公开(公告)号：JP2018512289A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：JP2017542873

申请日：2016-02-03

Applicant: メムジェット テクノロジー リミテッド

Inventor： ノース,アンガス ,  オライリー,ローナン ,  マカヴォイ,グレゴリー

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/16

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0121

Abstract: ウェーハ基板の前面に画定された1またはそれ以上のエッチングされた孔を充填するためのプロセス。そのプロセスは、(i)前面上および各孔の中に熱可塑性の第1ポリマの層を堆積するステップと;(ii)第1ポリマをリフローするステップと;(iii)ウェーハ基板を制御された酸化プラズマに曝露するステップと;(iv)選択的にステップ(i)から(iii)を繰り返すステップと;(v)フォトイメージャブルな第2ポリマの層を堆積するステップと;(vi)露光および現像を使用して孔の周囲の外側の領域から第2ポリマを任意選択的に取り除くステップと;(vii)前面を平坦化し互いに異なる第1および第2ポリマを具えるプラグで満たされた孔を提供するステップであって、各プラグの上面が前記ウェーハ基板の前面と同一平面状にある、ステップとを具える。【選択図】図7

公开(公告)号：JP2015523716A

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：JP2015513329

申请日：2013-05-21

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： リー，ユイチョウ ,  マルテン ノラー，バスティアン ,  マルテン ノラー，バスティアン ,  ジロー，クリストフ ,  フランツ，ディアナ

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 【課題】特定の非イオン界面活性剤を含むCMP組成物下で、III−V材料を化学機械研磨(CMP)する、半導体装置の製造方法。【解決手段】(A)無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、(B)少なくとも1種の両親媒性非イオン界面活性剤と、(M)水性媒体とを含む化学機械研磨組成物の存在下で、少なくとも1種のIII−V材料を含む層又は基板を、化学機械研磨する半導体装置の製造方法であって、両親媒性非イオン界面活性剤が(b1)少なくとも1種の疎水性基と、(b2)ポリアルキレン基からなる群より選択される少なくとも1種の親水性基とを持ち、当該ポリオキシアルキレン基が、(b22)オキシエチレン単位以外のオキシアルキレンモノマーを含む。

Abstract translation: 甲在CMP组合物含有特定的非离子表面活性剂，III-V族材料，以化学机械研磨（CMP），一种制造半导体器件的方法。 （A）无机粒子，有机粒子，或它们的混合物或复合物，（B）的化学机械抛光组合物，其包含至少一种两亲性非离子型表面活性剂，和（M）含水介质 在该目的，一个层或衬底包含至少一种III-V族材料，用于半导体装置中，所述两亲性非离子表面活性（b1）中的至少一种化学机械抛光的制造方法的存在 具有疏水性基团，和选自（b2）的聚亚烷基组成的组中选择的至少一种亲水基团，所述聚氧化烯基包括比（B22）氧化乙烯单元以外的氧化烯单体。

公开(公告)号：JP4588147B2

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：JP35680299

申请日：1999-12-16

Applicant: イーストマン コダック カンパニー

Inventor： ジェク ジュニア ジョセフ ,  エイ レベンス ジョン ,  シー ブラザス ジュニア ジョン

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0121

公开(公告)号：TW200534354A

公开(公告)日：2005-10-16

申请号：TW094104834

申请日：2005-02-18

Applicant: 周嘉興 CHIA-SHING CHOU

Inventor： 周嘉興 CHIA-SHING CHOU

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0121 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0072 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本發明揭露一種用來使一機電元件類平坦化並於此機電元件上形成一耐用金屬接觸點之方法，以及使用該方法製作之元件。本方法包括沉積多層材料以形成一半導體元件，其中二項要點係包括於一基底上形成一平坦化介電／導電層，以及於一微機電開關之電樞上形成一電極。該電極可連結至電樞之一結構層，以確保經過多次開關使用之後仍可與電樞保持接觸。本發明亦揭露了一種具有共同接地端平面之微機電開關及其製作方法。製作微機電開關的方法包括：於一基底上製作一共同接地平坦層之圖案；於共同接地平坦層上形成一介電層；沉積一直流電極區，其經由介電層與共同接地平坦層接觸；以及於直流電極區上沉積一導電層，使導電層之區域接觸直流電極區，如此一來共同接地平坦層便提供導電層之區域一共同接地端。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种用来使一机电组件类平坦化并于此机电组件上形成一耐用金属接触点之方法，以及使用该方法制作之组件。本方法包括沉积多层材料以形成一半导体组件，其中二项要点系包括于一基底上形成一平坦化介电／导电层，以及于一微机电开关之电枢上形成一电极。该电极可链接至电枢之一结构层，以确保经过多次开关使用之后仍可与电枢保持接触。本发明亦揭露了一种具有共同接地端平面之微机电开关及其制作方法。制作微机电开关的方法包括：于一基底上制作一共同接地平坦层之图案；于共同接地平坦层上形成一介电层；沉积一直流电极区，其经由介电层与共同接地平坦层接触；以及于直流电极区上沉积一导电层，使导电层之区域接触直流电极区，如此一来共同接地平坦层便提供导电层之区域一共同接地端。

公开(公告)号：TW201402736A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102118277

申请日：2013-05-23

Applicant: 巴地斯顏料化工廠 ,  BASF SE

Inventor： 李玉宙 ,  LI, YUZHUO ,  諾勒 巴斯汀 馬汀 ,  NOLLER, BASTIAN MARTEN ,  吉洛特 克里斯多夫 ,  GILLOT, CHRISTOPHE ,  法蘭茲 黛安娜 ,  FRANZ, DIANA

