公开(公告)号：KR100864488B1

公开(公告)日：2008-10-20

申请号：KR1020010079422

申请日：2001-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍문표 ,  홍완식 ,  노남석 ,  정규하 ,  채종철

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는, 행 방향으로는 적, 녹, 청 화소가 순차적으로 배열되어 있으며, 열 방향으로는 적 및 녹 화소가 교대로 배열되어 있으며, 청 화소는 이웃하는 적 및 녹 화소 열의 사이에서 두 화소 행에 대하여 하나씩 배열되어 있으며, 청 화소에 이웃하는 적 및 녹의 네 화소는 청 화소를 중심으로 마주하여 배치되어 있다. 이때, 가로 방향으로는 화소 행에 대하여 각각 배치되어 화소에 주사 신호 또는 게이트 신호를 전달하는 게이트선이 형성되어 있으며, 세로 방향으로는 게이트선과 절연 교차하여 배치되어 데이터 신호를 전달하며 화소 열에 대하여 각각 데이터선이 형성되어 있다. 또한, 각각의 화소에는 화소 전극 및 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극 및 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 여기서, 소정의 단위로 서로 이웃하는 적 또는 녹 화소 열의 데이터선은 서로 교차되어 화상 신호를 전달하며, 두 청 화소 열에 화상 신호를 전달하는 데이터선은 서로 연결되어 있다. 또한, 화소 전극과 게이트선 및 데이터선은 서로 중첩되어 있으며, 이들 사이에는 낮은 유전율을 가지는 유기 물질 또는 SiOC 또는 SiOF 등의 절연 물질로 이루어진 보호막이 형성되어 있다.
화소, 도트, 펜타일, 패드,

Abstract translation: 在根据本发明的液晶显示装置中，红色，绿色，和蓝色的像素被布置在列方向序列的行方向排列有在以往和绿色像素交替，和蓝色像素邻居敌人和绿色像素 一行布置在列之间的两个像素行，并且四个红色像素和与蓝色像素相邻的绿色像素被布置为围绕蓝色像素彼此面对。 此时，在水平方向布置成相对于所述像素行，并且形成用于传送扫描信号或栅极信号到像素的栅极线，如设置为跨过绝缘栅线，并传递数据信号，并且作为热像素的纵向方向 数据线形成。 在每个像素中，形成包括连接到像素电极和栅极线的栅电极，连接到数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极的薄膜晶体管。 在这里，表达或在预定的单元彼此相邻的绿色像素列数据线中的数据线彼此交叉传递图像信号，并传输图像信号序列中的两个蓝色像素连接至彼此。 此外，它是象素电极与栅极线和数据线相互重叠，并在它们之间有由绝缘材料制成的保护膜，例如由有机材料或一的SiOC或的SiOF形成具有低的介电常数。

公开(公告)号：KR100864486B1

公开(公告)日：2008-10-20

申请号：KR1020010064341

申请日：2001-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  홍문표

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한다. 다음, 게이트 전극의 게이트 절연막 상부에 반도체 패턴을 형성한다. 이어, 반도체 패턴 또는 게이트 절연막 상부에 데이터선과 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 다음, SiOC 또는 SiOF 등과 같은 저유전율 절연 물질을 화학 기상 증착으로 보호막을 형성한 후, 보호막을 패터닝하여 게이트 패드 또는 데이터 패드 주위의 보호막을 다른 부분보다 얇은 두께를 가지도록 형성한다. 이어, 드레인 전극과 연결되는 화소 전극과 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
SiOC, SiOF, 컬러필터, 슬릿, 이방성도전필름, 패드

Abstract translation: 包括栅极线，栅极电极和栅极焊盘的栅极布线形成在绝缘基板上。 接着，形成覆盖栅极布线的栅极绝缘膜。 接下来，在栅极的栅极绝缘膜上形成半导体图案。 然后，在半导体图案或栅极绝缘层上形成包括数据线，源电极，漏电极和数据焊盘的数据线。 接着，为了形成低介电常数绝缘通过化学气相沉积材料，栅极垫或通过图案化保护层，诸如的SiOC或的SiOF周围数据焊盘保护膜形成保护膜后的厚度比其他部分薄。 随后，形成连接到漏电极的像素电极，连接到栅极焊盘和数据焊盘的辅助栅极焊盘以及辅助数据焊盘。

