公开(公告)号：KR20210030199A

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020200109220A

申请日：2020-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키히로 요코타

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32669 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/3341

Abstract: 하나의 개시되는 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 기판 지지기, 플라즈마 생성부, 및 제1과 제2 전자석 어셈블리를 구비한다. 기판 지지기는, 챔버 내에 배치된다. 기판 지지기 상의 기판의 중심은, 챔버의 중심축선 상에 위치한다. 플라즈마 생성부는, 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 제1 전자석 어셈블리는, 하나 이상의 제1 환상 코일을 포함하고, 챔버의 위 또는 상방에 배치되며, 챔버 내에 제1 자장을 생성하도록 구성된다. 제2 전자석 어셈블리는, 하나 이상의 제2 환상 코일을 포함하고, 챔버 내에 제2 자장을 생성하도록 구성된다. 제2 자장은, 기판 지지기 상의 기판의 중심에서 제1 자장의 강도를 저감시킨다.

公开(公告)号：KR102228321B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020170121617A

申请日：2017-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고헤이 후쿠시마 ,  히로미 니타도리

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45578 ,  H01L21/67017 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02263

Abstract: 본 발명은, 기판에 실시되는 처리의 면내 분포를 제어하는 것이 가능한 가스 도입 기구를 제공하는 것이다. 일 실시 형태의 가스 도입 기구는, 처리 용기 내에서 소정의 가스를 사용해서 기판에 대해 소정의 처리를 실시하기 위해서 상기 처리 용기에 설치된 가스 도입 기구이며, 상기 처리 용기의 하단부에 배치된 매니폴드로서, 상기 처리 용기의 내벽면을 따라 상하로 연장됨과 함께, 관상 부재를 삽입 가능하면서 또한 밖에서 끼워 지지 가능한 삽입 구멍을 갖는 인젝터 지지부와, 상기 인젝터 지지부로부터 외측으로 돌출되고, 상기 삽입 구멍과 상기 처리 용기의 외부를 연통해서 가스가 통류 가능한 가스 유로를 내부에 갖는 가스 도입부를 갖는 매니폴드와, 상기 삽입 구멍에 삽입되어, 상기 내벽면을 따라 전체가 직선 형상으로 연장됨과 함께, 상기 삽입 구멍에 삽입된 개소에 상기 가스 유로와 연통하는 개구를 갖는 인젝터와, 상기 인젝터의 하단부에 접속되어, 상기 인젝터를 회전시키는 회전 기구를 갖는다.

公开(公告)号：KR102227409B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020140077970A

申请日：2014-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시후미 아마노 ,  유키 이토 ,  에이이치로 오카모토

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/08 ,  H01L21/66

CPC classification number: B08B13/00 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67259

Abstract: 본 발명은 장치의 대형화를 초래하는 일없이 간단하면서 확실하게 노즐로부터의 처리액의 토출을 확인할 수 있도록 하는 것을 과제로 한다.
기판에 대하여 처리액을 토출하는 노즐을 가지며, 상기 노즐로부터의 처리액의 토출 상태를 확인용 지그를 이용하여 확인할 수 있게 한 기판 처리 장치를 구비하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 노즐로부터 토출된 처리액을 받는 액수용부를 갖는 확인용 지그가 상기 기판 처리 장치의 정해진 위치에 설치되었음을 검출하는(단계 S103) 지그 센서부와, 상기 노즐로부터의 처리액의 토출을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 노즐로부터의 처리액의 토출이 금지되어 있는 상태에서 상기 지그 센서부의 검출에 기초하여 상기 확인용 지그가 상기 기판 처리 장치의 정해진 위치에 설치되었다고 판단한 경우, 상기 노즐의 처리액의 토출을 허가한다(단계 S106).

公开(公告)号：KR20210028098A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200105110A

申请日：2020-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 준 모치즈키

IPC: G01R1/067 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R1/06733 ,  G01R31/2601 ,  G01R1/06716 ,  G01R1/07342 ,  G01R31/2863 ,  G01R31/2887 ,  G01R31/2889

Abstract: [과제] 접촉 대상체에 접촉하는 접촉자를 갖는 전기적 접속 장치의 제작 코스트를 저감한다.
[해결수단] 접촉 대상체에 접촉하는 접촉자를 구비하는 전기적 접속 장치에 있어서, 상기 접촉 대상체측의 면에 오목부를 갖는 본체부와, 상기 오목부를 덮는 밀폐 공간을 형성하고, 가요성을 갖는 가요성부를 구비하고, 상기 본체부는 상기 밀폐 공간 내의 압력을 조정하기 위한 배기로 및 급기로를 갖고, 상기 접촉자는 상기 가요성부를 사이에 두고 상기 오목부와 대향하도록 마련되어 있다.

