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公开(公告)号：KR101777714B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020150081473
申请日：2015-06-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 단일또는복수의그래핀층 상에형성된실리콘-함유층을포함하는그래핀-실리콘복합체, 상기그래핀-실리콘복합체를포함하는전기소자, 및상기그래핀-실리콘복합체의제조방법을제공하고자한다.
Abstract translation: 提供一种石墨烯 - 硅复合物及其制造方法，该石墨烯 - 硅复合物包括在单个或多个石墨烯层上形成的含硅层，包含该石墨烯 - 硅复合物的电子设备。
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公开(公告)号：KR1020170036507A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150135766
申请日：2015-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B31/305 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B21/06 , C01B32/921 , C01P2002/72 , C01P2004/24 , C01P2006/42 , Y10S977/755 , Y10S977/896
Abstract: 멕신(MXene) 나노시트의제조방법이개시된다. 상기멕신(MXene) 나노시트의제조방법은표면에 O, OH, F 등의관능기가수식되어있지않은멕신(MXene) 나노시트를얻을수 있다. 이와같이얻어진멕신(MXene) 나노시트는 MXene 고유의특성을발휘할수 있으며, 그래핀이나육방정계질화붕소(h-BN) 등과같은이종나노소재와의하이브리드가용이하고, 다양한전기전자소자및 에너지저장소자에적용할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造MXene纳米片的方法。 在制造MXN纳米片的方法中，可以获得其上没有改性官能团如O，OH，F等的MXN纳米片。 Meksin（MXene）将由此得到可表现出特定MXene的特性，以及以销或六边形2种纳米材料混合是容易的，以及各种电气和电子装置，并与元件诸如氮化硼能量存储的纳米片（的h-BN） 可以应用。
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85.发明公开
公开(公告)号：KR1020170016908A
公开(公告)日：2017-02-14
申请号：KR1020170015598
申请日：2017-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 코닝정밀소재 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01G11/24 , H01G11/36 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M4/78 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01M4/133 , H01M4/1393
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/24 , H01G11/28 , H01G11/36 , H01G11/50 , H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/663 , H01M4/78 , Y02E60/122
Abstract: 롤형태를갖는전극구조체, 이를채용한전극및 전기소자, 및상기전극구조체의제조방법이개시된다. 개시된전극구조체는적어도일면에나노소재가분산된그래핀필름이롤 형상으로감겨진구조를갖는다. 상기전극구조체는그래핀필름의접촉면사이에전해질이온의확산을용이하게하는공간을확보하면서높은전극밀도를나타낼수 있으며, 또한, 전기소자, 예컨대슈퍼커패시터와같은에너지저장장치의전극에적용되는경우에집전체상에수직배향된형태로안정하게유지될수 있어전해질이온의이동을용이하게할 수있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101685365B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020150084237
申请日：2015-06-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 적어도일면에나노소재가분산된그래핀필름이롤 형태로감겨진전극구조체를포함하는 3 차원에너지하베스터, 및상기 3 차원에너지하베스터의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101663537B1
公开(公告)日：2016-10-07
申请号：KR1020150098697
申请日：2015-07-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C07D495/04 , C07D495/02 , H01L51/00
Abstract: 친수성및 소수성작용기가치환된비대칭화합물, 상기비대칭화합물의제조방법, 및상기비대칭화합물을포함하는유기전자소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160074157A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140183069
申请日：2014-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/66977 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 그래핀양자점박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는그래핀양자점박막, 상기그래핀양자점박막을채널층에이용하는박막트랜지스터에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于制造石墨烯量子点薄膜的方法，通过该方法制造的石墨烯量子点薄膜和在沟道层中使用石墨烯量子点薄膜的薄膜晶体管。 用于制造石墨烯量子点薄膜的方法包括通过在基板上蒸发含石墨烯量子点的溶液沉积石墨烯量子点薄膜。
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公开(公告)号：KR1020160025339A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140112479
申请日：2014-08-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 그래핀올
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , Y10S977/774
Abstract: 본원은그래핀양자점을이용한발광소자및 상기그래핀양자점을이용한발광소자의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 在本发明中提供的是：使用石墨烯量子点的发光装置; 以及使用石墨烯量子点的发光装置的制造方法。 石墨烯量子点的制造方法包括：向碳材料中加入过硫酸一氢钾（oxone）; 并通过溶剂热氧化还原，声子芬顿反应或碳材料的超声光晕反应形成石墨烯量子点。 根据本发明，该方法能够通过使用各种碳材料制造石墨烯量子点，并且通过使用过一硫酸钾（丁酮）提高稳定性。
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公开(公告)号：KR101561659B1
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：KR1020110146101
申请日：2011-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 개시된광 검출기는기판과기판상에마련되고, 복수개의그래핀조각을포함하는광 흡수층및 광흡수층상에마련된소스전극및 드레인전극을포함할수 있다. 개시된광 검출기의제조방법은기판상에복수의그래핀조각을포함하는용액을코팅하여광 흡수층을형성하는단계와광 흡수층상에소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함할수 있다.
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