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公开(公告)号：CN1959895A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN107112175A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070708.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 佐佐木达夫
CPC classification number: H01J1/34 , H01J1/78 , H01J29/38 , H01J31/49 , H01J31/50 , H01J31/506 , H01J40/06 , H01J40/16 , H01J2201/3423 , H01J2201/3426 , H01J2231/50021
Abstract: 本发明的目的在于提高光电面的紫外波段的灵敏度，光电面(1)包括：透射紫外线的窗口材料(2)；在窗口材料(2)形成、具有导电性的导电膜(3)；在导电膜(3)形成、由MgF2构成的中间膜(4)；和在中间膜(4)形成、由CsTe构成的光转换膜(6)，因为光电面(1)具备由MgF2构成的中间膜(4)，所以紫外波段的灵敏度得到提高。
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公开(公告)号：CN1291435C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN01820827.4
申请日：2001-12-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 在光吸收层2厚时，将发生时间分辨率降低的现象，如果限制光吸收层2的厚度，则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断，所以，相邻的电子浓度分布重叠的区域减少，由于缩短了电子通过所需要的移动时间，可以抑制通过扩散而相互重叠的区域，此外，由于还提高了电场强度，所以，通过它们的相互协同的作用，可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级，厚度为1.3μm时，时间分辨率为40ps，厚度为0.19μm时，时间分辨率为7.5ps。
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公开(公告)号：CN1959895B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN1481569A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN01820827.4
申请日：2001-12-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 在光吸收层2厚时，将发生时间分辨率降低的现象，如果限制光吸收层2的厚度，则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断，所以，相邻的电子浓度分布重叠的区域减少，由于缩短了电子通过所需要的移动时间，可以抑制通过扩散而相互重叠的区域，此外，由于还提高了电场强度，所以，通过它们的相互协同的作用，可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级，厚度为1.3μm时，时间分辨率为40ps，厚度为0.19μm时，时间分辨率为7.5ps。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2007123176A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：JP2005316908
申请日：2005-10-31
Applicant: Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
Inventor： NAKAJIMA KAZUTOSHI , ARAGAKI MINORU , MOCHIZUKI TOMOKO , HIROHATA TORU
IPC: H01J1/34 , H01J29/38 , H01J40/06 , H01L31/0248
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor photoelectric negative electrode having sensitivity to light in a wide wavelength band. SOLUTION: This semiconductor photoelectric negative electrode 1 is provided with: a transparent substrate 11; a first electrode 13 formed on the transparent substrate 11 and allowing light transmitted through the transparent substrate 11 to pass therethrough; a window layer 14 formed on the first electrode 13 and formed of a semiconductor material having a thickness of 10-200 nm; a light-absorbing layer 15 formed on the window layer 14, formed of a semiconductor material lattice-matching the window layer 14 and having an energy band gap narrower than that of the window layer 14 for exciting photoelectrons in response to entry of the light; an electron-emitting layer 16 formed on the light-absorbing layer 15, and formed of a semiconductor material lattice-matching the light-absorbing layer 15 for emitting the photoelectrons excited by the light-absorbing layer 15 from a surface thereof to the outside; and second electrodes 18 formed on the electron-emitting layer. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供对宽波段的光敏感的半导体光电负极。 解决方案：该半导体光电负极1设置有：透明基板11; 形成在透明基板11上并允许透过透明基板11的光通过的第一电极13; 形成在第一电极13上并由厚度为10-200nm的半导体材料形成的窗口层14; 形成在窗口层14上的光吸收层15，其由与窗口层14相匹配的晶格匹配的半导体材料形成，并且具有比用于激发光电子的窗口层14响应于光的入射窄的能带隙; 形成在光吸收层15上的电子发射层16，由与光吸收层15激发的光电子的光吸收层15的晶格匹配的半导体材料的表面形成于外部; 以及形成在电子发射层上的第二电极18。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP4939033B2
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：JP2005316908
申请日：2005-10-31
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社
IPC: H01J1/34 , H01J29/38 , H01J40/06 , H01L31/0248
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
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公开(公告)号：WO2016162351A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2016/057468
申请日：2016-04-06
Applicant: PHOTONIS FRANCE
Inventor： CONDE, Moustapha , FOLTZ, Justin
CPC classification number: H01J40/06 , H01J1/34 , H01J40/16 , H01J2201/3423
Abstract: L'invention concerne une photocathode comprenant une fenêtre d'entrée (210) adaptée à recevoir un flux de photons incidents, et une couche active (230), la couche active étant composée d'une pluralité de couches élémentaires (230 1 , 230 2) en matériaux semiconducteurs ayant des largeurs de bande interdite décroissantes dans le sens du flux de photons incidents. La surface de la photocathode opposée à la fenêtre d'entrée est structurée de manière à ce que chaque couche élémentaire de la couche active possède sa propre surface d'émission photoélectrique (240 1 , 240 2 ). En choisissant les matériaux semiconducteurs des couches élémentaires, on peut obtenir une image ayant une sensibilité élevée tant dans le spectre visible que dans le proche infrarouge.
