-
公开(公告)号：KR101660491B1
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020100032801
申请日：2010-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/11548 , H01L27/11519 , H01L27/11529
Abstract: 본발명은반도체장치및 그제조방법을제공한다. 이장치는, 셀어레이영역의측면과상부에각각배치되는수소차단패턴들을포함함으로써, 수소가셀 어레이영역안으로확산되는것을방지할수 있다. 이로써, 수소가터널절연막등 내에트랩되지않아반도체장치의신뢰성을향상시킬수 있다. 또한본 발명의반도체장치의제조방법에서는셀 어레이콘택플러그를형성할때 측면수소차단패턴과상부수소차단패턴을동시에만들기때문에, 수소차단패턴의형성을위한별도의추가공정을필요로하지않아공정을단순화시킬수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020120138875A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020110058283
申请日：2011-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/76834 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A wiring structure and a manufacturing method thereof are provided to outgas impurities on interlayer dielectric layers by forming a dummy plug of a second contact structure on a second interlayer dielectric layer via a diffusion barrier. CONSTITUTION: A first plug(120) passes through a first interlayer dielectric layer(110) on a substrate(100). A first wiring(150) passes through a second interlayer dielectric layer(140) on the first interlayer dielectric layer. A diffusion barrier pattern exposes a part of the second interlayer dielectric layer. A second plug(182) is contacted with the first wiring via the diffusion barrier pattern. A second wiring(192) is electrically connected to the second plug.
Abstract translation: 目的：提供一种布线结构及其制造方法，通过在第二层间电介质层上经由扩散阻挡层形成第二接触结构的虚拟插塞，从而在层间电介质层上排出杂质。 构成：第一插头（120）穿过衬底（100）上的第一层间介质层（110）。 第一布线（150）穿过第一层间介质层上的第二层间介质层（140）。 扩散阻挡图案暴露第二层间电介质层的一部分。 第二插头（182）经由扩散阻挡图案与第一布线接触。 第二布线（192）电连接到第二插头。
-
公开(公告)号：KR101088061B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020050100411
申请日：2005-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 플로팅 게이트를 갖는 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 기판에 형성되어 활성영역을 한정하는 소자분리막, 및 활성영역을 가로지르는 제어 게이트 전극을 포함한다. 불순물 확산층이 제어 게이트 전극 양측의 활성영역에 형성되고, 플로팅 게이트가 활성영역과 제어 게이트 전극 사이에 개재된다. 플로팅 게이트는 불순물 확산층과 인접한 양측들이 개방된 내부 공간을 갖는다. 터널 절연막이 플로팅 게이트와 활성영역 사이에 개재되고, 블로킹 절연 패턴이 플로팅 게이트와 제어 게이트 전극 사이에 개재된다.
-
公开(公告)号：KR100816755B1
公开(公告)日：2008-03-25
申请号：KR1020060101949
申请日：2006-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L21/28273
Abstract: A flash memory device is provided to avoid a soft program caused by a hot carrier phenomenon by making a junction region of a string select transistor and a ground select transistor have a DDD(double doped drain) structure while maintaining shallow junction regions of memory cell transistors. A semiconductor substrate(100) has an isolation region confining an active region, a string select line and a ground select line crosses the active region. A plurality of wordlines are arranged between the string select line and the ground select line. First impurity regions(113) with a first depth are formed between the plurality of wordlines. Second impurity regions(115,116) with a second depth deeper than the first depth are formed between the string select line and its adjacent wordline and between the ground select line and its adjacent wordline. The second impurity regions can additionally be formed between adjacent string select lines.
Abstract translation: 提供闪存器件以避免由热载流子现象引起的软程序，使得串选择晶体管和接地选择晶体管的结区具有DDD（双掺杂漏极）结构，同时保持存储单元晶体管的浅结区 。 半导体衬底（100）具有限制有源区域，串选择线和接地选择线的隔离区域与有源区域交叉。 多个字线被布置在弦选择线和地选线之间。 在多个字线之间形成具有第一深度的第一杂质区域（113）。 在串选择线及其相邻字线之间以及地线选择线与其相邻字线之间形成第二深度比第一深度深的第二杂质区（115,116）。 另外可以在相邻的串选择线之间形成第二杂质区。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060094379A
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020050015497
申请日：2005-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7834 , H01L21/76205 , H01L21/823418 , H01L29/1037
Abstract: 본 발명의 돌출된 소오스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터는, 소오스/드레인 영역이 수직으로 돌출되어 돌출된 수직 성분만큼 소오스/드레인 영역에서 게이트나 소자분리막 까지의 이격 거리가 증가된다. 상기한 이격 거리의 증가로 모스 트랜지스터의 내전압 특성 등이 향상되는 효과가 있다. 또한 위와 같은 돌출된 소오스/드레인 구조의 트랜지스터를 제조함에 있어서, 소오스/드레인이 형성될 영역을 제외한 나머지 부분을 리세스 시키는 방법으로 복잡한 추가 공정 없이 제조할 수 있다.
