公开(公告)号：FR3070221B1

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：FR1757701

申请日：2017-08-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H01L27/105

Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant : des premiers transistors (8) connectés en parallèle et séparés les uns des autres par des premières tranchées isolantes (S2) ; et des seconds transistors (4) séparés les uns des autres par des secondes tranchées isolantes (S1), les premières tranchées isolantes ayant une largeur maximale inférieure aux largeurs maximales de toutes les secondes tranchées isolantes.

公开(公告)号：FR3087305A1

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：FR1859528

申请日：2018-10-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORTET SEBASTIEN ,  DAVINO DIDIER ,  THOMAS CEDRIC

IPC: H02M3/07 ,  H02M3/10

Abstract: La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une alimentation à découpage (102), ayant une première phase de fonctionnement dans laquelle le noeud de sortie (106) de l'alimentation à découpage est relié par un interrupteur (108) fermé à une source (112) d'une première tension de référence (VH), suivi d'une deuxième phase de fonctionnement dans laquelle le noeud de sortie (106) de l'alimentation est dans un état de haute impédance de sorte qu'une capacité (122) connectée au noeud de sortie de l'alimentation à découpage se décharge au moins partiellement dans une charge (104).

公开(公告)号：FR3079374B1

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：FR1852413

申请日：2018-03-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GAILHARD BRUNO

IPC: H03L7/08

Abstract: Procédé de gestion du fonctionnement d'une boucle à verrouillage de phase (BV), la boucle comprenant un oscillateur contrôlé en tension (16) par un signal de contrôle (SC) et un comparateur de phase (14) recevant un signal de référence (CKIN) et un signal de retour (CKFB) issu du signal de sortie (SS) de l'oscillateur (16), le procédé comprenant une détection d'une absence éventuelle de transitions sur le signal de retour (CKFB) pendant une première durée et en réponse à une telle absence, un forçage de la décroissance (DWN) de la tension dudit signal de contrôle (SC) au moins jusqu'à une réapparition de transitions sur ledit signal de retour (CKFB).

公开(公告)号：FR3079342B1

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：FR1852417

申请日：2018-03-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL

IPC: H01H85/04 ,  H01L21/00 ,  H05K1/00

Abstract: Plaquette semi-conductrice (1), comportant des premières zones (Z1) contenant des circuits intégrés (CI) possédant chacun un substrat (S) et au moins un anneau d'étanchéité (AT) en périphérie du substrat (S), les premières zones (Z1) étant mutuellement séparées par des deuxièmes zones (Z2) contenant des chemins ou lignes de découpe (LD), dans laquelle au moins un circuit intégré (CI1) comporte au moins un dispositif fusible (DIS) électriquement conducteur s'étendant, entre un premier endroit (E1) à l'intérieur du circuit intégré (CI1) et un deuxième endroit (E2) situé à l'extérieur du circuit intégré (CI1) au-delà d'une des lignes de découpe (LD) voisine du circuit intégré, en traversant ledit au moins un anneau d'étanchéité (AT) et en chevauchant ladite ligne de découpe (LD) voisine, la partie traversante du dispositif fusible étant électriquement isolée dudit au moins un anneau d'étanchéité (AT) et du substrat (S), la partie chevauchante (PST2) étant adaptée à être sectionnée, le dispositif fusible (DIS) étant apte à passer d'un état électriquement passant à un état électriquement non passant lors du sectionnement (S2) de la partie chevauchante (PST2) occasionné par une découpe de la plaquette (1) le long de ladite ligne de découpe (LD) voisine.

公开(公告)号：FR3087062A1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：FR1859332

申请日：2018-10-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ROUBADIA REGIS

Abstract: La présente description concerne un circuit de génération d'au moins un signal (GP, GN) de commande en tout ou rien d'un interrupteur (MP, MN) d'alimentation, dans lequel le signal est adapté en fonction de la valeur d'une tension d'alimentation (VDD SMPS) pour régler la pente de commutation de l'interrupteur.

公开(公告)号：FR3085566A1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：FR1857859

申请日：2018-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TRAMONI ALEXANDRE

IPC: H04B5/00 ,  H04L12/00 ,  H04W4/00

Abstract: La présente description concerne un dispositif de communication en champ proche comportant un circuit oscillant (31) ; un pont redresseur (33) de la tension aux bornes du circuit oscillant (31) ; un oscillateur commandé en tension (39) de fourniture d'une fréquence de référence (f) ; et dans lequel ledit oscillateur est alimenté et commandé par une tension fonction d'une tension de sortie (Vout) du pont redresseur (33).

公开(公告)号：FR3085530A1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：FR1857840

申请日：2018-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

Abstract: Circuit intégré comportant au moins une cellule mémoire (CM) intégrant un dispositif anti-fusible (DIS) comportant un transistor d'état (TR) possédant une grille de commande (EG) et une deuxième grille (FG) configurée pour être flottante de façon à conférer un état non claqué au dispositif anti-fusible (DIS) ou électriquement couplée à la grille de commande de façon à conférer un état claqué au dispositif antifusible (DIS).

公开(公告)号：FR3076660B1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：FR1850157

申请日：2018-01-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARZAKI ABDERREZAK ,  REGNIER ARNAUD ,  NIEL STEPHAN

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/822 ,  H01L23/66

Abstract: Le dispositif (300) de cellule capacitive de remplissage comporte une première région semiconductrice (NW) ; une région isolante (STI) délimitant une zone utile (ACT) de la première région semiconductrice (NW) ; au moins une tranchée (30) située dans ladite zone utile (ACT) et s'étendant jusque dans la région isolante (STI), la tranchée (30) possédant une portion centrale (31) électriquement conductrice enveloppée dans une enveloppe isolante (32) ; une région de couverture (35) recouvrant au moins une première partie de ladite tranchée (30), la première partie de ladite tranchée étant la partie située dans ladite zone utile (ACT), et comportant une couche diélectrique (37) au contact de ladite tranchée ; une couche de siliciure de métal (38) localisée au moins sur la portion centrale d'une deuxième partie de ladite tranchée (30), la deuxième partie de ladite tranchée étant une partie non recouverte par la région de couverture (35).

公开(公告)号：FR3084492A1

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：FR1857057

申请日：2018-07-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARINET FABRICE ,  FORNARA PASCAL

IPC: G06F21/00 ,  H01L27/00

Abstract: Le procédé de détection d'une attaque d'un circuit intégré (CI) par un faisceau de particules électriquement chargées (IB), comprend : - une réalisation dans le circuit intégré d'au moins un corps électriquement conducteur (MPL) et d'au moins un transistor d'état ayant une grille flottante (FG) électriquement couplée audit au moins un corps électriquement conducteur (MPL) ; - une configuration dudit au moins un transistor d'état (FGT) de façon à lui conférer une tension de seuil initiale ; et - une détection de ladite attaque par une détection d'une tension de seuil dudit au moins un transistor d'état (FGT) différente de la tension de seuil initiale. (FGT).

公开(公告)号：FR3066310B1

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：FR1754198

申请日：2017-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  JEANNOT SIMON ,  WEBER OLIVIER

IPC: G11C11/40

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire comprenant un point mémoire (20, 21) de type RAM résistive et un transistor de sélection (22, 23), dans laquelle le point mémoire est disposé sur un flanc du transistor de sélection.