公开(公告)号：KR1020070053076A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020050111063

申请日：2005-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김광근 ,  김정한 ,  이석희

IPC: F24C7/02

CPC classification number: H05B6/6441 ,  H05B6/645

Abstract: 본 발명은 조리장치 및 조리방법에 관한 것으로, 조리물의 포장에 표시되고 상기 조리물의 식품종류 및 조리정보를 저장하고 있는 바코드를 리드하여 해석하고, 상기 조리물의 온도를 감지하여 상기 조리물의 보관상태를 확인하고, 상기 조리물의 식품종류가 냉장식품이면서 냉동보관되었으면 해동정보에 따라 상기 조리물을 해동하고 상기 조리정보에 의거하여 조리를 한다.

公开(公告)号：KR100602701B1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050054982

申请日：2005-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 천연봉 ,  김정한

IPC: F24C7/02

Abstract: 본 발명은 전자렌지 및 그 제어방법에 관한 것으로, 특히 본 발명은 사용자가 원하는 조리 이력의 조리조건를 임의로 변경할 수 있는 모드를 마련하고, 조리 이력을 이용한 조리시, 이를 이용하여 사용자가 자신의 기호 또는 물품량에 맞게 조리조건을 변경시킬 수 있어 조리만족도를 향상시킨다.
이를 위해 본 발명은 조리 이력을 이용하여 조리를 수행하는 전자렌지의 제어방법에 있어서, 사용자의 명령에 의해 조리이력을 표시하는 단계와, 표시된 조리이력 중에서 원하는 조리이력을 선택하는 단계와, 선택된 조리이력에 대한 조리조건을 변경하는 단계와, 변경된 조리조건에 기초하여 조리를 수행한다.

Abstract translation: 微波炉及其控制方法技术领域本发明涉及一种微波炉及其控制方法，尤其涉及一种微波炉及其控制方法，尤其涉及一种微波炉及其控制方法， 烹调条件可根据物品的量而改变，从而提高烹饪满意度。

公开(公告)号：KR1020050107015A

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：KR1020040032150

申请日：2004-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정한 ,  김석호

IPC: G06F3/12

CPC classification number: G06F3/1253

Abstract: 이미지축소기능을 구비한 화상형성장치가 개시된다. 본 화상형성장치는 이미지 축소 비율에 따라 원 이미지데이터 상에서 일정 간격마다 픽셀값을 독취하는 픽셀검출부, 독취된 픽셀라인의 픽셀값을 확인하여 보정여부를 결정하는 제어부, 및 제어부의 제어에 따라, 독취된 픽셀라인의 픽셀값을 보정하는 이미지보간부를 포함한다. 이 경우, 제어부는 독취된 픽셀라인의 픽셀값이 소정 범위에 속한다고 판단되면, 이미지 축소로 인해 삭제될 주변 픽셀라인의 픽셀값을 반영하여 독취된 픽셀라인의 픽셀값을 보정하게 된다. 이에 따라, 축소된 이미지의 화질을 개선할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990010763A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970033638

申请日：1997-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전석배 ,  김정한

IPC: G11C5/14

Abstract: 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생기가 개시된다. 상기 내부 전원전압 발생기는, 전원전압으로 외부 전원전압이 사용되고 기준전압을 입력으로 하여 내부 전원전압을 발생하는 내부 전원전압 발생부와, 상기 내부 전원전압 발생부의 전원 공급능력을 가변하는 전원 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서 상기 내부 전원전압 발생기는, 내부 전원전압 발생부의 전원 공급능력을 가변하는 전원 제어부를 구비함으로써, 전류소모가 크게 증가하지 않으면서 IVCC 딥을 방지할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980025829A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960044120

申请日：1996-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정한

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체용 배선의 형성방법을 개시한다. 이 형성방법은 층간절연막에 홈을 형성하고, 여기에 CMP 공정으로 비트라인을 형성하는 상감법을 적용함에 있어서, 상기 홈에 소정두께의 절연막을 적층함으로써 홈에 형성되는 비트라인의 바-사이즈를 조절하는 방법으로, 이는 COB구조에서 캐패시턴스를 증진시킬 수 있는 잇점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980011916A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960031190

申请日：1996-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정한 ,  송재혁

IPC: H01L21/28