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公开(公告)号：KR101199289B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020110045575
申请日：2011-05-16
Applicant: 전자부품연구원 , 엘에스전선 주식회사
Abstract: PURPOSE: A polymer composite is provided to remove a space charge generated in an insulating material of a high voltage direct current cable for power transmission by comprising a partially reduced material of a graphene oxide. CONSTITUTION: A polymer composite comprises a graphene oxide partially reduced by 80-0.01%. The comprised amount of the partially reduced material of graphene oxide is 0.01-50 weight%. The size of the partially reduced material of graphene oxide is 15 um or less. A manufacturing method of the partially reduced material of graphene oxide is 15 um or less. A manufacturing method of the polymer composite comprises a step(S20) of manufacturing the partially reduced material of graphene oxide by partially reducing graphene oxide; a step(S30) of manufacturing a polymer composite comprising the partially reduced material. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S10) Manufacturing graphene oxide; (S20) Partial reduction graphene oxide; (S30) Manufacturing polymer composite by graphene oxide comprising partial reduced material
Abstract translation: 目的：提供一种聚合物复合材料，用于通过包括氧化石墨烯的部分还原的材料去除用于动力传递的高压直流电缆的绝缘材料中产生的空间电荷。 构成：聚合物复合材料包含部分减少80-0.01％的石墨烯氧化物。 氧化石墨烯的部分还原材料的含量为0.01-50重量％。 石墨烯氧化物的部分还原材料的尺寸为15μm或更小。 石墨烯氧化物的部分还原材料的制造方法为15μm以下。 聚合物复合材料的制造方法包括通过部分还原石墨烯氧化物制造氧化石墨烯的部分还原材料的步骤（S20） 制造包含部分还原材料的聚合物复合材料的步骤（S30）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）完成; （S10）制造氧化石墨烯; （S20）部分还原石墨烯氧化物; （S30）通过包含部分还原材料的氧化石墨烯制造聚合物复合材料
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公开(公告)号：KR101193956B1
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020100097097
申请日：2010-10-06
Applicant: 전자부품연구원 , 에스케이텔레콤 주식회사
IPC: G02F1/167
Abstract: 광학특성이 우수하고 이미지 품질이 높은 플렉서블 디스플레이 장치가 제안된다. 제안된 플렉서블 디스플레이 장치는 상부기판, 상부기판과 대향하여 이격되도록 배치되는 하부기판, 상부기판 및 하부기판 상에 형성되어 전압을 인가하는 상부전극 및 하부전극과 함께 상부기판 및 하부기판 상에 형성되어 대전입자가 충전되어 있는 셀을 구획하는 상부격벽 및 하부격벽을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120084107A
公开(公告)日：2012-07-27
申请号：KR1020110005434
申请日：2011-01-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor and semiconductor equipment are provided to reduce a contact resistance between source and drain semiconductor channel layers by using air pressure plasma processing. CONSTITUTION: A gate insulating film(114) where a channel layer(116) composed of an oxide semiconductor is formed is made on a substrate to cover a gate electrode. The surface of a generated channel layer is processed with use of air pressure plasma. A source and drain electrodes are respectively formed on both sides of the surface processed channel layer. A protective film(120) covering the generated source and drain electrodes and channel layer is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造氧化物半导体薄膜晶体管和半导体设备的方法，以通过使用气压等离子体处理来降低源极和漏极半导体沟道层之间的接触电阻。 构成：在衬底上形成由氧化物半导体构成的沟道层（116）的栅极绝缘膜（114），以覆盖栅电极。 使用空气压力等离子体处理产生的通道层的表面。 源极和漏极分别形成在表面处理沟道层的两侧。 形成覆盖所产生的源极和漏极以及沟道层的保护膜（120）。
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公开(公告)号：KR101114425B1
公开(公告)日：2012-03-05
申请号：KR1020090128729
申请日：2009-12-22
Applicant: 전자부품연구원 , 엘에스전선 주식회사
Abstract: 본발명은표면입자뭉침이제거된나노복합입자체및 그제조방법에 관한것으로, 보다상세하게는모입자인고분자입자와자입자인나노입자를포함하는건식복합체에있어서, 상기건식복합체를용액에분산시켜건식복합체의표면에뭉쳐있는나노입자를용해시켜제거하여나노복합입자체를제조하고, 상기나노복합입자체에나노입자를추가로투입하여두 번째건식복합체를제조한후, 다시상기두 번째건식복합체를용액에분산시켜두 번째건식복합체의표면에뭉쳐있는나노입자를용해시켜제거한고입자분율을가지는것을특징으로하는나노복합입자체에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101093613B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020090070327
申请日：2009-07-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 다양한 분야에 사용가능한 MgO 쉘 구조체를 제조할 수 있는 MgO 쉘 구조체 제조 방법이 제안된다. 제안된 MgO 쉘 구조체 제조 방법에서는 고분자 입자 및 나노미터 수준의 MgO 입자를 혼성화하고, 혼성화된 입자에 Mg(OH)
2 를 형성하기 위하여 수화시킨 후, 수화된 입자를 소성하여 MgO 쉘 구조체를 제조한다.
