-
81.发明公开
公开(公告)号：KR1020110081670A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001941
申请日：2010-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: Methods for pattering photonic crystals for improving the light extraction efficiency of light-emitting diodes and a light-emitting diode produced using the same method are provided to enhance light extraction efficiency by including a light reflection control layer. CONSTITUTION: In methods for pattering photonic crystals for improving the light extraction efficiency of light-emitting diodes and a light-emitting diode produced using the same method, a first semiconductor layer(2) is a first conductivity type. An active layer(3) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(4) is formed on the active layer and is a second conductive type different from the first conductive type. A photonic crystal pattern layer(5) is formed on the second semiconductor layer and has an uneven pattern.
Abstract translation: 目的：提供用于改善光子晶体以提高发光二极管的光提取效率的方法和使用相同方法制造的发光二极管，以通过包括光反射控制层来提高光提取效率。 构成：在用于改善光子晶体以提高发光二极管的光提取效率的方法和使用相同方法制造的发光二极管的方法中，第一半导体层（2）是第一导电类型。 在第一半导体层上形成有源层（3）。 第二半导体层（4）形成在有源层上，并且是不同于第一导电类型的第二导电类型。 光子晶体图案层（5）形成在第二半导体层上并且具有不均匀图案。
-
公开(公告)号：KR100986911B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080103898
申请日：2008-10-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의 반사방지막 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 (a)나노패턴이 형성된 템플릿으로 열가소성 고분자 필름을 스탬핑하여 상기 열가소성 고분자 필름 표면에 반대패턴을 형성한 후, 상기 템플릿을 분리하는 단계; (b)상기 열가소성 고분자 필름 표면에 접착방지막을 형성하는 단계; (c)나노패턴이 형성될 기판 표면에 용융상태의 레진을 드롭하는 단계; 및 (d)상기 열가소성 고분자 필름 표면의 반대패턴 내부에 상기 레진이 충진되도록 상기 열가소성 고분자 필름을 프레싱한 상태에서 상기 레진을 경화시킨 후, 상기 열가소성 고분자 필름을 분리하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 태양전지의 반사방지막 제조 방법은 간단한 임프린트 방법 또는 엠보싱 방법으로 태양전지의 표면이나 보호층에 저반사를 위한 나노패턴을 형성할 수 있으며, 본 발명에 의해 제조된 반사방지막은 태양전지 표면에서의 빛의 반사를 감소시켜 광투과 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100949663B1
公开(公告)日：2010-03-30
申请号：KR1020080010406
申请日：2008-01-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 광섬유 브래그 격자(Fiber Bragg Grating; 이하 FBG) 제조 방법에 관한 것으로, 종래의 기술에 따른 FBG 제조 공정은 매우 까다롭고, 고가의 전자빔 직접 쓰기 방법 또는 레이저 간섭 노광 방법을 이용하여 제조 비용이 증가하고 상용화가 어려운 문제를 해결하기 위하여, 나노 임프린트 공정을 이용하여 FBG를 제조하되, 유연한 고분자 재질인 PDMS(polydimethylsiloxane), PVA(poly vinyl alcohol) 및 PUA(poly urethane acrylate) 중 선택된 어느 하나로 구성된 임프린팅 형판을 사용함으로써, 저렴하고 빠르게 양질의 광섬유 브래그 격자를 제작할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR1020100031429A
公开(公告)日：2010-03-22
申请号：KR1020080090547
申请日：2008-09-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal fine pattern is provided to form the metal fine pattern at a low temperature by forming the metal fine pattern around the eutectic temperature of a metal eutectic alloy. CONSTITUTION: A second metal is deposited on a first metal based substrate in order to form a first metal-second metal eutectic alloy(S210). The substrate is heated with the eutectic temperature of the first-second metal eutectic alloy to form an eutectic composition of the first-second metal eutectic alloy(S220). A stamping process is performed at a higher temperature than the eutectic temperature of the first-second metal eutectic alloy using a template on which opposite pattern is formed(S230).
Abstract translation: 目的：提供一种形成金属微细图形的方法，通过在金属共晶合金的共晶温度附近形成金属微细图案，在低温下形成金属微细图案。 构成：为了形成第一金属 - 第二金属共晶合金，第二金属沉积在第一金属基底上（S210）。 用第一 - 第二金属共晶合金的共晶温度加热衬底以形成第一 - 第二金属共晶合金的共晶组成（S220）。 使用其上形成相反图案的模板，在比第一 - 第二金属共晶合金的共晶温度高的温度下进行冲压工艺（S230）。
-
公开(公告)号：KR100941302B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020080003951
申请日：2008-01-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 광결정 광학 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 종래의 기술에서 광결정 광학 소자를 제조하는 공정이 매우 까다롭고, 고가의 극자외선 리소그래피(DUV lithography) 또는 이빔리소그래피(e-beam lithography) 장비를 사용하여 제조 비용이 증가하고 상용화가 어려워지는 문제를 해결하기 위하여, 소수성 자기조립단분자막(Self Assembled Monolayer; 이하 SAM) 패턴을 이용한 나노 스피어의 리소그래피 공정으로 임프린팅 스탬프를 제작한 후 이를 이용하여 고분자 기반의 광결정 광학 회로 또는 고굴절률 물질을 기반으로한 광결정 광학 회로를 제조함으로써, 광결정 광학 소자 제조 비용을 감소시키고, 더 다양한 광학 회로를 더 용이하게 제조할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100912598B1
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：KR1020070115242
申请日：2007-11-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은, 표면에 나노 패턴과 마이크로 패턴이 혼재된 나노 임프린트용 스탬프에 있어서, 상기 마이크로 패턴에 대응되는 영역의 고분자 레지스트의 이동거리를 줄이도록 상기 마이크로 패턴 내에 더미 나노 패턴이 부가된, 나노 임프린트용 스탬프를 제공한다.
