公开(公告)号：CN110600550A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910225554.4

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  金完敦 ,  朴钟昊 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底上的多沟道有源图案；在多沟道有源图案上沿多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中高介电常数绝缘层包含金属；在高介电常数绝缘层上沿高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；以及氮化硅层上的栅电极。

公开(公告)号：CN110504264A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910298285.4

申请日：2019-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷赫 ,  金国桓 ,  金完敦 ,  朴正敏 ,  朴钟昊 ,  李炳训 ,  河龙湖 ,  玄尚镇 ,  洪慧理

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。

公开(公告)号：CN109755299A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811307372.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。

公开(公告)号：CN109473479A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811046123.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣仁 ,  罗勋奏 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

公开(公告)号：CN109427875A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810962227.2

申请日：2018-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪福 ,  金哲性 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423

Abstract: 栅极环绕场效应晶体管器件可包括多个纳米结构，所述纳米结构在衬底上方在场效应晶体管器件的沟道区中彼此间隔开。栅极电极可位于具有所述多个纳米结构的栅极环绕构造中且半导体图案可位于栅极电极的一侧上。半导体图案中的接触沟槽中的接触件与硅化物膜可在所述接触沟槽的侧壁上共形地延伸到沟道区中比所述多个纳米结构中最上纳米结构低的水平高度。

公开(公告)号：CN109119420A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810654945.3

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  郑元根 ,  罗勋奏 ,  裵洙瀯 ,  宋在烈 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在基板上的第一晶体管和在基板上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。

公开(公告)号：CN108574007A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810162659.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  金贤陈 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  郑圣勋 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/49

Abstract: 本申请提供了一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于衬底上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的第一功函数调整层、在第一功函数调整层上且与第一功函数调整层接触的下阻挡导电层以及在下阻挡导电层上且与下阻挡导电层接触的上阻挡导电层。上阻挡导电层和下阻挡导电层包括共同的材料，例如，它们可以各自包括氮化钛(TiN)层。

公开(公告)号：CN107799516A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0924 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7845 ,  H01L27/0251

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN106257689A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610424289.9

申请日：2016-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李厚容 ,  金完敦 ,  宋在烈 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种半导体器件包括穿过衬底的有源图案的栅极结构。所述半导体器件可以包括所述衬底与所述栅电极之间的栅极介电图案。所述栅极结构包括栅电极、所述栅电极上的盖图案以及至少部分地覆盖所述盖图案的一个或多个侧壁的一个或多个低k介电层。所述栅极结构可以包括位于所述栅电极的相对的侧壁处的间隔件以及位于所述盖图案与所述间隔件之间的分离的低k介电层。所述盖图案的宽度可以小于所述栅电极的宽度。所述盖图案具有第一介电常数，并且所述一个或多个低k介电层具有第二介电常数。所述第二介电常数小于所述第一介电常数。所述第二介电常数可以大于或等于1。

公开(公告)号：CN104241367A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410232888.1

申请日：2014-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李惠兰 ,  姜尚范 ,  金宰中 ,  朴文圭 ,  宋在烈 ,  李浚熙 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。第一栅电极包括第一栅极绝缘膜和第一功能膜，第一栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸并远离衬底的侧壁部分，从而限定具有第一宽度的第一沟槽，第一功能膜填充第一沟槽。第二栅电极包括第二栅极绝缘膜、第二功能膜和金属区，第二栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸的侧壁部分，从而限定具有与第一宽度不同的第二宽度的第二沟槽，第二功能膜适形于第二沟槽中的第二栅极绝缘膜，并限定第三沟槽，金属区在第三沟槽中。第一宽度可小于第二宽度。