MgO 입자, 고분자, 쉘-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100075061A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080133663
申请日：2008-12-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H05B33/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0005 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to form an organic semiconductor channel with high crystallization and high charge mobility by forming an organic semiconductor layer, with a requested shape and size, on a channel region. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer(130) is formed on the gate electrode. A source electrode, a drain electrode, and a data electrode are formed on the gate insulation layer. A self-assembly monolayer(160) is formed on the upper side of the source electrode and the drain electrode. The channel region is removed to expose a part of the source electrode and the drain electrode. An organic semiconductor layer(170) is formed on the channel region.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，通过在沟道区上形成具有要求形状和尺寸的有机半导体层，形成具有高结晶性和高电荷迁移率的有机半导体沟道。 构成：在基板上形成栅电极。 在栅电极上形成栅极绝缘层（130）。 在栅极绝缘层上形成源电极，漏电极和数据电极。 在源电极和漏电极的上侧形成自组装单层（160）。 去除沟道区以露出源电极和漏电极的一部分。 在沟道区上形成有机半导体层（170）。
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公开(公告)号：KR100892413B1
公开(公告)日：2009-04-10
申请号：KR1020070102934
申请日：2007-10-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0096 , H01L33/10 , H01L51/5246
Abstract: An organic light-emitting diode lighting device and a method of manufacture thereof are provided to improve the light release efficiency by reflecting the light income due to the refraction index differential between the material of substrate and the organic electroluminescent diode structure. An organic electroluminescent diode structure(110) is formed on the top of substrate(100). The organic electroluminescent diode structure comprises one or more light emission regions. A barrier rib divides the light emission regions. A reflecting structure(200) including a groove is formed. The groove has an inclined inner wall(320). The inner wall of groove and the top of substrate are welded by using the sealant(400). The inner wall of the reflecting structure is coated with the reflective film.
Abstract translation: 提供了一种有机发光二极管照明装置及其制造方法，以通过反映由于基板材料和有机电致发光二极管结构之间的折射率差异引起的光收入来提高光释放效率。 在基板（100）的顶部上形成有机电致发光二极管结构（110）。 有机电致发光二极管结构包括一个或多个发光区域。 隔壁将发光区域分开。 形成包括凹槽的反射结构（200）。 凹槽具有倾斜的内壁（320）。 通过使用密封剂（400）焊接槽的内壁和基板的顶部。 反射结构的内壁涂有反射膜。
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公开(公告)号：KR100841244B1
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020060117953
申请日：2006-11-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 본 발명은 광 감지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 광을 감지할 수 있는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와; 상기 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에서 발생된 전하를 저장할 수 있는 스토리지 캐패시터와; 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하를 이동시키도록, 스위칭하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터로 구성된 광 감지 센서로 구성된다.
따라서, 본 발명은 높은 전하 이송 특성을 갖는 다결정 실리콘을 이용하여 스위치용 트랜지스터를 구성함으로써, 스위치용 트랜지스터의 크기를 줄일 수 있고 센서용 트랜지스터의 크기를 증가시킬 수 있어 센싱 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
지문, 센서, 박막, 트랜지스터, 다결정, 비정질-
公开(公告)号：KR100809519B1
公开(公告)日：2008-03-04
申请号：KR1020050129724
申请日：2005-12-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 덮개층을 사용하여 방향성 거대 결정립을 형성함으로써, 전하 이동도를 증가시킬 수 있어, 소자의 동작 속도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
결정립, 거대, 방향, 덮개, 에너지, 차단, 무반사-
公开(公告)号：KR100788993B1
公开(公告)日：2007-12-28
申请号：KR1020050128913
申请日：2005-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 도핑된 비정질 실리콘층을 이용하여 소스와 드레인을 형성함으로써, 이온 주입 공정이 필요하지 않아 레이저를 이용한 결정화단계를 줄일 수 있어 공정 수를 줄이고, 생산 수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
비정질, 도핑, 실리콘, 결정, 레이저
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