公开(公告)号：KR20210027456A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020217003382A

申请日：2019-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 교코 이케다 ,  가즈야 도바시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 챔버 내의 스테이지에 부착된 오염물을 제거하는 클리닝 방법으로서, 상기 챔버 내를 미리 정해진 진공 압력으로 설정하는 제1 공정과, 상기 스테이지를 향하여 충격파를 형성하는 제1 가스를 공급하는 제2 공정과, 상기 스테이지를 향하여 충격파를 형성하지 않는 제2 가스를 공급하는 제3 공정을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR20210025124A

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020217005083A

申请日：2019-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 로버트 디. 클락 ,  칸다바라 엔. 타필리

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/324 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L28/40

Abstract: 반도체 소자를 위한 결정학적으로 안정화된 강유전체 하프늄 지르코늄계 막을 형성하는 방법이 설명된다. 하프늄 지르코늄계 막은 도핑될 수 있거나, 도핑되지 않을 수 있다. 방법은, 기판 상에 5 나노미터 초과의 두께를 갖는 하프늄 지르코늄계 막을 증착하는 단계; 하프늄 지르코늄계 막 상에 캡 층을 증착하는 단계; 기판을 열처리하여, 비-중심대칭 사방정계 상, 정방정계 상, 또는 이들의 혼합으로 하프늄 지르코늄계 막을 결정화하는 단계를 포함한다. 방법은, 기판으로부터 캡 층을 제거하는 단계; 열처리된 하프늄 지르코늄계 막을 5 나노미터 미만의 두께로 박막화하는 단계를 더 포함하며, 박막화된 열처리된 하프늄 지르코늄계 막은, 결정화된 비-중심대칭 사방정계 상, 정방정계 상, 또는 이들의 혼합을 유지한다.

公开(公告)号：KR102224425B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020180029799A

申请日：2018-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쿄고 이케다

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은, 직선 유로로부터 분기해서 형성되는 가스 토출구로부터 토출되는 가스에 이물이 포함되는 것을 방지할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
직선상으로 형성되어, 일단으로부터 가스가 공급되는 직선 유로(45)와, 상기 직선 유로(45)가 분기해서 형성된 가스 토출구(46)와, 상기 직선 유로(45)의 연장선을 따라 형성됨과 함께 당해 직선 유로(45)의 타단에 접속되는 가스의 순환로(47)를 구비하도록 가스 공급 부재(41)를 구성한다. 그리고, 이 순환로(47)에 있어서, 상기 직선 유로(45)에 공급된 가스에 포함되는 이물을 포집한다.

公开(公告)号：KR102224424B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020170145735A

申请日：2017-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시유키 이케우치 ,  히로미 시마 ,  게이스케 스즈키

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/402 ,  C23C16/46 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 본 발명은, 노즐의 대형화를 억제하면서, 종형 열처리 장치에 적합한 성막 가스의 공급을 행하는 것이 가능한 가스 인젝터 등을 제공한다. 상하 방향으로 복수의 기판(W)을 선반 형상으로 배열하여 유지한 기판 유지구(2)를 사용하고, 종형의 반응 용기(1) 내에서 열처리를 행하는 종형 열처리 장치에 설치되고, 상기 반응 용기(1) 내에 성막 가스를 공급하기 위한 가스 인젝터(3)에 있어서, 통 형상의 인젝터 본체(32)는, 반응 용기(1) 내에 상하 방향으로 신장되도록 배치되고, 상기 상하 방향을 따라서, 복수의 가스 공급 구멍(31)이 형성되어 있다. 통 형상의 가스 도입관(33)은, 상기 인젝터 본체(32)와 일체가 되도록 설치되고, 성막 가스를 수용하는 하부측의 가스 수입구와, 인젝터 본체(32)의 내부 공간(321)에 성막 가스를 도입하는 가스 도입구(331)를 구비한다.

公开(公告)号：KR102239201B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020180015758A

申请日：2018-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카히로 아베

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67739

Abstract: 본 발명은, 파티클의 비산을 억제하는 것이 가능한 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다. 일 실시 형태의 기판 처리 시스템은, 기판을 수용하는 캐리어를 기판 처리 장치에 대하여 반송하기 위한 캐리어 반송 영역과, 상기 캐리어 반송 영역과 격벽에 의해 구획되고, 상기 캐리어에 수용되는 상기 기판을 처리 로에 반송하기 위한 기판 반송 영역과, 상기 격벽에 형성되고, 상기 캐리어 반송 영역과 상기 기판 반송 영역과의 사이에서 상기 기판을 반송하기 위한 반송구와, 상기 반송구를 개폐하는 개폐 도어와, 상기 기판 반송 영역의 압력과, 상기 캐리어와 상기 개폐 도어에 둘러싸인 공간의 압력을 대략 동일한 압력으로 하는 동압화 수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR102237507B1

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020140065736A

申请日：2014-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시히로 가이 ,  요시노리 이케다 ,  가즈요시 시노하라 ,  데츠야 오다 ,  사토루 다나카 ,  유키 요시다 ,  메이토쿠 아이바라

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 세정 성능을 향상시키고 아울러 소형화를 도모하는 것을 특징으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 토출하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 제1 노즐과 제2 노즐을 이동시키는 이동 기구와, 적어도 제2 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치를 구비한다. 노즐 세정 장치는, 세정조와, 오버플로조를 구비한다. 세정조는, 적어도 제2 노즐을 세정하기 위한 세정액을 저류하는 저류부와, 정해진 수위를 초과한 세정액을 저류부로부터 배출하는 오버플로부를 구비한다. 오버플로조는, 세정조에 인접하여 배치되고, 오버플로부로부터 배출되는 세정액을 받아 외부에 배출한다.