나노 임프린팅, 스탬프-
公开(公告)号：KR1020090078142A
公开(公告)日：2009-07-17
申请号：KR1020080003951
申请日：2008-01-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0274 , B82Y40/00 , G03F1/22 , H01L21/0337
Abstract: A method for manufacturing a photonic crystal optical device is provided to reduce a manufacturing cost by manufacturing easily an optical device such as an optical crystal waveguide. An SAM(Self Assembled Monolayer) pattern(120) having hydrophobicity is formed on an upper surface of a substrate(100). A plurality of spherical particles(130) are formed on the substrate which is exposed by the SAM pattern. The spherical particles are formed by using a nano sphere lithography method. The SAM pattern is removed from the substrate. A size of each spherical particle is reduced by performing an oxygen reactive ion etch process. A part of the substrate is etched by using the spherical particles as a mask. The spherical particles are removed by etching the substrate.
Abstract translation: 提供了一种制造光子晶体光学器件的方法，通过容易地制造诸如光学晶体波导的光学器件来降低制造成本。 在基板（100）的上表面上形成具有疏水性的SAM（自组装单层）图案（120）。 在由SAM图案曝光的基板上形成多个球状粒子（130）。 通过使用纳米球形光刻法形成球形颗粒。 从衬底去除SAM图案。 通过执行氧反应离子蚀刻工艺来减小每个球形颗粒的尺寸。 通过使用球形颗粒作为掩模蚀刻基板的一部分。 通过蚀刻基底来除去球形颗粒。
-
公开(公告)号：KR1020080109364A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070057577
申请日：2007-06-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G03F7/0002 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: A method for preparing a micro-nano metal structure is provided to reproduce the complex or fine surface pattern structure on the semi-permanent metal structure precisely and cheaply. A method for preparing a micro-nano metal structure comprises the steps of preparing a master(102) where a nano-sized or micro-sized micropattern structure on surface and a PVC film(101) where the pattern of the master is transferred; pressurizing the PVC film with the master at the temperature above the glass transition temperature of the PVC film so as to transfer the pattern of the master to the PVC film; separating or removing the master from the PVC film at the temperature below the glass transition temperature of the PVC film; forming a metal seed layer for the electroplating of a thin film on the surface of the PVC film according to the pattern; carrying out the electroplating on the metal seed layer to form an electroplated material layer for charging the pattern of the PVC film; and separating or removing the PVC film from the electroplated material layer.
Abstract translation: 提供了一种制备微纳米金属结构的方法，用于在半永久性金属结构上精确且便宜地再现复杂或精细的表面图案结构。 一种制备微纳米金属结构的方法包括以下步骤：制备其上表面上的纳米尺寸或微尺寸微图案结构的主体（102）以及转印母版图案的PVC薄膜（101）; 在高于PVC膜的玻璃化转变温度的温度下，用母版加压PVC膜，以将母板的图案转印到PVC膜上; 在低于PVC膜的玻璃化转变温度的温度下，从PVC膜中分离或除去母料; 根据图案在PVC膜的表面上形成用于电镀薄膜的金属种子层; 在金属种子层上进行电镀以形成用于对PVC膜图案充电的电镀材料层; 并从电镀材料层分离或除去PVC膜。
-
公开(公告)号：KR100741343B1
公开(公告)日：2007-07-20
申请号：KR1020060010445
申请日：2006-02-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: A method of manufacturing a polarization film or information protecting film is provided to easily form the polarization film having a pattern of dozens of nano-width and easily adjust a height of a metallic layer through electroplating. A transparent electrode film(25) is formed on one surface of a transparent substrate(10). A pattern(30) of polymer material is formed on the electrode film through nano-imprint lithography. A metallic layer(40) is formed between the polymer patterns through electroplating. A transparent protective film(50) is formed on the polymer pattern and the metallic layer. The transparent electrode film is made of indium tin oxide.
Abstract translation: 提供一种制造偏振膜或信息保护膜的方法，以容易地形成具有几十纳米宽度的图案的偏振膜，并且通过电镀容易地调整金属层的高度。 透明电极膜（25）形成在透明基板（10）的一个表面上。 通过纳米压印光刻在电极膜上形成聚合物材料的图案（30）。 通过电镀在聚合物图案之间形成金属层（40）。 透明保护膜（50）形成在聚合物图案和金属层上。 透明电极膜由铟锡氧化物制成。
-
公开(公告)号：KR100645831B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050089299
申请日：2005-09-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
208
records
(took 0.025 seconds)