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 本發明係關於一種製造半導體裝置之方法，其包括在化學機械拋光組合物(Q1)的存在下對含至少一種III-V族材料之基板或層進行化學機械拋光，該組合物(Q1)包含：(A)無機顆粒、有機顆粒、或其混合物或複合物，(B)至少一種兩性非離子介面活性劑，其具有(b1)至少一個疏水性基團；及(b2)至少一個選自由聚氧伸烷基基團組成之群之親水性基團，該等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基單體單元以外之氧伸烷基單體單元；及(M)水性介質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种制造半导体设备之方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)的存在下对含至少一种III-V族材料之基板或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子界面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自由聚氧伸烷基基团组成之群之亲水性基团，该等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基单体单元以外之氧伸烷基单体单元；及(M)水性介质。

公开(公告)号：TW201203328A

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：TW100103093

申请日：2011-01-27

Applicant: 麥克史泰奎股份有限公司

Inventor： 艾納沙朗 帕斯班

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/302 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/02057

Abstract: 本發明揭示促進諸如矽晶圓之半導體組件的接合之非磨蝕方法，該等半導體組件具有微結構缺陷於接合介面表面上。在較佳的方法中，微結構缺陷係藉由形成氧化物層於該接合介面表面上，至低於該缺陷之位準的深度，且然後，去除該氧化物層以暴露出用於接合之合適表面，藉以增加線產能且降低製造設施中的廢品起因。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示促进诸如硅晶圆之半导体组件的接合之非磨蚀方法，该等半导体组件具有微结构缺陷于接合界面表面上。在较佳的方法中，微结构缺陷系借由形成氧化物层于该接合界面表面上，至低于该缺陷之位准的深度，且然后，去除该氧化物层以暴露出用于接合之合适表面，借以增加线产能且降低制造设施中的废品起因。

公开(公告)号：TW200414251A

公开(公告)日：2004-08-01

申请号：TW092120798

申请日：2003-07-30

Applicant: 安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 馬文G. 王 MARVIN GLENN WONG ,  保羅T. 卡森 PAUL THOMAS CARSON

IPC: H01H

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81B2201/018 ,  B81C2201/0121 ,  H01H1/0036 ,  H01H2029/008

Abstract: 一種用以將材料沉積於一通道板上，以致於使該材料對準一個或更多形成於該通道板上之通道的方法，該方法包括：以一抗蝕劑充填至少一個該等通道，該抗蝕劑不會由於材料而沾濕、將材料沉積於該通道板之至少一個區域上，該區域包括至少一部分的抗蝕劑、以及接著移除該抗蝕劑。在一實施例中，該方法能夠用以塗敷一組裝一開關所使用的黏著劑或是襯墊材料。

Abstract in simplified Chinese: 一种用以将材料沉积于一信道板上，以致于使该材料对准一个或更多形成于该信道板上之信道的方法，该方法包括：以一抗蚀剂充填至少一个该等信道，该抗蚀剂不会由于材料而沾湿、将材料沉积于该信道板之至少一个区域上，该区域包括至少一部分的抗蚀剂、以及接着移除该抗蚀剂。在一实施例中，该方法能够用以涂敷一组装一开关所使用的黏着剂或是衬垫材料。

公开(公告)号：TWI596174B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW102118277

申请日：2013-05-23

Applicant: 巴地斯顏料化工廠 ,  BASF SE

Inventor： 李玉宙 ,  LI, YUZHUO ,  諾勒 巴斯汀 馬汀 ,  NOLLER, BASTIAN MARTEN ,  吉洛特 克里斯多夫 ,  GILLOT, CHRISTOPHE ,  法蘭茲 黛安娜 ,  FRANZ, DIANA

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

公开(公告)号：TW201640575A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105102349

申请日：2016-01-26

Applicant: 滿捷特科技公司 ,  MEMJET TECHNOLOGY LIMITED

Inventor： 諾斯 安格斯 ,  NORTH, ANGUS JOHN ,  歐瑞利 羅南 ,  O'REILLY, RONAN PADRAIG SEAN ,  麥艾維 喬治 ,  MCAVOY, GREGORY JOHN

IPC: H01L21/302 ,  B81C1/00 ,  B41J2/04

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0121

Abstract: 一種用於填充定義在晶圓基板之前側表面之一或多個蝕刻洞的製程。製程包括步驟：(i)沉積熱塑性第一聚合物層在該前側表面上及進入每個洞；(ii)回焊該第一聚合物；(iii)以受控氧化電漿(oxidative plasma)曝光該晶圓基板；(iv)選擇地重複步驟(i)至(iii)；(v)沉積可光成像第二聚合物層；(vi)使用曝光和顯影從該些洞周邊外側的區域選擇性地去除該第二聚合物；以及(vii)平坦化該前側表面以提供填充有包含彼此不同的該第一和第二聚合物之堵塞物的洞。每個堵塞物具有與該前側表面共平面的相應的上表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于填充定义在晶圆基板之前侧表面之一或多个蚀刻洞的制程。制程包括步骤：(i)沉积热塑性第一聚合物层在该前侧表面上及进入每个洞；(ii)回焊该第一聚合物；(iii)以受控氧化等离子(oxidative plasma)曝光该晶圆基板；(iv)选择地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从该些洞周边外侧的区域选择性地去除该第二聚合物；以及(vii)平坦化该前侧表面以提供填充有包含彼此不同的该第一和第二聚合物之堵塞物的洞。每个堵塞物具有与该前侧表面共平面的相应的上表面。

公开(公告)号：TWI527100B

公开(公告)日：2016-03-21

申请号：TW100103093

申请日：2011-01-27

Applicant: 當恩麥克史泰奎股份有限公司 ,  DUNAN MICROSTAQ, INC.

Inventor： 艾納沙朗 帕斯班 ,  ARUNASALAM, PARTHIBAN

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/302 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/02057