公开(公告)号：KR100831224B1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：KR1020000052184

申请日：2000-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍완식 ,  홍문표 ,  강진규 ,  김상갑

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 저온 공정 하에서도 TFT 특성을 확보하기 위하여, 저온 증착 게이트 절연막 위에 높은 밴드 갭을 가지는 반도체층과 상대적으로 낮은 밴드 갭을 가지는 반도체층으로 이루어지는 이중층 구조의 반도체층을 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는, 절연 기판 위에 데이터선을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있고, 기판 상부에는 적, 녹, 청의 컬러 필터가 형성되어 있으며, 절연막이 데이터 배선 및 컬러 필터를 덮고 있다. 절연막 상부에는 데이터선과 교차하여 화소를 정의하는 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 절연막이 게이트 배선을 덮고 있다. 게이트 절연막과 절연막에 데이터선의 일부를 드러내는 제 1 접촉 구멍이 형성되어 있으며, 게이트 절연막 위에는 이중층 구조의 반도체층 패턴이 형성되어 있고, 반도체층 패턴 위에는 저항성 접촉층 패턴이 형성되어 있다. 제1 접촉 구멍을 통하여 데이터선과 연결되는 소스용 전극, 소스용 전극에 대응되는 드레인용 전극 및 드레인용 전극에 연결되는 화소 전극을 포함하는 화소 배선이 형성되어 있다.
저온 증착 게이트 절연막, 이중층 구조의 반도체층, 밴드 갭, 밴드 오프셋

公开(公告)号：KR100825104B1

公开(公告)日：2008-04-25

申请号：KR1020020024625

申请日：2002-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노남석 ,  홍문표

IPC: G02F1/133

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는, 행 방향으로는 적색, 녹색, 청색 화소가 순차적으로 배열되어 있으며, 열 방향으로는 적색 및 녹색 화소가 교대로 배열되어 있고 청색 화소는 동일하게 배열되어 있어 이웃하는 두 화소 행에서 청색 화소를 중심으로 적색 및 녹색의 네 화소는 마주하도록 배치되어 있다. 이때, 가로 방향으로는 화소 행에 대하여 각각 배치되어 화소에 주사 신호 또는 게이트 신호를 전달하는 게이트선이 형성되어 있으며, 세로 방향으로는 게이트선과 절연 교차하여 배치되어 데이터 신호를 전달하며 화소 열에 대하여 각각 데이터선이 형성되어 있다. 또한, 각각의 화소에는 화소 전극 및 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극 및 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 여기서 각 화소는 동일한 크기로 이루어진다. 그리고 서로 이웃하는 두 화소 행에서 두 개의 청색 화소는 하나의 마름모 모양을 이루며, 각각 독립적으로 구동된다.
이러한 본 발명에 따르면, 펜타일 매트릭스의 화소 배열 구조에서 글자 및 도형의 화상을 표시할 때 보다 유리한 고해상도의 표현 능력을 가진다. 또한, 청색 화소가 각각 독립적으로 구동될 수 있으므로, 반전 구동시에 극성이 균일하게 반전되도록 할 수 있으며, 인접한 청색 화소를 연결시키기 위한 별도의 컨택이 요구되지 않는다.
화소, 도트, 펜타일,

Abstract translation: 液晶显示装置技术领域本发明涉及液晶显示装置。

公开(公告)号：KR100816340B1

公开(公告)日：2008-03-24

申请号：KR1020010055712

申请日：2001-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영미 ,  박운용 ,  홍문표 ,  이정호

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G03F9/7084 ,  G02F2001/13625 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70475 ,  G03F7/70791

