나노 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법
    81.
    发明公开
    나노 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법 有权
    包括纳米复合材料的电极及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150049691A

    公开(公告)日:2015-05-08

    申请号:KR1020130130552

    申请日:2013-10-30

    CPC classification number: H01B5/14 H01B13/00

    Abstract: 전극및 이의제조방법이제공되고, 본발명의일 구현예에서전극은투명기판, 상기투명기판위에위치하고, 고분자내부에나노입자가균일하게분산된나노복합체, 상기나노복합체위에위치하고, 표면상에불규칙한구조를갖는미세요철을포함한투명전극층을포함할수 있다.

    Abstract translation: 提供一种电极及其制造方法。 根据本发明的实施例,电极包括:透明基板; 设置在透明基板上的纳米复合材料,其中纳米颗粒均匀分散在聚合物内; 以及位于纳米复合材料上的透明电极层,并且包括在表面上具有不规则结构的微细凹凸部。

    듀얼 마스크를 이용한 전자회로 인쇄 방법
    82.
    发明授权
    듀얼 마스크를 이용한 전자회로 인쇄 방법 有权
    使用双掩模打印电子电路的方法

    公开(公告)号:KR101401398B1

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:KR1020130036119

    申请日:2013-04-03

    CPC classification number: B41F15/08 B41F15/0886 B41F15/42 H05K3/12

    Abstract: Disclosed is an electronic circuit printing method using a dual mask. The electronic circuit printing method according to an embodiment of the present invention comprises a first step of designing a circuit pattern of an electronic circuit to be printed; a second step of performing a first printing on a printed matter by using a first mask including a first printing unit which corresponds to the shape of the circuit pattern and is opened in a smaller area than the area of the circuit pattern and one or more bridge units which are extended to an inner potion of the first printing unit and close the inner portion of the first printing unit; and a third step of performing a second printing on the printed matter using a second mask including a second printing unit which corresponds to the shape and the area of the circuit pattern.

    Abstract translation: 公开了一种使用双掩模的电子电路印刷方法。 根据本发明的实施例的电子电路印刷方法包括设计要打印的电子电路的电路图案的第一步骤; 通过使用包括对应于电路图案的形状的第一印刷单元的第一掩模,在比电路图案的区域更小的区域中打开并且在一个或多个桥上进行打印,从而对打印物进行第一打印的第二步骤 单元,其延伸到第一印刷单元的内部部分并闭合第一印刷单元的内部; 以及第三步骤,使用包括对应于电路图案的形状和面积的第二打印单元的第二掩模对打印物进行第二打印。

    극초단파를 이용한 ΙΤΟ 박막 제조 방법
    83.
    发明授权
    극초단파를 이용한 ΙΤΟ 박막 제조 방법 有权
    超高频ITO薄膜的制造方法

    公开(公告)号:KR101315104B1

    公开(公告)日:2013-10-07

    申请号:KR1020110090514

    申请日:2011-09-07

    Abstract: 본 발명은 결정화된 ITO 나노 분말을 사용하여 ITO/금속 나노 잉크/페이스트를 제조하여 패터닝한 후, 극초단파를 이용하여 열처리함으로써 인듐 소비량을 절감할 수 있고, 기판 또는 소자 전체의 손상을 줄일 수 있는, 극초단파를 이용한 ITO 박막 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르는 극초단파를 이용한 ITO 박막 제조 방법은,
    ITO/금속 나노 분산액을 사용하여 기판 상에 ITO/금속 나노 잉크 층을 형성하는 단계;
    상기 ITO/금속 나노 잉크 층에 극초단파를 조사하는 단계를 포함하는 것을 구성적 특징으로 한다.

    극초단파를 이용한 ΙΤΟ 박막 제조 방법
    84.
    发明公开
    극초단파를 이용한 ΙΤΟ 박막 제조 방법 有权
    使用超高频的ITO膜的制造方法

    公开(公告)号:KR1020130027137A

    公开(公告)日:2013-03-15

    申请号:KR1020110090514

    申请日:2011-09-07

    Abstract: PURPOSE: An ITO thin film manufacturing method using a microwave is provided to reduce indium consumption by manufacturing ITO/metal nanoink/paste using crystalized ITO nanopowder and thermal processing the same with the microwave. CONSTITUTION: An ITO/metal nanoink layer is formed on a substrate using ITO/metal nano dispersion liquid. A microwave is irradiated to the ITO/metal nanoink layer. The wavelength of the microwave is 1mm to 1m. The microwave is irradiated in the power range of 10W-5000W for one minute to ten minutes. The ITO/metal nanoink layer is formed by one method among an inkjet printing, a screen printing, a spin coating, and a bar coating. [Reference numerals] (AA) ITO + metal nanoink; (BB,DD,FF) Substrate; (CC) Microwave; (EE) Annealed crystal ITO layer

    Abstract translation: 目的:提供使用微波的ITO薄膜制造方法,通过使用结晶化的ITO纳米粉末和与微波相同的热处理制造ITO /金属纳米结构/糊料来降低铟消耗。 构成:使用ITO /金属纳米分散液在基板上形成ITO /金属纳米层。 微波照射到ITO /金属纳米层。 微波的波长为1mm〜1m。 在10W-5000W的功率范围内照射微波1分钟至10分钟。 通过喷墨印刷,丝网印刷,旋涂和棒状涂布中的一种方法形成ITO /金属纳米层。 (标号)(AA)ITO +金属纳米金; (BB,DD,FF)基材; (CC)微波; (EE)退火晶体ITO层

