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1.发明申请나노 트랜스퍼 프린팅을 이용한 적층 구조의 3차원 메타물질의 제조 방법, 이를 이용하여 제조된 메타물질 구조 필름 및 이를 포함하는 광학 이미징 시스템 审中-公开使用NANOTRANSFER印刷制造堆叠结构的三维金属材料的方法，使用它们制造的金属结构膜和包含其的光学成像系统
公开(公告)号：WO2015012554A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/KR2014/006619
申请日：2014-07-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B1/002
Abstract: 본 발명은 나노 트랜스퍼 프린팅을 이용한 적층구조의 3차원 메타물질 제조 방법, 이에 의해 제조된 메타물질 구조 필름 및 이를 이용한 광학 이미징 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 나노 트랜스퍼 프린팅 공법을 이용하여 유연하며 용이하게 시편 표면에 부착 및 탈착이 가능한 고분자 기반 3차원 메타 물질 필름을 제조하고 이를 이용하여 기존 광학계로 관찰하지 못하는 초미세 구조를 관찰할 수 있는 나노 트랜스퍼 프린팅을 이용한 적층구조의 3차원 메타물질 제조 방법, 이에 의해 제조된 메타물질 구조 필름 및 이를 이용한 광학 이미징 시스템에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用纳米转印印刷的叠层结构的三维超材料的制造方法及其制造的超材料结构膜以及使用其的光学成像系统，更具体地说，涉及一种制造 使用纳米转印印刷的层叠结构的三维超材料，由其制造的超材料结构膜和使用其的光学成像系统，制造可附着和分离的聚合物基三维超材料膜的方法 使用纳米转印印刷方法，以柔性和容易的方式从样品的表面，使用这种方法可以使用这种方法观察使用任何常规光学系统不能观察到的超微结构。
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公开(公告)号：KR100918850B1
公开(公告)日：2009-09-28
申请号：KR1020080008104
申请日：2008-01-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명의 일 측면은, 기판 상에 폴리비닐알콜(PVA)층을 형성하는 단계; 상기 폴리비닐알콜층 상에 임프린트용 수지층을 형성하는 단계; 표면에 나노 구조를 갖는 몰드를 이용하여 상기 임프린트용 수지층에 임프린팅함으로써, 상기 임프린트용 수지층에 나노 구조를 전사하는 단계; 상기 몰드를 제거한 후 건식 식각을 통해 상기 임프린트용 수지층 및 폴리비닐알콜층을 선택적으로 제거하여 상기 기판 상면을 선택적으로 노출시키는 다층 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 다층 고분자 패턴 및 상기 노출된 기판 상에 금속 또는 절연 물질을 증착하는 단계; 및 상기 다층 고분자 패턴을 리프트 오프하는 단계;를 포함하는, 나노 패턴 형성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020110081670A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001941
申请日：2010-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: Methods for pattering photonic crystals for improving the light extraction efficiency of light-emitting diodes and a light-emitting diode produced using the same method are provided to enhance light extraction efficiency by including a light reflection control layer. CONSTITUTION: In methods for pattering photonic crystals for improving the light extraction efficiency of light-emitting diodes and a light-emitting diode produced using the same method, a first semiconductor layer(2) is a first conductivity type. An active layer(3) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(4) is formed on the active layer and is a second conductive type different from the first conductive type. A photonic crystal pattern layer(5) is formed on the second semiconductor layer and has an uneven pattern.
Abstract translation: 目的：提供用于改善光子晶体以提高发光二极管的光提取效率的方法和使用相同方法制造的发光二极管，以通过包括光反射控制层来提高光提取效率。 构成：在用于改善光子晶体以提高发光二极管的光提取效率的方法和使用相同方法制造的发光二极管的方法中，第一半导体层（2）是第一导电类型。 在第一半导体层上形成有源层（3）。 第二半导体层（4）形成在有源层上，并且是不同于第一导电类型的第二导电类型。 光子晶体图案层（5）形成在第二半导体层上并且具有不均匀图案。
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公开(公告)号：KR100912598B1
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：KR1020070115242
申请日：2007-11-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은, 표면에 나노 패턴과 마이크로 패턴이 혼재된 나노 임프린트용 스탬프에 있어서, 상기 마이크로 패턴에 대응되는 영역의 고분자 레지스트의 이동거리를 줄이도록 상기 마이크로 패턴 내에 더미 나노 패턴이 부가된, 나노 임프린트용 스탬프를 제공한다.
