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公开(公告)号：CN1757052A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480005539.0
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3267 , G06F1/1616 , G06F1/1637 , G06F1/1647 , G06F1/1677 , G06F1/1686 , G06F3/1423 , G06F2200/1614 , G09G2300/023 , G09G2340/0492 , H01L27/3209 , H01L27/3234 , H01L51/5262 , H01L51/5281 , H01L2251/5323 , H01L2251/558 , H04M1/0214 , H04M1/0245 , H04M1/72519 , H04M2250/16
Abstract: 本发明的课题是：提供实现了高功能化与高附加值化的显示装置、便携终端。在具有透光性的基板的一表面上具有矩阵状配置的多个像素及第1显示画面，在与上述基板的一表面相反的表面上具有第2显示画面，上述多个像素的各个具有在上述第1显示画面及第2显示画面方向上发光的发光元件。而且，该课题是提供具有下述特征的显示装置、便携终端：在上述基板的一表面上具有第1偏振片，在与上述基板的一表面相反的表面上具有第2偏振片。
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公开(公告)号：CN119234309A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380040260.9
申请日：2023-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/07 , G11C5/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L23/36 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B41/20 , H10B99/00
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有生成第一电压的第一电源电路的基础裸片、具有通过被供应第一电压而生成第二电压的第二电源电路的第一裸片以及具有通过被供应第二电压而工作的功能电路的第二裸片。第一裸片及第二裸片包括第一贯通电极及第二贯通电极。第一裸片设置在基础裸片上。第二裸片以接触于第一裸片的上层或下层的方式设置。基础裸片与第一裸片通过第一贯通电极电连接。第一裸片与第二裸片通过第二贯通电极电连接。
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公开(公告)号：CN118043726A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066764.3
申请日：2022-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02B27/02 , H04N5/64 , H04N13/344 , H04N13/383
Abstract: 本发明的光学装置包括显示装置(10)及光学系统(12)，显示装置(10)包括显示区域(60)及传感器区域(52)，光学系统(12)包括第一镜子(21)及第二镜子(22)，第一镜子(21)包括第一面及第二面，显示区域(60)具有发射第一光(31)的功能，第一镜子(21)设置在第一光(31)的光路上且具有使入射到第一面的第一光(31)透射到第二面的功能以及反射入射到第二面的第二光(33)的功能，第二镜子(22)设置在第二光(33)的光路上且具有反射第二光(33)的功能，传感器区域(52)具有通过第一镜子(21)及第二镜子(22)检测第二光(33)的功能。
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公开(公告)号：CN114787998A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084468.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11582 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/405
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。设置在第一方向上延伸的结构体、在第二方向上延伸的第一导电体及在第二方向上延伸的第二导电体。在结构体与第一导电体交叉的第一交叉部，结构体包括第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体、第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。在结构体与第二导电体交叉的第二交叉部，结构体包括第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第四导电体、第二半导体及第三绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。
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公开(公告)号：CN113826101A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080035380.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F30/30 , G06F16/906
Abstract: 提供一种检索系统及检索方法，其包括将第一电路图信息输入到终端的单元、登录有第二电路图信息的数据库、将被输入的第一电路图信息转换为第一图形的单元、对第一图形与基于第二电路图信息的第二图形之间的相似度进行计算的运算单元以及在终端上显示相似度的单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105609565B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610182265.7
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者‑25℃至‑150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。
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公开(公告)号：CN105609566B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610184323.X
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者‑25℃至‑150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。
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公开(公告)号：CN106449649A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610303092.X
申请日：2011-02-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 所公开的半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的源电极和漏电极；接触于绝缘层、源电极和漏电极的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极。接触于氧化物半导体层的绝缘层的上表面的均方根（RMS）粗糙度是1nm以下。绝缘层的上表面与源电极的上表面有高度差，以及绝缘层的上表面与漏电极的上表面有高度差。优选高度差为5nm以上。本结构有助于抑制半导体装置的缺陷且实现其微型化。
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公开(公告)号：CN101807600B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201010130051.8
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78669 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的名称为晶体管、具有该晶体管的半导体装置和它们的制造方法。目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置有硅层。另外，至少接触于氧化物半导体层中的形成沟道的区域地设置有硅层，而且接触于氧化物半导体层中的不设置有硅层的区域地设置有源电极层及漏电极层。
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公开(公告)号：CN102782822B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180013014.1
申请日：2011-02-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/786
CPC classification number: G06F15/7832 , H01L27/1225 , H01L29/1033 , H01L29/7869
Abstract: 所公开的半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的源电极和漏电极；接触于绝缘层、源电极和漏电极的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极。接触于氧化物半导体层的绝缘层的上表面的均方根（RMS）粗糙度是1nm以下。绝缘层的上表面与源电极的上表面有高度差，以及绝缘层的上表面与漏电极的上表面有高度差。优选高度差为5nm以上。本结构有助于抑制半导体装置的缺陷且实现其微型化。
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