    산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
    85.
    发明公开
    산화 실리콘 나노 입자 제조 방법 无效
    SIO2纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:KR1020130015806A

    公开(公告)日:2013-02-14

    申请号:KR1020110078043

    申请日:2011-08-05

    CPC classification number: C01B33/18 C01P2004/64 C01P2006/80

    Abstract: PURPOSE: A silicon oxide nano-particle manufacturing method is provided to remove a high temperature process for removing harmful materials during a SiO2 nano powder formation by using Cl- or NO3- without the harmful materials for heating and washing processes. CONSTITUTION: A silicon oxide nano-particle manufacturing method comprises the following steps. A raw material in a Si content colloidal type is dissolved at a room temperature to manufacture an organic solution. The organic solution is stirred until the evaporation of the organic solution is completed, to manufacture a gelled compound. After the gelled compound is powderized, SiO2 is produced by a heating process. The heat processed SiO2 powder is uniformly dispersed. The mixing of the organic solution is performed at a room temperature. [Reference numerals] (AA) Clean solvent(aqueous, non-aqueous); (BB) Room temperature reaction; (CC) Low temperature oxidation

    Abstract translation: 目的:提供一种氧化硅纳米颗粒的制造方法,用于除去不需要有害物质进行加热和洗涤过程的二氧化硅纳米粉体形成过程中的有害物质的高温过程。 构成:氧化硅纳米粒子的制造方法包括以下步骤。 将Si含量胶体型的原料在室温下溶解,制造有机溶液。 搅拌有机溶液直到有机溶液的蒸发完成,以制造凝胶化合物。 胶凝化合物粉化后,通过加热工艺制备SiO 2。 热处理的SiO 2粉末均匀分散。 有机溶液的混合在室温下进行。 (AA)清洁溶剂(水性,非水性); (BB)室温反应; (CC)低温氧化

    정전용량 방식 터치패널 및 그 제조방법
    86.
    发明授权
    정전용량 방식 터치패널 및 그 제조방법 有权
    电容覆盖面板及其制造方法

    公开(公告)号:KR101114416B1

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:KR1020100037444

    申请日:2010-04-22

    Inventor: 곽민기

    Abstract: 본 발명은 정전용량 방식 터치패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 정전용량 패턴층의 하부와 접하는 복수 개의 금속보조전극을 기판 상에 형성하여 터치패널들간 또는 터치패널들 및 금속배선층간의 채널 저항을 감소시켜, 정전용량 방식 터치패널의 전도성 및 검출감도가 향상될 뿐만 아니라, 기판 상에 금속배선층과 금속보조전극을 동시에 형성함으로써, 제조 공정면에서도 추가 공정비가 발생하지 않는 효과가 있다.

    3차원 감지 패널
    87.
    发明授权
    3차원 감지 패널 有权
    3D感应面板

    公开(公告)号:KR101093615B1

    公开(公告)日:2011-12-15

    申请号:KR1020100024581

    申请日:2010-03-19

    Inventor: 곽민기

    Abstract: 본 발명은 압력을 감지할 수 있는 3차원 터치 패널에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 일정 압력을 받아 변형이 가능한 터치 패드부; 상기 터치 패드부 상부면에 형성되는 X축 전극부 및 Y축 전극부로 형성되는 2차원 터치 패널; 상기 터치 패드부 하부면에 형성되어 압력을 감지하는 Z축 전극부를 포함하며, 접촉된 대상 물체의 압력 정도를 감지할 수 있도록 하는 3차원 터치 패널에 관한 것이다.

    정전용량방식 터치패널 및 그 제조방법
    88.
    发明授权
    정전용량방식 터치패널 및 그 제조방법 有权
    电容式触摸面板及其制造方法

    公开(公告)号:KR101066111B1

    公开(公告)日:2011-09-20

    申请号:KR1020090001851

    申请日:2009-01-09

    Inventor: 곽민기

    Abstract: 멀티터치가 가능하고, 대면적이면서 동작안정성이 우수하고, 내구성이 우수하며, 디스플레이 유효면적을 최대화할 수 있는 디지털 정전용량방식 터치패널 및 그 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 디지털 정전용량방식 터치패널은 하면에 상부투명전극 및 상부금속배선전극을 형성된 상부유리기판 투명접착부 및 상면에 하부투명전극 및 하부금속배선전극을 형성된 하부폴리머기판을 포함한다.
    정전용량, 유리기판, 폴리머기판, 롤프린팅

    PDLC를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 센서
    89.
    发明公开
    PDLC를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 센서 无效
    TFT阵列传感器采用PDLC

    公开(公告)号:KR1020110045882A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:KR1020090102623

    申请日:2009-10-28

    Inventor: 곽민기 이찬재

    Abstract: PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) array sensor using a PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) is provided to form a PDLC having uniform thickness and uniform light transmittance property. CONSTITUTION: An electrode(20) is formed at the 4 sides of a glass substrate, and a spacer(30) is extended from the electrode. The spacer is formed at an edge portion of the glass substrate, and a transparent electrode layer(40) is formed on the glass substrate. A PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)(50) is formed on the transparent electrode layer, and a coating layer is formed on the PDLC.

    Abstract translation: 目的:提供使用PDLC(聚合物分散液晶)的TFT(薄膜晶体管)阵列传感器,以形成具有均匀厚度和均匀透光性的PDLC。 构成:在玻璃基板的4侧形成有电极(20),并且间隔物(30)从电极延伸。 间隔件形成在玻璃基板的边缘部分,并且在玻璃基板上形成透明电极层(40)。 在透明电极层上形成PDLC(聚合物分散液晶)(50),在PDLC上形成涂层。

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