나노 임프린팅, 스탬프-
公开(公告)号：KR101143085B1
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020100065722
申请日：2010-07-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
Abstract: 발광 다이오드의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 (a) 제1 도전형(first conductivity)을 갖는 제1 반도체층(18)을 형성하는 단계; (b) 제1 반도체층(18) 상에 활성층(20)을 형성하는 단계; (c) 활성층(20) 상에 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층(22)을 형성하는 단계; 및 (d) 제2 반도체층(22) 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 요철 패턴층(34)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120005133A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020100065722
申请日：2010-07-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/22 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency of the light emitting diode by forming an unevenness pattern layer in a transparent electrode layer or on the top of a second semiconductor layer. CONSTITUTION: A first semiconductor layer(18) having a first conductivity type is formed. An active layer(20) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(22) having a second conductive type which is opposite with the first conductivity type on the active layer. A transparent electrode layer is formed on the second semiconductor layer. An unevenness pattern layer(46) is formed on the second semiconductor layer using a nano imprinting technique. The unevenness pattern layer comprises one among TiO2, ZnO, AZO, ITO, and FTO.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，通过在透明电极层或第二半导体层的顶部形成凹凸图案层来提高发光二极管的光学提取效率。 构成：形成具有第一导电类型的第一半导体层（18）。 在第一半导体层上形成有源层（20）。 具有与有源层上的第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层（22）。 在第二半导体层上形成透明电极层。 使用纳米压印技术在第二半导体层上形成凹凸图案层（46）。 不平坦图案层包括TiO 2，ZnO，AZO，ITO和FTO中的一种。
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公开(公告)号：KR101104564B1
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：KR1020100001941
申请日：2010-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/10
Abstract: 기판, 제1 도전형을 갖는 제1 반도체층, 활성층, 및 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층이 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층과 위의 반도체층 상에 형성된 광결정 패턴층을 포함하는 발광 다이오드가 공개된다. 광결정 패턴층은 제2 반도체층 상에 형성된 전극층 및 전극층 상에 형성된 광반사 조절층을 포함한다. 광결정 패턴층은 요철 패턴을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110134640A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100054325
申请日：2010-06-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/268 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode device and a manufacturing method thereof are provided to change the design of a mask pattern formed on a master template without an additional pattern process. CONSTITUTION: A transfer layer(103) is applied on one side of a stamp with a first unevenness pattern. A stamp is arranged on a substrate. The stamp is separated from the transfer layer. A first type compound semiconductor layer(106), an active layer(107), and a second type compound semiconductor layer(108) are laminated on the transfer layer. A second type electrode(109) is formed on the second type compound semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管器件及其制造方法，以改变形成在主模板上的掩模图案的设计，而无需额外的图案处理。 构成：将转印层（103）施加在具有第一凹凸图案的印模的一侧上。 在基板上布置印模。 邮票与转印层分离。 第一类型化合物半导体层（106），有源层（107）和第二类型化合物半导体层（108）层叠在转移层上。 第二类型电极（109）形成在第二类型化合物半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020100067339A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080125861
申请日：2008-12-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y40/00 , H01L33/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a polymer stamp and a method for forming the optical crystal pattern of a light emitting diode(LED) using the same are provided to form an uniform optical crystal pattern on the entire of a LED board using a nano-imprint process with the polymer stamp. CONSTITUTION: A master stamp is located on the upper side of a polymer sheet(S210). The master stamp and the polymer sheet are heated with a temperature which is higher than the glass transferring temperature of the polymers sheet(S222). A nano pattern formed on the surface of the master stamp is transferred on the surface of the polymer sheet(S224). The master stamp and the polymer sheet are separated(S226). A SiO_2 is evaporated on the surface of the polymer sheet(S230). A film for releasing is formed on the surface of the SiO_2 by coating self-assembled monolayer coating(S240).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造聚合物印模的方法和用于形成使用其的发光二极管（LED）的光学晶体图案的方法，以在使用纳米印迹的整个LED板上形成均匀的光学晶体图案 工艺与聚合物印章。 构成：主印模位于聚合物薄片的上侧（S210）。 主印模和聚合物片材以高于聚合物片材的玻璃转印温度的温度加热（S222）。 形成在主印模表面上的纳米图案被转印到聚合物片材的表面上（S224）。 主印模和聚合物片材分离（S226）。 SiO 2在聚合物片材的表面上蒸发（S230）。 通过涂布自组装单层涂层，在SiO_2的表面上形成用于释放的膜（S240）。
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公开(公告)号：KR101472682B1
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130087032
申请日：2013-07-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B1/002 , G02B21/0032 , G02B21/008 , G02B21/365
Abstract: 본 발명은 나노 트랜스퍼 프린팅을 이용한 적층구조의 3차원 메타물질 제조 방법, 이에 의해 제조된 메타물질 구조 필름 및 이를 이용한 광학 이미징 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 나노 트랜스퍼 프린팅 공법을 이용하여 유연하며 용이하게 시편 표면에 부착 및 탈착이 가능한 메타물질 구조 필름을 제조하고 이를 이용하여 기존 광학계로 관찰하지 못하는 초미세 구조를 관찰할 수 있는 메타물질 제조 방법, 이에 의해 제조된 메타물질 구조 필름 및 이를 이용한 광학 이미징 시스템에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备具有使用纳米转印的堆叠结构的三维超材料的方法，由其制备的超材料膜以及使用其的光学成像系统，更具体地说，涉及一种制备超材料膜的方法， 使用纳米转印法灵活地和容易地附着到样品的表面上，并且观察使用其的常规光学系统未观察到的超微结构; 由此制备的超材料膜; 以及使用该成像系统的光学成像系统。
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