Abstract translation: 本发明涉及一种光电阴极，其包括适于接收入射光子流的输入窗口（210）和有源层（230），该有源层由多个由半导体材料制成的元素层（2301,2302）组成， 减少入射光子流动方向的禁带宽度。 与输入窗口相对的光电阴极的表面被构造成使得有源层的每个基本层具有其自己的光电发射表面（2401,2402）。 通过选择基本层的半导体材料，可以获得在可见光谱和近红外线中具有高灵敏度的图像。
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公开(公告)号：WO99067802A1
公开(公告)日：1999-12-29
申请号：PCT/JP1998/002837
申请日：1998-06-25
CPC classification number: H01J1/34 , H01J43/08 , H01J2201/3423 , H01J2231/50021
Abstract: A photocathode comprising a laminate (10) composed of a UV glass substrate (3) and, successively formed thereof, an SiO2 layer (15), a GaAlN layer (17a), a III - V nitride semiconductor layer (18) and a Cs-O layer (19). The UV glass substrate (3) that absorbs infrared rays can be heat-treated at a high speed by heating with light and can transmit ultraviolet rays, making it possible to introduce ultraviolet rays into the III - V nitride semiconductor layer (18) that effects the photo-electric conversion.
Abstract translation: 一种光电阴极，包括由UV玻璃基板（3）构成的层压体（10），并且依次形成有SiO 2层（15），GaAlN层（17a），III-V族氮化物半导体层（18）和Cs -O层（19）。 吸收红外线的紫外线玻璃基板（3）能够通过用光加热而高速热处理，能够透射紫外线，从而可以将紫外线引入III-V族氮化物半导体层（18） 光电转换。
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公开(公告)号：WO2009119074A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/001304
申请日：2009-03-24
IPC: H01J37/073 , G21K1/00 , H01J1/34
CPC classification number: G21K1/16 , H01J1/34 , H01J3/021 , H01J37/06 , H01J2201/3423 , H01J2203/0296 , H01J2237/06333 , H01J2237/06383 , H01J2237/24557 , H01J2237/26
Abstract: 【課題】基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。 【解決手段】基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。この結果、励起される電子のスピン偏極度と偏極電子の外部量子効率が向上する。
Abstract translation: 提供了一种具有高自旋极化度和外部量子效率的自旋极化电子源，同时在选择衬底，缓冲层和失真超晶格层的材料方面提供灵活性。 自旋极化电子源包括在缓冲层上形成的衬底，缓冲层和失真的超晶格层。 在自旋极化电子源中，在衬底和缓冲层之间插入中间层，中间层由晶格常数大于构成缓冲层的晶体的晶格常数的晶体构成。 这导致由于拉伸变形而在缓冲层中发生垂直于衬底的方向的裂纹，使得缓冲层变成马赛克状。 结果，由于在倾斜方向上的滑移位错不被引入到在缓冲层上生长的失真的超晶格层中，所以改善了超晶格层的结晶特性。 因此，激发电子的自旋极化度和极化电子的外部量子效率得到改善。
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