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    Photocathode à rendement élevé
    76.
    发明公开
    Photocathode à rendement élevé 失效
    光阴效率高。

    公开(公告)号：EP0228323A1

    公开(公告)日：1987-07-08

    申请号：EP86402618.2

    申请日：1986-11-25

    Applicant: THOMSON-CSF

    Inventor： Munier, Bernard ,  De Groot, Paul ,  Weisbuch, Claude ,  Henry, Yves

    IPC: H01J1/34 ,  H01J29/38

    CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J2201/3423

    Abstract: Un exemple de réalisation comporte :
    - Une couche transparente (1) constituée d'un matériau semi-­conducteur de type P⁺ dans la largeur de bande interdite est suffisamment grande pour que cette couche soit transparente pour les photons (29) de la lumière à détecter ;
    - Une couche d'absorption constituée de dix premières sous-­couches (2 à 13) constituées d'un matériau semi-conducteur de type P⁺ ayant une largeur de bande interdite suffisamment petite pour posséder des propriétés électroniques bi-dimensionnelles afin de convertir efficace­ment les photons (29) en paires électron-trou et dix secondes sous-couches (16 à 27) intercalées entre les premières et constituées du même matériau que la couche transparente (1), ces secondes sous-couches (16 à 27) étant suffisamment minces pour permettre la traversée des électrons par effet tunnel, et les premières sous-couches (2 à 13) ayant une épaisseur suffisante pour permettre l'absorption des photons (29) de toutes les longueurs d'onde de la lumière à détecter ;
    - Une couche de transport (14) constituée du même matériau que les premières sous-couches (2 à 13) ;
    - Une couche (15) de Cs + O permettant d'abaisser le potentiel du vide pour permettre l'émission d'électrons (28) dans le vide.
    Application aux tubes de prise de vues de télévision et aux tubes intensificateurs d'image.

    Photocathode comprising a plurality of openings on an electron emission layer
    78.
    发明授权
    Photocathode comprising a plurality of openings on an electron emission layer 失效
    光电阴极包括在电子发射层上的多个开口

    公开(公告)号：US07816866B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11585936

    申请日：2006-10-25

    Applicant: Kazutoshi Nakajima ,  Minoru Niigaki ,  Tomoko Mochizuki ,  Toru Hirohata

    Inventor： Kazutoshi Nakajima ,  Minoru Niigaki ,  Tomoko Mochizuki ,  Toru Hirohata

    IPC: H01J40/06 ,  H01J37/08 ,  G21K5/10 ,  H01L29/12

    CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J2201/3423

    Abstract: A semiconductor photocathode 1 includes: a transparent substrate 11; a first electrode 13, formed on the transparent substrate 11 and enabling passage of light that has been transmitted through the transparent substrate 11; a window layer 14, formed on the first electrode 13 and formed of a semiconductor material with a thickness of no less than 10 nm and no more than 200 nm; a light absorbing layer 15, formed on the window layer 14, formed of a semiconductor material that is lattice matched to the window layer 14, is narrower in energy band gap than the window layer 14, and in which photoelectrons are excited in response to the incidence of light; an electron emission layer 16, formed on the light absorbing layer 15, formed of a semiconductor material that is lattice matched to the light absorbing layer 15, and emitting the photoelectrons excited in the light absorbing layer 15 to the exterior from a surface; and a second electrode 18, formed on the electron emission layer.

    Abstract translation: 半导体光电阴极1包括：透明基板11; 第一电极13，其形成在透明基板11上，并能透过透明基板11的光通过; 窗口层14，其形成在第一电极13上并且由不小于10nm且不大于200nm的厚度的半导体材料形成; 形成在与窗口层14格子匹配的半导体材料的窗口层14上的光吸收层15的能带隙比窗口层14更窄，并且其中光电子响应于 光的发生; 由与光吸收层15晶格匹配的半导体材料形成的光吸收层15上形成的电子发射层16，并且将从光吸收层15激发的光电子从表面发射到外部; 以及形成在电子发射层上的第二电极18。

    Low-photon flux image-intensified electronic camera
    80.
    发明申请
    Low-photon flux image-intensified electronic camera 有权
    低光子通量图像增强电子照相机

    公开(公告)号：US20060081770A1

    公开(公告)日：2006-04-20

    申请号：US10969379

    申请日：2004-10-19

    Applicant: Michael Buchin

    Inventor： Michael Buchin

    IPC: H01L25/00

    CPC classification number: H01J31/507 ,  H01J2201/3423 ,  H01J2231/50073 ,  H01J2231/5016

    Abstract: A low-photon flux image-intensified electronic camera comprises a gallium arsenide phosphide (GaAsP) photocathode in a high vacuum tube assembly behind a hermetic front seal to receive image photons. Such is cooled by a Peltier device to −20° C. to 0° C., and followed by a dual microchannel plate. The microchannels in each plate are oppositely longitudinally tilted away from the concentric to restrict positive ions that would otherwise contribute to the generation high brightness “scintillation” noise events at the output of the image. A phosphor-coated output fiberoptic conducts intensified light to an image sensor device. This too is chilled and produces a camera signal output. A high voltage power supply connected to the dual microchannel plate provides for gain control and photocathode gating and shuttering. A fiberoptic taper is used at the output of the image intensifier vacuum tube as a minifier between the internal output fiberoptic and the image sensor.

    Abstract translation: 低光子通量图像增强电子照相机包括在密封前密封件后面的高真空管组件中的砷化镓磷（GaAsP）光电阴极，以接收图像光子。 这样通过珀耳帖装置被冷却到-20℃至0℃，然后是双重微通道板。 每个板中的微通道相对于远离同心的纵向倾斜以限制正离子，否则将有助于在图像的输出处产生高亮度“闪烁”噪声事件。 磷光体涂层的输出光纤将增强的光传导到图像传感器装置。 这也被冷却并产生相机信号输出。 连接到双微通道板的高压电源提供增益控制和光电阴极门控和快门。 在图像增强器真空管的输出处使用光纤锥形作为内部输出光纤和图像传感器之间的微型计算机。

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