公开(公告)号：CN103403852A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010528.6

申请日：2012-02-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  P·B·路透 ,  阿尼鲁达·帕尔 ,  杰瑞德·阿哈默德·里 ,  I·优素福

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32844 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明的实施例提供能处理基板的双负载闸室。在一实施例中，双负载闸室包括腔室主体，腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积。下腔室容积和第二腔室容积中的每一个，经由配置以传送基板的两个开口，能选择性连接至两个处理环境。双负载闸室还包括设在第二腔室容积内的加热基板支撑组件。加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板。双负载闸室还包括连接至第二腔室容积的远端等离子体源，用以供应等离子体给第二腔室容积。

公开(公告)号：CN103155133A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048707.4

申请日：2011-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739

Abstract: 本发明提供一种能够平面地配置且展开多个处理腔室，并且能够实现工作效率（每单位时间处理基板的枚数）提高的基板处理系统。在基板处理系统设置有将基板从装载模块（22）搬送至用于进行处理的第一处理腔室（23）的第一搬送单元（28）和设置于第一搬送单元（28）的下方或上方，将基板从装载模块（22）搬送至用于进行处理的第二处理腔室（24）的第二搬送单元（31）。第一处理腔室（23）和第二处理腔室（24）在上下方向不重叠，配置于平面上错开的位置。此外，第一搬送单元（28）的至少一部分和第二搬送单元（31）的至少一部分在上下方向重叠。

公开(公告)号：CN103069550A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180041077.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 诺发系统公司

Inventor： 凯文·詹宁斯 ,  穆罕默德·萨布里 ,  爱德华·奥古斯提尼亚克 ,  苏尼尔·卡普尔 ,  道格拉斯·凯尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明描述了用于生成密度可变等离子体的方法和硬件。例如，在一实施方式中，处理站包括喷头和衬底架，所述喷头包括喷头电极，所述衬底架包括被构造来支撑衬底的台面，其中所述衬底架被设置在所述喷头的下方。所述衬底架包括设置在所述衬底架的内侧区域中的内电极和设置在所述衬底架的外侧区域中的外电极。所述处理站进一步包括被配置来在位于所述喷头和所述衬底架之间的等离子体区域中生成等离子体的等离子体发生器，以及被配置来控制所述等离子体发生器、所述内电极、所述外电极和所述喷头电极以实现所述等离子体区域的外侧部分中的等离子体密度大于所述等离子体区域的内侧部分中的等离子体密度的控制器。

公开(公告)号：CN101777487B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201010126106.8

申请日：2008-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67201

Abstract: 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。

公开(公告)号：CN101341574B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200680048123.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 于第一实施方式中，本发明提供用于半导体元件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁，可界定适于容设机械臂的中心传送区；(2)数个面，形成于该侧壁上，各适于耦接至处理室；以及(3)延伸面，形成于该侧壁上，可让该主机能耦接到至少四个全尺寸处理室，同时提供该主机的维护进出口。本发明亦揭示其它多种实施方式。

公开(公告)号：CN102770936A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080052526.4

申请日：2010-10-05

Applicant: 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)

Inventor： S·克拉斯尼策尔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明涉及一种真空处理腔室，其具有用于在所述腔室中构造磁场的线圈装置，其中所述线圈装置包括至少一个第一部分线圈和一个第二部分线圈，其中所述第一部分线圈和第二部分线圈在横截面中如此并排地优选放置在一个平面中，从而使得所述第一线圈的至少各一个部分区段基本上遵循所述第二线圈的部分区段延伸，其中所述第一部分区段与第二部分区段的间距比部分线圈的以及必要时更小的部分线圈的横截面小至少一个数量级。

公开(公告)号：CN101355018B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810144215.5

申请日：2008-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01L21/67201

Abstract: 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。

公开(公告)号：CN101855719B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200980100967.4

申请日：2009-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎良二

IPC: H01L21/677 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67201

Abstract: 本发明提供负载锁定装置和基板冷却方法，该负载锁定装置(6、7)包括：容器(31)，其设置为能够使压力在与真空的搬送室(5)对应的压力和大气压之间变动；将容器(31)内的压力调整为与搬送室(5)对应的真空和大气压的压力调整机构(49)；相对地设置在容器(31)内的、通过与晶片(W)接近或接触而冷却晶片(W)的下部冷却板(32)和上部冷却板(33)；将晶片(W)搬送至下部冷却板(32)的冷却位置的晶片升降销(50)和驱动机构(53)；以及将晶片(W)搬送至上部冷却板(33)的冷却位置的晶片支承部件(60)和驱动机构(63)。

公开(公告)号：CN102414808A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018391.X

申请日：2010-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阪上博充

IPC: H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种被处理体的输送方法和被处理体处理装置。公开了一种即使缩短各种处理的处理时间也能够抑制生产率达到极限的情况的被处理体的输送方法。在该输送方法中，将多个加载互锁室构成为能够收容多个被处理体，将处理前的第1被处理体输入到多个加载互锁室中，使用输送装置将处理完毕的第2被处理体从多个处理室相对于输送室同时输出，从输送室将处理完毕的第2被处理体同时输入到多个加载互锁室中，使用输送装置将处理前的第1被处理体从多个加载互锁室相对于输送室同时输出，从输送室(31)将处理前的第1被处理体同时输入到多个处理室中。

公开(公告)号：CN102386053A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110212557.8

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 柴田刚吏 ,  谷山智志 ,  中田高行

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67775

Abstract: 衬底处理装置和制造半导体器件的方法。一种衬底处理装置，包括：衬底容器保持支架，包括配置为在其上保持衬底容器的多个搁板；衬底容器运送机构，配置为向衬底容器保持支架加载衬底容器以及从衬底容器保持支架卸载衬底容器；衬底容器保持支架升降机构，配置为在垂直方向上提起衬底容器保持支架的多个搁板中的每一个；以及处理单元，配置为从衬底容器保持支架接收衬底容器中的至少一个。