의해, 생성됨으로써, 상기 유리 기판 (2) 안의 에칭공정이 비균질하게 서로 다른 에칭률들로 진행된다. 이를 통해, 상기 투명한 또는 투과성 재료 안에서 에칭 처리를 근거로 생기는 관통구멍 (1) 을 타겟팅하여 그리고 선택적으로 상기 변조들의 서로 다른 특성들을 통해 형성하는 그리고 예컨대 상기 관통구멍 (1) 의 원뿔각도 (α, β) 를 변화시키는 가능성이 만들어내진다.

公开(公告)号：JP2018069685A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016215418

申请日：2016-11-02

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 松尾 伸史

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1433 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1642 ,  B41J2002/14491 ,  B81B1/004 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00087 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032

Abstract: 【課題】撥水膜に形成される第3貫通孔の横断面の形状および大きさが、酸化膜に形成される第2貫通孔の横断面の形状および大きさとほぼ等しいノズル基板を提供する。 【解決手段】ノズル基板3は、シリコン基板30と、シリコン基板30の第2表面に形成された酸化シリコン膜31と、酸化シリコン膜31の表面に形成された撥水膜32とを含む。ノズル孔20の第1貫通孔20a,20b1は、シリコン基板30の第1表面側にノズル孔20に対応した開口を有するレジストマスクを形成してシリコン基板30をエッチングすることで形成する。その後、レジストマスクを除去し、シリコン基板30をハードマスクとして酸化シリコン膜31と撥水膜32を連続してエッチングすることで、酸化シリコン膜31を貫通し第1貫通孔20a,20b1に連通する第2貫通孔20b2と、撥水膜32を貫通し第2貫通孔20b2に連通する第3貫通孔20b3を形成する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018052033A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016192983

申请日：2016-09-30

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 吉池 政史

IPC: B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  B41J2/14

CPC classification number: B81B7/007 ,  B41J2/14 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1607 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1621 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2002/14362 ,  B41J2002/14491 ,  B81B2201/052 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013

Abstract: 【課題】樹脂部に積層された配線における電気接続の信頼性の低下を抑制できるMEMSデバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、MEMSデバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部(38)、及び、樹脂部(38)の表面の少なくとも一部を覆う第1の配線(電極膜56)を有する基板(封止板33)を備え、第1の配線(電極膜56)は、樹脂部(38)と重なる位置から樹脂部(38)から外れた位置まで前記一の面における第1の方向に沿って延設され、樹脂部(38)の幅(w5)は、第1の方向に交差する第2の方向おいて、当該樹脂部(38)を覆う第1の配線(電極膜56)の幅(w3)以上であることを特徴とするMEMSデバイス(液体噴射ヘッド3)。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP3984689B2

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：JP30861997

申请日：1997-11-11

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 隆行 八木 ,  順一 小林 ,  保志 川角 ,  幸宏 早川 ,  靖司 松野 ,  昌弘 滝沢 ,  憲史 牧野 ,  桂 藤田 ,  玄三 門間

IPC: B41J2/05 ,  B41J2/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01B21/30 ,  G01N37/00 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/13 ,  B81B2201/052

公开(公告)号：JP2007526138A

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：JP2007501810

申请日：2005-02-16

Applicant: ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

Inventor： ジェフリー アール． ポラード ,  マイケル ディー． ミラー

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/16

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1634 ,  B81B2201/052

Abstract: 説明する実施形態はスロット付き基板（３００）及びその形成方法に関する。 例示的な一方法は、第１のスロット部分（４１０ａ）を基板（３００）の第１の表面（３０２）に形成し、第１のスロット部分（４１０ａ）は第１の表面（３０２）にフットプリント（４０４）を画定する。 方法はまた、第１のスロット部分（４１０ａ）を通して第２のスロット部分（４１０ａ
1 ）を形成し、第２のスロット部分（４１０ａ
1 ）と合致して基板（３００）を貫通する流体取扱スロット（３０５）を形成するのに十分な程度、基板（３００）の第２の表面（３０３）を通して第３のスロット部分（４１０ａ
2 ）を形成する。

公开(公告)号：JP2017174985A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016059813

申请日：2016-03-24

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 寺崎 敦則

IPC: H01L21/316 ,  B41J2/16 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B41J2/1601 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/14032 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00619 ,  B41J2002/14467 ,  B41J2202/22 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014

Abstract: 【課題】シリコン基板に形成された非常に深く、高アスペクト比の構造の壁面に成膜された保護膜において、底面の保護膜を除去する際に側壁の保護膜へダメージを与えないプロセス設計思想を提供する。 【解決手段】シリコン基板の第一の面から200μm以上あるいは300μm以上の深さLを有する有底の構造体を形成する工程と、該構造体の内壁に保護膜を形成する工程と、該構造体の底部に形成された保護膜を、プラズマエッチングによって構造体の側壁に形成された保護膜に対して選択的に除去するプラズマエッチング工程と、を有し、プラズマエッチングは、シースの長さsが、深さLが200μm以上の場合は10倍以上、300μm以上の場合は5倍以上であるプラズマを発生させ、かつプラズマ中で生成したイオンの平均自由行程が、シースの長さ以上の条件で行う、シリコン基板の加工方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2015023092A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：JP2013148763

申请日：2013-07-17

Applicant: キヤノン株式会社 ,  Canon Inc

Inventor： MINAMI SEIKO ,  SAKAI TOSHIYASU

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00587 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

Abstract: 【課題】反応性イオンエッチングによって形成する貫通穴の開口寸法を微細化した場合でも、開口の広がりを抑制できる基板の加工方法を提供すること。【解決手段】反応性イオンエッチングによって基板に貫通穴を形成する基板の加工方法であって、第一の層と前記第一の層を覆う第二の層とを第一の面側に有する基板を用意する工程と、用意した基板に、前記第一の面の反対側の面である第二の面から反応性イオンエッチングを行い、前記基板に第一の面から第二の面までを貫通する貫通穴を形成し、前記反応性イオンエッチングを前記第一の層に到達させる工程と、を有し、前記第二の層は前記第一の層よりも前記反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが低い層であることを特徴とする基板の加工方法。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：即使当通过反应离子蚀刻形成的通孔的开口尺寸小型化时，也可提供能够抑制开口扩展的基板的处理方法。解决方案：一种用于形成基板的处理方法 通过反应离子蚀刻在基板中的通孔包括制备具有第一层的第一层和覆盖第一侧上的第一层的第二层的基板的步骤，以及在如此制备的基板中形成通孔的步骤， 通过在与第一表面相对的一侧上从第二表面进行反应离子蚀刻，使得反应离子蚀刻到达第一层，从而第二面到第二面。 第二层的反应离子蚀刻的蚀刻速率低于第一层的蚀刻速率。