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치 제조에 있어서의 노광 공정에 관한 것으로, 대면적 기판에서도 액정 표시 장치의 스티치 불량을 방지하기 위하여, 샷과 샷 간의 정확한 정렬을 가능하게 하여, 서로 다른 샷을 실시하는데 사용되는 서로 다른 마스크 패턴을 하나의 얼라이너용 마스크에 형성하고, 이러한 마스크를 이용하여 대형 기판을 노광한다. 본 발명에 따른 액정 표시 장치 제조용 노광 마스크는 기판의 중앙부를 패턴 노광하는 제1 마스크 패턴이 마스크의 중심선을 포함하는 중앙부에 위치하고 있으며, 기판의 좌측부를 패턴 노광하는 제2 마스크 패턴이 제1 마스크 패턴의 좌측에 제1 간격을 두고 위치하고 있으며, 기판의 우측부를 패턴 노광하는 제3 마스크 패턴이 제1 마스크 패턴의 우측에 제2 간격을 두고 위치하고 있다.
노광, 샷, 마스크, 정렬 패턴, 샷 정렬

公开(公告)号：KR100796796B1

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：KR1020010069920

申请日：2001-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  홍문표 ,  정진구 ,  홍완식

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 저유전율 절연막을 사용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 절연 기판 위에 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선과 절연되어 교차하는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터 위에는 PECVD를 통하여 증착한 a-Si:C:O막 또는 a-Si:O:F막으로 이루어진 보호막이 형성되어 있고, 보호막 위에서는 접촉 구멍시 식각 마스크로 사용되는 포토 레지스트 재질의 유기 절연막이 형성되어 있고, 유기 절연막 위에는 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다. 이때, 식각 마스크로 사용된 유기 절연막을 그대로 둠으로써, 제조 공정을 단순화하고 공정 시간을 단축할 수 있으며, 저유전율 CVD막과 함께 유기 절연막이 화소 전극과 데이터 배선을 이격시킴으로서, 화소 전극을 충분히 넓게 형성하여 데이터 배선과 중첩시키더라도 화소 전극과 데이터 배선 사이의 기생 용량은 크게 문제시되지 않는다. 따라서, 개구율을 극대화할 수 있다.
박막트랜지스터기판, 저유전율 CVD막, 고개구율, 기생용량

公开(公告)号：KR100796756B1

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：KR1020010070043

申请日：2001-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보성 ,  정관욱 ,  홍완식 ,  김상갑 ,  홍문표

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 먼저, 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막 및 감광성 유기 절연 물질로 이루어진 유기 절연막을 적층하고 유기 절연막을 노광 및 현상하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드 상부의 보호막을 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이때, 접촉 구멍 둘레의 유기 절연막은 다른 부분보다 얇은 두께로 형성한다. 이어, 유기 절연막을 마스크로 하여 드러난 보호막을 식각하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러낸다. 이어, 애싱 공정을 실시하여 접촉 구멍 둘레의 유기 절연막을 제거하여 접촉 구멍에서 보호막의 경계선을 드러내어 접촉부에서 언더 컷을 제거한다. 이어, ITO 또는 IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
애싱, 유기절연막, 언더컷, 프로파일

Abstract translation: 首先，在基板上形成包括栅极线，栅极电极和栅极焊盘的横向上的栅极布线。 接下来，形成栅极绝缘膜，并且在栅极绝缘膜上依次形成半导体层和欧姆接触层。 然后，将导电材料堆叠并图案化以形成包括数据线，源极电极，漏极电极和与栅极线交叉的数据焊盘的数据线。 接下来，多层保护膜和由感光有机绝缘材料，以形成接触孔，露出上述有机绝缘膜的有机绝缘层被曝光和分别发展到漏电极，所述栅极焊盘和数据焊盘上的保护膜。 此时，接触孔周围的有机绝缘膜被形成为比其他部分薄。 然后，使用有机绝缘膜作为掩模对暴露的保护膜进行蚀刻以暴露漏电极，栅极焊盘和数据焊盘。 随后，执行灰化处理以去除接触孔周围的有机绝缘膜以暴露接触孔中的保护膜的边界线，由此从接触部分去除底切。 然后，将ITO或IZO堆叠并图案化以分别形成连接到漏电极，栅极焊盘和数据焊盘的像素电极，辅助栅极焊盘和辅助数据焊盘。