반도체, 리세스, 고전압 트랜지스터, 저전압 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020050088687A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1020040014101
申请日：2004-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/26586 , H01L27/10873 , H01L29/66492 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 비대칭적인 소오스/드레인을 갖는 반도체 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 셀 영역 및 주변회로 영역을 갖는 반도체기판을 구비한다. 상기 셀 영역 및 상기 주변회로 영역 내에 셀 활성영역 및 주변회로 활성영역을 한정하는 소자분리막을 형성한다. 그 후, 상기 셀 영역 및 주변회로 영역 상에 각각 소정높이(h1)의 게이트 전극들을 형성한다. 이때, 상기 셀 영역 상에 형성되는 게이트 전극들은 상기 주변회로 영역 상에 형성되는 게이트 전극들 사이의 거리(S2) 보다 더 짧은 이격 거리(S1)를 갖는다. 상기 셀 활성영역 및 주변회로 활성영역 내에 제 1 엘디디 소오스/드레인을 형성한다. 그 후, 상기 셀 활성영역의 드레인 영역 및 주변회로 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 주변회로 활성영역에 불순물 이온들을 주입하여 제 2 엘디디 소오스/드레인을 형성한다. 이때, 상기 불순물 이온들은 엘디디 이온주입 각도(γ)에 의해 상기 셀 활성영역에 주입되는 것이 방지되도록 한다. 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 셀 및 주변회로 활성영역에 불순물 이온들을 주입하여 헤일로 영역들을 형성한다.
-
公开(公告)号：KR100268446B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019980032235
申请日：1998-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송재혁
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/823493 , H01L21/823456 , H01L27/10897
Abstract: 여기에 개시된 다이나믹 랜덤 억세스 메모리 장치는 제 1 도전형의 반도체 기판내에 형성되는 제 2 도전형의 제 1 웰 쌍과, 상기 제 1 웰 쌍 하부 및 그 사이에 형성되어, 상기 제 1 웰들을 전기적으로 연결하는 제 2 도전형의 딥웰과, 상기 딥웰과 상기 제 1 웰들에 둘러싸여 상기 반도체 기판과 격리되는 제 1 도전형의 제 2 영역과, 상기 제 1 및 제 2 웰들을 제외한 상기 반도체 기판 일부에 형성되는 제 1 도전형의 제 3 웰과, 상기 제 2 웰내에 형성되는 적어도 하나의 제 1 MOS 트랜지스터와 적어도 하나의 메모리 셀과, 그리고 상기 제 3 웰내에 형성되는 적어도 하나의 제 2 MOS 트랜지스터를 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 MOS 트랜지스터들 중 하나는 다른 것보다 작은 게이트 채널 길이를 갖는다.
-
公开(公告)号：KR1020170080104A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191324
申请日：2015-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01M4/525 , C01G45/1257 , C01G53/006 , C01G53/50 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/88 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/82 , H01M4/131 , H01M4/1315 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/028
Abstract: 양극활물질및 상기양극활물질을채용한양극과리튬전지가개시된다. 상기양극활물질은금속양이온이도핑되고, 20 몰% 이내의 LiMO(여기서, M은평균산화수 +4를가지는, 4주기및 5주기전이금속에서선택되는적어도하나의금속임) 상이복합화되어있는과리튬화된(overlithiated) 리튬전이금속산화물을포함한다. 상기양극활물질은결정구조의변이가억제되어, 고용량을가지면서도리튬전지의수명특성및 열안정성을개선시킬수 있다.
Abstract translation: 公开了使用该正极活性物质和正极活性物质的正极和锂电池。 正极活性材料是一种金属阳离子掺杂的LiMO（其中，具有真菌氧化数4，四个周期和五个循环从金属是选择的至少一种过渡金属M恩平），最多20摩尔％的锂的是从复合不同 并包括过锂化的锂过渡金属氧化物。 所述正极活性物质被抑制，并且该晶体结构的变化，而具有高容量可以可以提高寿命特性，和锂离子电池的热稳定性。
-
公开(公告)号：KR1020170079942A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191026
申请日：2015-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/364 , C01G53/50 , C01P2002/20 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M2004/028
Abstract: 서로다른조성을가지는복수의층상구조결정상을포함하는제1 금속산화물과제1 금속산화물과구별되는복합결정구조를가지며하기화학식 1로표시되는제2 금속산화물을포함하며, 제2 금속산화물의적어도일부가제1 금속산화물이포함하는 C2/m 공간군에속하는제1 층상구조결정상(layered crystalline phase)의일면상에배치되는복합양극활물질및 이를포함하는양극과리튬전지가제시된다: LiMO상기식에서, 0≤x≤3, 1≤y≤3, 2≤z≤8이고, M은 4족내지 13족원소중에서선택된하나이상이다.
Abstract translation: 相互不同的组成为具有第一金属氧化物任务化合物晶体是从包括多个具有由通式（1），至少一个第二金属氧化物的一部分所表示的第二金属氧化物的层状结晶相的第一金属氧化物结构不同 第一层状结构的结晶相属于包括uiil活性物质与正极和锂电池设置在所述表面（层状结晶相）的金属氧化物的复合阴极C2 /米的空间群，提供了包括相同的：<式1>的LiMO的 X≤3,1≤Y≤3,2≤Z≤8，并且M是选自第4组至第13组元素中的至少一个。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.045 seconds)
