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公开(公告)号：CN105097679B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510255893.9
申请日：2015-05-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。
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公开(公告)号：CN109202309A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810738589.3
申请日：2018-07-02
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供激光加工装置和激光加工方法，该激光加工装置和该激光加工方法能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道。一种激光加工方法，其中，该激光加工方法包含如下的步骤：单晶硅晶片选择工序，选择单晶硅晶片来作为被加工物；激光光线选定工序，在对于单晶硅晶片具有透过性的范围内选定波长为1950nm以上的激光光线；以及盾构隧道形成工序，将激光光线的聚光点定位在单晶硅晶片的内部而对单晶硅晶片照射激光光线，形成由从照射面到相反面的细孔(70)和围绕细孔(70)的非晶质(72)构成的多个盾构隧道(74)。
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公开(公告)号：CN108568600A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810191012.5
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/70 , B23K26/0622
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/0624 , B23K26/0665 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , H01L21/268 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/681 , H01L21/6838 , H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/0608 , B23K26/402 , B23K26/702
Abstract: 提供激光加工装置，实现激光加工的品质的进一步提高。激光加工装置的激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出具有比通过对被加工物照射激光光线而产生的电子激发的时间短的脉冲宽度的脉冲激光，并且设定重复频率以使得在电子激发时间内振荡出至少两个脉冲激光；聚光器，其对保持在卡盘工作台上的被加工物照射激光振荡器所振荡出的脉冲激光光线；以及间除单元，其配设在激光振荡器与聚光器之间，通过按照规定的周期对脉冲激光光线进行间隔剔除而将加工所需的脉冲激光光线引导至聚光器。
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公开(公告)号：CN105269159B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510292401.3
申请日：2015-06-01
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C03B33/023 , B23K26/53 , B23K26/064 , B23K26/0622 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种芯片的制造方法，能够从玻璃基板等板状被加工物高效地生成所希望的形状的芯片。芯片的制造方法是从板状被加工物生成所希望的形状的芯片的方法，其中，包括：遮护隧洞形成工序，利用照射激光光线并具备聚光器的脉冲激光光线照射构件，将对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓进行照射，由此，在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓使细孔和遮护该细孔的非晶质生长而形成遮护隧洞；和芯片生成工序，通过对实施了遮护隧洞形成工序的板状被加工物施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞的芯片的轮廓，从板状被加工物生成芯片。
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公开(公告)号：CN104022080B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410072031.8
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，可将晶片沿着分割预定线高效率地分割成各个芯片、并且不使芯片的品质下降。晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片，晶片加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待分割区域的内部进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，通过使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂对沿着分割预定线形成的非晶质的纤丝进行蚀刻，将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108335974A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810038835.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司 , 服部奈绪 , 卡尔·海因茨·普利瓦西尔
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0876 , B23K26/38 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/52 , B23K2103/54 , B23K2103/56 , B28D5/022 , H01L21/304 , H01L33/0095
Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有其上形成有至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。该方法包括至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以在基板(2)中形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)至少从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)延伸。通过利用脉冲激光束(LB)熔化基板材料并允许熔融基板材料再固化来形成每个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着其中已经形成有多个改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
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公开(公告)号：CN108206150A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711317672.5
申请日：2017-12-12
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L33/0095
Abstract: 提供芯片接合机，其将LED、IC、LSI等器件高效地接合在基板上。芯片接合机至少包含：基板保持单元(42)，其具有对在外延基板(201、221、241)的上表面上隔着剥离层(30)层叠LED层而供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元(50)，其对在正面上隔着剥离层配设有多个器件的晶片(LED晶片20、22、24)的外周进行保持；面对单元，其使晶片保持单元所保持的晶片的正面面对基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使基板保持单元与晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定位置；和激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线，将对应的器件的剥离层破坏而将器件接合在基板的规定位置上。
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公开(公告)号：CN104148816B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410192756.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/064
CPC classification number: H01S3/10 , H01L21/00 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片，并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法，其包括以下工序：数值孔径设定工序，设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA)，使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(n)所得到的值在0.05～0.2的范围以内；定位工序，对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位，使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置；以及遮护隧洞形成工序，照射脉冲激光光线，使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长，形成遮护隧洞。
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公开(公告)号：CN107017202A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611088993.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K10/00 , B28D1/22
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/3043 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68386 , H01L2223/54453 , B23K10/00 , B23K26/18 , B23K26/364 , B28D1/221
Abstract: 本发明的课题在于提供晶片的加工方法，即使在采用了硬度较高的基板来作为层叠功能层的晶片的情况下，也能够使各个分离得到的器件较薄。一种晶片的加工方法，将在基板的上表面上隔着缓冲层层叠有功能层并在正面上具有由分割预定线划分的多个器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：切断工序，沿着分割预定线至少将功能层切断；保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；缓冲层破坏工序，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于缓冲层而进行照射从而将缓冲层破坏；以及基板剥离工序，将该基板从功能层剥离而分离成每个器件。
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公开(公告)号：CN103302411B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310074030.2
申请日：2013-03-08
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/362 , B23K26/16 , B23K26/064 , B23K26/08 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法和激光加工装置，在连接由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件而成的被加工物形成从第一部件到达第二部件的激光加工孔时，能够抑制形成第二部件的第二材料的微粒附着于激光加工孔的内壁。在连接由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件而成的被加工物形成从第一部件到达第二部件的激光加工孔的激光加工方法，其中，检测因对第一部件和第二部件照射激光光线而产生的等离子的波长，在仅检测出具有第一部件的波长的等离子光时继续进行具有第一输出的脉冲激光光线的照射，在检测到具有第二部件的波长的等离子光的时候，在照射预定脉冲数的具有比所述第一输出高的第二输出的脉冲激光光线后停止。
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