公开(公告)号：KR100750931B1

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：KR1020030034679

申请日：2003-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노남석 ,  송근규 ,  최정예 ,  신경주 ,  서종현 ,  홍문표

IPC: G02F1/1335

Abstract: 절연 기판; 절연 기판 위에 행 방향으로 형성되어 있는 복수개의 게이트선; 절연 기판 위에 열 방향으로 형성되어 있으며 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 복수개의 데이터선; 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 복수개의 스위칭 소자; 스위칭 소자에 연결되어 있는 복수개의 화소 전극을 포함하고 화소 전극에 대응되는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소 및 흰색 화소로 이루어지는 도트가 연속적으로 배열되어 있으며, 도트 내에서 흰색 화소의 면적 비율은 17% 이하인 액정 표시 장치.
RGBW, 렌더링, 흰색 화소

Abstract translation: 绝缘基板; 在绝缘基板上沿行方向形成的多条栅极线; 多条数据线，形成在绝缘基板上的列方向上并与栅极线绝缘并相交; 多个开关元件，连接到栅极线和数据线; 包括与像素电极对应的红色像素，绿色像素，蓝色像素和白色像素的点连续排列，并且该点中的白色像素的面积比例为17％ 或更少。

公开(公告)号：KR100740927B1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：KR1019990055590

申请日：1999-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍문표

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 데이터선, 데이터선의 분지인 광 차단막 및 데이터선의 끝 부분에 연결되어 있는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 단일막 또는 이중막으로 형성하고, 기판 상부에 가장자리 부분은 데이터 배선을 덮도록 화소에 적, 녹, 청의 컬러 필터를 형성한다. 이어, 데이터 배선 및 컬러 필터를 덮는 유기 절연막을 형성하고, 패터닝하여 데이터선을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 유기 절연막 상부에 반도체층, 게이트 절연막 및 게이트 도전층을 차례로 적층하고 그 상부에 감광막을 도포한다. 이어, 부분적으로 다른 투과율을 가지는 마스크를 이용한 사진 공정으로 감광막 패턴을 형성하고, 이를 식각 마스크로 사용하여 3층막을 식각하여 제1 접촉 구멍을 통하여 데이터선과 연결된 반도체 패턴을 완성하고, 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 게이트선의 끝 부분에 연결되어 있는 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과 그 하부의 게이트 절연막 패턴을 완성한다. 이어, 게이트 배선을 마스크로 고농도 불순물을 반도체 패턴에 이온 주입하여 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 소스 영역과 드레인 영역을 형성하고, 실리사이드 형성이 가능한 금속을 증착, 어닐링하고 제거하여 소스 및 드레인 영역을 소스용 및 드레인용 전극으로 각각 바꾼다. 이어, 게이트 배선과 반도체 패턴을 덮으며, 드레인용 전극을 드러내는 제2 접촉 구멍을 가지는 보호막을 형성하고, 그 상부에 제2 접촉 구멍을 통하여 드레인용 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
컬러필터, 마스크, 감광막, 커플링용량, 자기정합

公开(公告)号：KR100729784B1

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020010010028

申请日：2001-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노남석 ,  홍문표

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 알루미늄 배선과 투명 도전 물질층의 접촉 특성을 향상시키고, 제조 공정을 단순화하기 위하여, 규소가 풍부한 분위기에서 배선을 덮는 절연막을 증착하여 배선의 표면에 접촉 보조층을 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위하여, 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성한 후, 게이트 배선을 덮는 제1 접촉 보조층 및 게이트 절연막을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 위에 반도체 패턴을 형성한 후, 게이트선에 교차하는 데이터선, 게이트선에 연결되는 소스 전극, 소스 전극에 대응되는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 반도체 패턴 및 데이터 배선을 덮는 보호막을 형성한 후, 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성한 다음, 제1 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성한다.
접촉 보조층, 알루미늄 배선, 공정 단순화, 규소가 풍부한 분위기