溅射装置
    81.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104294226A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410345609.2

    申请日:2014-07-18

    Abstract: 本发明提供一种溅射装置。在本发明的溅射装置(10)中,长条膜(17)被凹面导辊(14)引导。对于长条膜(17)从凹面导辊(14)受到的压力,越靠近端部,压力越强,越靠近中央,压力越弱。因此,长条膜(17)实质上被凹面导辊(14)的端部支承。在长条膜(17)上产生了的褶皱(20)即使通过凹面导辊(14),也保持褶皱(20)的状态,而不会变化为折痕。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN102511023B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201080042102.X

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。

    透明导电膜的制造方法
    83.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104081473A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201280068061.0

    申请日:2012-11-28

    Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有:在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材,通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法,使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序;以及,在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后,对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理,由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化,形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。

    双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体

    公开(公告)号:CN102899628A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201210266812.1

    申请日:2012-07-30

    CPC classification number: C23C14/562 Y10T428/31678

    Abstract: 提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体,通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等,有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出,对输出的基体脱气,在第一成膜室,在第一面将第一膜材料成膜,将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导,在第二成膜室,在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜,在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室,将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状,沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体,重复上述全部处理。

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